什么是TMR 传感器 IC?.docx
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1、1. 什么是TMR传感器IC?TMR传感器IC集成了 TMR传感器元件和信号处理电路。TMR传感器元件是使用隧道磁阻效应(TMR效应)的磁性传感器元件。室温下的TMR效应是由口本东北大学的宫崎照宣教授于1995年发现的。与传统的霍尔或AMR传感器元件相比,TMR传感器元件是一种新的磁性传感器技术,不易受到温度变化的影响,具有极高磁灵敏度和高电阻的特点。TMR传感器IC通过利用高磁灵敏度和高电阻值,可实现低功耗的高精度磁性传感器ICoTMR传感器1C可广泛应用于各种设备,从甩源容量有限的消费类产品到需要高精度控制的工业和汽车设备。2. TMR传感器元件的工作原理磁阻效应(MR效应)是电阻随磁场变
2、化而变化的现象。发生在磁性材料(例如铁、银或钻)中的一种现象。MR效应的特性会随磁性材料内部的磁化方式而变化。TMR传感器元件由夹在两个铁磁层之间的极薄纳米级非磁性绝缘层构成。电子从一个铁磁层隧穿到另一个通孔绝缘层。这是一种量子力学现象。当两种磁性材料的磁化方向平行时,电阻值小,反平行时,电阻值大。Parallel magnetization directionAntiparallel magnetization direction日ectricity flows freely = iow resistanceLimited flow of electridty= high resistanc
3、eTMR传感器元件的工作原理-隧道磁阻效应(TMR效应)TMR连接点的MR比率(电阻值根据磁场状态而变化的比率)在生产中可以达到100%以上。在实验室条件下,已经达到了 1000%以上的水平。MR ratio磁阻传感器元件的MR比率3. TMR传感器IC结构电流通过内置在IC中的TMR传感器元件以放大电位差输出,并在IC内部的电路中处理信号,以根据磁束密度输出信号。超低功耗TMR传感器IC的内部结构说明方框TMR传感器元件电阻随磁场(磁铁)而变化。增益放大器电位差根据TMR传感器元件的电阻被放大。控制电路设置电路的间歇控制和电路的操作条件。带滞后比较器根据磁束密度输出H或L控制输出。反向器输出
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