氧化镓材料生长与阵列探测器研究.docx
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1、氧化钱材料生长与阵列探测器研究近日,“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)指导,西安交通大学、极智半导体产业网(WwW)、第三代半导体产业主办,西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、第三代半导体产业技术创新战略联盟人才发展委员会、全国半导体应用产教融合(东莞)职业教育集团联合组织、西安和其光电股份有限公司等单位协办。期间,“平行论坛2:光电子器件及应用”上,南京邮电大学张茂林带来了“氧化钱材料生长与阵列探测圈研究”的主题报告,其研究主要方向为重点开展宽禁带半导体氧化钱(Ga203)晶体的制备与器件物理方面的研究;优化
2、晶体质量,赶超国际水平,发展相关器件的系统应用。Ga2O3基日盲紫外探测阵列器件(4x4)Ga2O3基日盲紫外分立阵列探测器,R标准偏差小于12.1%,芯片性能满足光电探测器的应用;亮响用度:144.6A/f(IOV254w)外子奴率:64711%尤Ii比:283IOi电流:1.32XIOUA保曷*:7.29IOceMix-f1响/何:“ZT115/1.1n(.r.r11-M二弟二代干导体产业报告分享了薄膜CVD生长以及阵列探测器与应用的研究进展与成果。详细介绍了氧化线晶体薄膜MOCVD生长/衬底制备,1SPR增强PtGa203复合薄膜光响应,PECVD生长Ga203薄膜,Mist-CVD生长
3、Q相Ga203薄膜,Ga203基日盲紫外探测阵列器件(4X4),16单元Ga203矩形阵列,晶圆Ga203阵列探测器的紫外成像,晶圆Ga203阵列探测器的紫外通讯,自供电Ga203基肖特基光电二板管阵列等研究内容。晶圆Ga2O3阵列探测器的紫外成像光暗电流比106、响应度最大-60A/W1tgiNtumMy*Mist-CVD生长Ga203薄膜;利用1SPR增强PtGa203复合薄膜光响应,提高了探测器性能;不断扩大Ga203阵列探测器规模,分别对MSM结构阵列和肖特基阵列展开了研究;从紫外成像和通讯方面出发,拓展了Ga203阵列探测器应用范围。据介绍,南邮氧化钱半导体创新中心(K-GAO)科研团队,2014年实现Ga203外延生长,研制第一支GAO基日盲紫外探测器原型器件,发表第1篇学术论文。2016年Ga2O3已经成为北邮活跃的科研主题之一。2017年获得2英寸高质量外延,研制出第一只日盲紫外探测阵列器件,成为氧化钱领域的最活跃的研究组,成立北京钱族科技有限公司迈上产业化实践之路。2018年承担北京市科委重点研发计划,突破3英寸晶体和外延技术。突破2-4英寸单晶生长和外延技术。小批量供应2英寸单晶衬底及外延片。实现16X16光电探测器件阵列化。2023年度完成A轮融资6500万元,估值2.5亿元。审核刘清
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