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    反渗透二氧化硅结垢表现及预防.docx

    • 资源ID:851420       资源大小:104.92KB        全文页数:4页
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    反渗透二氧化硅结垢表现及预防.docx

    反渗透二氧化硅结垢表现及预防常规的水源中都会含有一定量的SiO2,SiO2在饱和的状态下能聚合为难溶性的胶体硅,沉积在反渗透膜表面后会导致系统产水量急剧下降,运行压力大幅升高,脱盐率出现明显下降。Si02结垢表现与碳酸钙、硫酸钙结垢的表现也有较大差异,从膜元件外观上很难发现析出的结垢物质,并且较难通过化学清洗恢复性能。下面通过一个案例进行说明。力系统配置排列方式:一级三段式,膜壳排布3:2:1,采用6芯膜壳设计回收率:87.5%设计运彳调量:16.41MH设计产水量:21.9m3h膜元件型号:一段/二段TM120D-400,三段TM820V-400勿运行概述系统投运不到一个月,现场两套设备运行压力升高T,各段压差无明显变化;两套设备产水量均下降一倍左右。产水电导上升,脱盐率下降,化学清洗后表现更明显。03案例分析原水为垃圾填埋场循环排污水,硬度1000mg1,碱度500mg1,二氧化硅220mg1o通过澄清池预处理后,反渗透系统进水电导4000-5000Scm,硬度240mg1,碱度IIOmg/1,二氧化硅120mg1zPH回调至7运行初期控制回收率80%左右,后产水量下降,回收率逐渐下降至60%左右。现场单个膜壳取产水检测,A设备一段产水电导200Scm以内,二段、三段明显异常,均为9000Scm;B设备一段产水电导300Scm以内,二段、三段均为2000Scm后对A设备一二三段逐一进行探针实验,一段第六只膜壳位置产水电导有升高现象,二三段无明显跳点,与膜壳取样口所测数值接近。取三段最后一支膜送检进行膜元件分析。04膜元件分析存在轻微超重现象,进水侧及浓水侧端面观察无明显污染物。标准性能评价结果脱盐率(92.96%)和产水量(1.6m3d),脱盐率和产水量都明显下降。探针测试显示产水电导率整体偏高,但无明显突变点。观察无明显污染物,但SEM观察膜表面覆盖一层结垢物。膜片EDX元素分析主要含有O(52.41%),Si(18.17%),主要为二氧化硅结垢。膜片染色显示背面无明显渗漏。膜片标准性能评价脱盐率(97.06%)和产水量(0.14md),膜片脱盐率和产水量也明显下降,与膜元件性能评价结果变化趋势一致。参考膜面状态(*1000倍)新股*1000倍膜面覆盖一层结垢物膜面结垢物状态(*4000倍)05总结及运行建议(1)SiO2结垢控制对反渗透系统的稳定运行至关重要,与系统运行压力、产水量及脱盐率等息息相关。项目前期应进行充分和详细的水质分析,选择合适的预处理工艺反渗透系统回收率的选择应充分考虑浓水侧Si02含量(具体可耐受浓度以阻垢剂厂家推荐值为准)。另外,降低反渗透系统回收率、适当提高水温、适当提高pH、预处理投加硅的分散剂等措施也能有效降低Si02结垢风险。(2)建议在以下情况发生时及时进行反渗透系统化学清洗:系统某段的进水和浓水的压差上升到初始压差值的150%;标准化的产水量降低了10%;标准化的透盐率增加了20%oSiO2结垢发生时,一般表现为运行压力上升,产水量下降,因为污染主要发生在膜表面,压差变化往往不明显,建议在反渗透系统出现以上表现时,及时进行化学清洗的同时,力口强对SiO2等污染物的水质检测频率。(3)SiO2结垢往往是从系统最后一支膜开始,系统最后几支膜的结垢情况会相对严重,产水减少或者几乎不产水。建议定期对各段单支膜壳电导率进行测试,从而快速发现产水电导异常的位置,进而及时对系统进行诊断并采取相应处理措施。(4)当SiO2结垢不是特别严重时,可以采用0.1%NaoH+0.025%十二烷基磺酸钠溶液或者0.1%NaOH+1.0%Na4EDTA溶液进行清洗。

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