你应该为你的FPGA做一个新选择.docx
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1、你应该为你的FPGA做一个新选择多种趋势正在将EE处推向两条截然不同的发展道路。在第一条路上,FPGA不断优化,主要用于加速数据中心工作负载。数据中心是大型供应商关注的下一个“圣杯”。在另一条发展道路上,有传统的FPGA网络市场、蜂窝基站、国防、商用航空、工业4.O和医疗。在这些应用领域,许多建城认为他们正在被抛弃。他们面临的发展挑战与大型供应商关注的数据中心焦点截然不同。设计人员面临着越来越难以平衡的行为,因为他们试图在不牺牲性能和安全性的情况下,实现低功耗和低成本。要想实现这种平衡,就需要以新的方式来看待FPGA,采用新的工艺技术选择、结构设计、蜷造策略和内置的安全措施。这孕育出了一类新的
2、、中等规模的FPGA,为传统FPGA开发人员提供了新的功能。新的工艺技术选择降低功耗同时优化中等规模FPGA成本的一种方法是:使用新的工艺技术。例如,在28nm技术节点上使用Si1iCOn-Oxide-Nitride-Si1icon(SONOS)非易失性(NV)技术,其与相同或更小节点上的基于S幽的FPGA相比,具有更低的功耗优势。使用65nm及以上浮栅NV技术的上一代非易失性FPGA比SONOS昂贵。鉴于浮动栅极技术需要17.5V来编程使用消耗大量芯片面积的大型电荷泵,SoNOS技术只需要7.5V编程,因此电荷泵可以更小。这项技术可以缩小芯片尺寸,并有助于提供更具成本效益的器件。SoNOS技
3、术通过使用具有非导电氮化物电介质层(Si3N4)作为电荷存储单元的单个多晶硅晶体管堆叠(见图D来实现这些优势。使用这种方法,在底部氧化物中可能存在的任何缺陷附近,只有非常少量的电荷将流失。由于储存的电荷在绝缘氮化物层中不可移动,所以大部分储存的电荷仍然保持原样,完好无损。与浮栅技术相比,可以使用更薄的底部氧化物,并且可以用更低的编程电压(7.5V)和更小的电荷泵进行编程。与SRAM存储单元相比,使用SONoS所需的晶体管数量更少。Si3N4_m*SourceTrappedChargeInversion:1ayer图1:SONoS技术。(来源:Microsemi)SONOS技术通过使用包含N通道
4、和P通道NV器件的推挽式单元来提高可靠性。NV器件不处于数据路径,仅用于控制用作数据路径开关的标准晶体管。这提供了很大的功能优势,因为供器件阈值电压(Vt)的任何变化都不会改变开关电导。设备互动的方式充当了内置的准冗余,可防止产品在使用期间的性能下降。功耗也会降低。首先,SONOSNVFPGA配置单元启用两种不同的可编程“配置”状态,控制FPGA数据信号路径,关断和开启时优化开关器件以提供比标准晶体管低得多的漏电。其次,SONOS技术可以将器件置于一种状态:将电遮电压关闭至FPGA逻辑模块中的配置存储器,同时将用户的状态保存在低功耗锁存器中。这降低了约三分之二的待机功耗。SoNOS还有两个重要
5、的优势。首先是“即时开”功能:因为FPGA逻辑配置单元在掉电后保持其状态,所以当电源返回时不需要重新加载FPGA设计代码,也不需要外部引导PROM。其次,与基于SRAM的FPGA中的配置存储器不同,该器件可由于中子轰击而翻转状态,SONOS器件的FPGA逻辑配置不受SEU影响。SONOSNV电荷存储在氮化物电介质中,不容易受到中子轰击带来的电荷损失。新的结构设计另一种提高中等规模FPGA性能的方法是:改变可编程逻辑结构。这使得器件能够满足主流性能要求,同时,静态功耗仅为SRAMFPGA的十分之一,以及总功耗的一半。功耗和性能需要权衡考量。例如,6输入1UT可提供一些速度优势,但4输入1UT是现
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