ASEMI电源管理芯片PL3369C规格书.docx

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1、PMicroPovverlik Microelectronics 内置高压功率BJT管 全电压范围内高精度恒流/恒压调节 去除光耦和次级控制电路 内置恒流调节的线电压补偿 内置变压器电感补偿 内置输出线补偿 内置可提高效率的自适应PFM控制 低启动电流 内置前沿消隐 逐周期电流限制 VDD欠压/过压保护 输出过压保护 输出短路保护 内置过温保护PL3369C高精度恒流/恒压原边控制PWM功率开关芯片概述:PL3369C是一款原边控制，用于反激式开关电源的恒流/恒压调节器。其高度集成了功率开关，并通过去除光耦以及次级控制电路，在简化充电器/适配器等传统的恒流/恒压设计的同时实现了精确的电流和电压

2、调节，如图1所示。PL3369C的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。满载时芯片工作在PFM模式，随着负载降低，芯片会逐渐进入到绿色模式，以提高整个系统的效率。PL3369C同时具有多种保护功能：逐周期峰值电流检测、VDD欠压/过压保护、输出过压保护、输出短路保护和过温保护等。V1.320216管脚分布图:X 1)1)口 G、DIB匚?匚3匚应用：手机充电器 小功率率电源适配器 LED驱动 消费类的备用电源GNDPL3369Cc7CCS匚4PL3369CEPL3369CDatasheet1 概要PL3369C是一款原边控制，用于反激式开关电源的恒流/恒压调节器。其高度集

3、成了功率开关，并通过去除光耦以及次级控制电路，在简化充电器/适配器等传统的恒流/恒压设计的同时实现了精确的电流和电压调节。PL3369C的复合模式的应用使芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。满载时芯片工作在PFM模式，随着负载降低，芯片会逐渐进入到绿色模式，以提高整个系统的效率。PL3369C具有多种保护功能以应对系统的各种异常状态。主要包括：逐周期限流保护、VDD欠压/过压保护、输出短路/过压保护和过温保护等。系统发生异常时，芯片将被保护，直到系统恢复正常状态。PL3369C提供S0P7封装。PL3369CE 提供 SOP8 封装。低启动电流内置前沿消隐输出短路保护输出过压保护逐周期

4、限流保护VDD欠压/过压保护过温保护2 特性 内置高压功率BJT管 全电压范围内高精度恒流/恒压调节 去除光耦和次级控制电路 内置恒流调节的线电压补偿 内置变压器电感补偿 内置输出线补偿 内置可提高效率的自适应PFM控制3管脚分布图管脚图如下图所示:E匚CEPL3369C21 ND C(FB匚GND匚VDD匚CS匚1082736PL3369CEZ)c4管脚描述管脚名描述VDD芯片电源输入FB通过电阻分压连接到辅助绕组，该管脚用于检测输出信号并调节芯片的恒流CS通过检测连接CS到地电阻的电压来反映原边电感电流C功率BJT的集电极，连接到变压器的一端GND芯片地5最大额定值参数符号范围单位VDD电

5、压VDD-0.3 至J VDDclampVCS输入CS-0.3 到 5VFB输入FB-0.3 至J5V最大工作结温Tjmax150存储温度Tsto-55 到 150焊接温度(Soldering40secs)Tlea260注释:超过最大额定值可能损毁器件;超过推荐工作范围的芯片功能特性不能保证;长时间工作于最大额定条件下可能会影响器件的稳定性。6推荐工作条件参数数值单位工作温度-40 105典型工作频率满载65kHz7结构框图VI )1)-UVLO&ClampOTPOVP&OSPccController7kA DriverLogicalDemagnetizationDetectorOCP 匚(3

6、kLEBFB signalI B 一 A samplercvProcessorGN I)8电气特性(无特殊说明， 其测试条件为：VDD =21V, TA = 25 )参数符号测试条件最小典型最大单位电源电压(VDD)启动电流Idd_stVDD=UVLO_OFF-1V520uA静态电流Idd_static0.61mAVDD退出欠压阈值UVLO_OFFVDD rise121518VVDD进入欠压阈值UVLO.ONVDD_fall3.54.55.5VVDD过压保护VDD_OVP27V电流检测(CS)LEB时间TLEB5ns过流阈值Voc550mVOCP延迟时间Td_oc100ns反馈检测(FB)EA基准电压Vref.EA2.442.52.56V最小关断时间ToffLmin2US最小工作频率F_min80Hz最大输出线补偿电流Icable_max60uA过压阈值Vfb_ovp3V过温检测(OTP)进入过温保护T_otp151c退出过温保护T_otp_rec139c功率BJT管集电极与发射极击穿电压VceoIc=10mA450V集电极与基极击穿电压VcboIc=lmA750V