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    涂胶机设备单机试运转及验收范例.docx

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    涂胶机设备单机试运转及验收范例.docx

    涂胶机设备单机试运转及睑收范例E.2.1试运转前应检查下列项目,并应在符合要求后进行单机试运转:1环境温度应为23±3,相对湿度应为30%70%,洁净度等级应不低于ISO7级,室内灯光应为黄色;2电源供电电压允许偏差应为额定电压(380V)的±10%,电源频率偏差允许应为标准频率(50HZ)的±2版3压缩空气进气压力应为(0.50.7)MPa,进气流量不小于5001min;4氮气供气压力应为(0.304)MPa;5排气通道应通畅,管道直径应不小于IOmrn;6接地引出端应与厂房接地系统稳固连接,接地电阻小于4C。E.2.2验收项目应符合下列要求:1压缩空气气源接口应能承受不小于0.7MPa的气源压力;2氮气气源接口应能承受不小于0.5MPa的气源压力;3自动状态下设备能进行晶片涂胶前清洗,涂胶后去边动作;4选6英寸圆片2片,8英寸圆片2片,基片上旋涂膜厚3m4m光刻胶,待基片干燥后,测量基片厚度。按照图2所示在基片的上、下、左、右、中五个区域中随机各取一点,利用台阶仪对其厚度进行测量,记录测量值,并计算出它们的平均值。取基片厚度中的最大值和最小值,使用公式E1A2-1得出膜厚均匀性应不大于±3%;=(Hmax-HmG2P(E.1A.2-1)式中:4_基片膜厚均匀性;Ha基片厚度最大值;HZ基片厚度最小值;图E.1A,2-1涂层厚度均匀性测量点示意图5选25片8英寸圆片进行膜厚3m4m光刻胶旋涂,按测试膜厚均匀性的方法,取得各片的膜厚平均值,计算出本组25片的平均值PAVG。取膜厚最大值和最小值,使用公式E.1A.21计算本组晶片的片间均匀性应在±3%之间;4=(PmSX-Pmm)/2PAVC(E.1A.21)式中:4基片片间均匀性;初一基片膜厚最大值;PM基片膜厚最小值;基片膜厚平均值。6使用转速仪测量设备最高转速应符合指标要求,测量值与设定值之间的差值应在±1rpm内;7按常用工艺温度要求分别设置温控温度,开启加热,待温度稳定后,使用表面温度计测量热板工位区域上下左右四个点温度记录测量值,测量值与温控仪显示值之差不超过±1;8设备正常运行时,用声级计在其水平面四个方向上,离地高度1.2m,距离机壳1m处测量噪声,以每天暴露时间8h计,其等效连续A声级噪声不应大于85dB(A)0E.3去胶机E.3.1试运转前应检查下列项目,并应在符合要求后进行单机试运转:1环境温度应为23±3,相对湿度应为30%70%,洁净度等级应不低于ISO8级;2电源供电电压允许偏差应为额定电压(380V)的±10%,电源频率偏差允许应为标准频率(50HZ)的±2%;3压缩空气进气压力应为(0.406)MPa;4氮气供气压力应为(0.40.6)MPa;5氧气供气压力应为(0.30.45)MPa;6接地引出端应与厂房接地系统稳固连接,接地电阻小于4Q。E.3.2验收项目应符合下列要求:1压缩空气气源接口应能承受不小于。7MPa的气源压力;2氮气气源接口应能承受不小于0.7MPa的气源压力;3氧气气源接口应能承受不小于0.5MPa的气源压力,最大流量不应超过1000seem;4射频电源功率应在(30150)W范围内连续可调;5使用6寸和8寸的硅片各5片,表面涂覆厚度为1m5m微米的光刻胶,用轮廓测试仪测量得出厚度,在规定的去胶时间3min30min内去胶结束后,利用轮廓测试仪测量剩余胶的厚度,通过公式E.1B.21得出去胶速率,应满足指标要求;IZ=(B-A)/t(E.1B.2-1)式中:V去胶速率;B胶前光刻胶厚度;A*胶后剩余光刻胶厚度;t一规定去胶时间。6使用6寸和8寸的硅片各3片,表面涂覆一定厚度1m5m的胶,在图2所示位置用轮廓测试仪测量得出片内每点的厚度,在去胶工艺结束后,再次测量片内每个测试点剩余胶的厚度,通过公式E.1B.22计算平均去胶厚度,通过公式E.1B.23计算每一张硅片的片内去胶均匀性,每一张硅片的片内去胶均匀性均应不大于±1096;C=(Bi-Ai)9(E.1B.2-2)式中:C去胶厚度;Bi去胶前硅片厚度;Ai去胶后硅片厚度。P=(MAX(Bi-Ai)-MIN(Bi-Ai)2C(E.1B.2-3)式中:P去胶均匀性。图E1B.2-1硅片测试点示意图7取6寸和8寸的硅片各5片,根据硅片尺寸大小分为两组,按E.1B.2(6)提供的方法,算出各组中每一张硅片的平均去胶厚度,通过公式(E1B2-4)计算出本组5片硅片的平均去胶厚度,再用公式(E.1B.2-5)计算出每一组硅片的片间去胶均匀性,每一组硅片的片间去胶均匀性均应不大于±12%:D=Ci5(E.1B.2-4)式中:D去胶厚度;Ci平均去胶厚度。E=(MAXCi-MINCi)/2D(E.1B.25)式中:E-_片间去胶均匀性。8设备正常运行时,用声级计在其水平面四个方向上,离地高度1.2m,距离机壳1m处测量噪声,以每天暴露时间8h计,其等效连续A声级噪声不应大于70dB(A)°

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