3D NAND闪存颗粒SLC、MLC、TLC、的区别.docx

3D NAND 闪存颗粒 SLC、MLC. TLC、的区别由于SSD固态硬盘的普及，NAND这个词逐渐进入用户们的视线。许多厂商都在产品宣传中提到3D NAND颗粒等词汇，对于普通用户来讲，完全不知道这个词是什么意思，也不知道这些闪存颗粒的种类有什么区别，只是有一种不明觉厉的感觉，今天我们就来了解一下3D NAND闪存颗粒SLC、MLC、TLC的区别。SLC1 bft/cell2 brts/celLc3bits/cellSLC（单层式存储）SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题,必须要由较先进的流程强化技术(Processenhancements),才能向上提升SLC制程技术。它的优点是写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在10万次以上，但缺点是容量小，造价高，多用于企业级高端产品。MLC (多层式存储)MLC多阶储存单元(Multi-Level Cell,MLC )可以在每个储存单元内储存2个以上的信息位，即(00、0L 10、11),在目前来说市面上的固态硬盘大多数都是采用的TLC颗粒,在网上也有许多商家谎称自己家的固态硬盘为MLC颗粒。目前仍然使用MLC颗粒的固态硬盘依然为数不多，市面上仍能可见的产品三星旗下有一些，以及英特尔的一些高端系列的产品仍在使用MLC颗粒。它的优点是寿命长，多用民用高端产品，读写次数在5000左右，缺点是传输速度较慢，造价较高，因此慢慢退出了市场。TLC（三层式存储）是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell ,英文名称：Triple-Level Cell,在架构上来看，不同类型的储存介质架构都相差不大，仅仅是在一个储存单元储存不同数值的数据。正是因为TLC储存单元每个单元可以储存3bit的数据这就让TLC颗粒能够实现较比MLC更大的储存容量。相比之下TLC通过使用64层堆栈技术可以实现高达Itb的单颗芯片。这是MLC无法实现的，除非技术再一次更迭,可以实现96层的堆栈技术。它的优点是存储密度最高，容量是MLC的1.5倍，造价成本最低，缺点是使命寿命低，读写次数在1000-2000左右，是当下主流厂商首选闪存颗粒。以上就是3DNAND闪存颗粒SLC、MLC、TLC、的区别所有内容了