sic功率器件关键科学问题.docx
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1、SiC功率器件关键科学问题SiC是一种由硅(Si)和碳(C)构成的半导体化合物,它属于宽带隙(WBG)材料家族。其物理键非常牢固,使得半导体允许SiC器件在结温高于硅的结温。在电力应用中,碳化硅的主要优点是它的低漂移区电阻,这是高压电力设备的关键硅碳化硅功率器件以其优异的物理、电子性能正推动着电力电子技术的根本性变革。虽然这种材料早已为人所知,质量高。近年来,高温晶体生长技术的研究受到了国内外学者的关注。虽然SiC具有不同的多晶结构(又称多晶结构),化硅片。1 .碳化硅的主要特性是什么?这种材料是由硅和碳组合而成的优异的机械、化学和热学性质。热传导系数大。良好的抗热震性能和热膨胀。电源和开关损
2、耗小。能源效率高运转频率和温度(工作温度可达200)模头大小(相同的击穿电压)特征体二极管(MOSFET器件)优秀的散热管理,减少冷却需求。延长使用寿命。2 .碳化硅在电子领域的应用是什么?碳化硅是一种非常适合电力应用的半导体,主要是因为它能承受高电压十倍,高达硅的可用电压。以碳化硅为基础SiC二极管和晶体管还能在较高的频率和温度下工作,而不影响可靠性。SiC器件的主要应用,如肖特基二极管。3 .为何SiC在功率应用中克服了Si?虽然硅是电子领域应用最广的半导体,但也开始显示出一些局限性,尤其是在大功率应用中。与这些应用有关的一子器件可以更小、更快、更可靠。与其它半导体半导体相比,它还能使用更
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