射频板PCB工艺设计规范.docx
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1、印制电路板设计规范工艺性要求(仅适用射频板)前言II1 范围12 规范性引用文件13 术语和定义14 印制板基板35 PCB设计基本工艺要求56 拼板设计67 射频元器件的选用原则78 射频板布局设计79 射频板布线设计910射频PCB设计的EMC 1411射频板ESD工艺1812表面贴装元件的焊盘设计1913射频板阻焊层设计19附录A 21附录B 23附录C 24附录D 27附录E 31附录F 32附录G 33附录H 39前 百II印制电路板设计规范工艺性要求(仅适用射频板)1范围本标准规定了射频电路板设计应遵守的基本工艺要求。本标准适用于射频电路板的PCB设计。2规范性引用文件IPC-SM
2、-782 Surface Mount Design and Land Pattern StandardIPC 2252-2002Design Guide for RF-Microwave Circuit Boards3术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3. 1 微波 Microwaves微波是电磁波按频谱划分的定义,是指波长从1m至0. 1mm范围内的电磁波,其相应的频率从0. 3GHz至3000GHz。这段电磁频谱包括分米波(频率从0. 3GHz至3GHz) 厘米波(频率从3GHz至30GHz) 毫米波(频率从30GHz至300GHz)和亚毫米波(频率从300GHz至3000GHz,有些
3、文献中微波定义不含此段)四个波段(含上限,不含下限)。具有似光性、似声性、穿透性、非电离性、信息性五大特点。3. 2 射频 RF(Radio Frequency)射频是电磁波按应用划分的定义,专指具有一定波长可用于无线电通信的电磁波。频率范围定义比较混乱,资料中有30MHz至3GHz,也有300MHz至40GHz,与微波有重叠;另有一种按频谱划分的定义,是指波长从1兆m至1m范围内的电磁波,其相应的频率从30Hz至300MHz;射频(RF)与微波的频率界限比较模糊,并且随着器件技术和设计方法的进步还有所变化。3. 3 射频PCB及其特点考虑PCB设计的特殊性,主要考虑PCB上传输线的电路模型。
4、由于传输线采用集总参数电路模型和分布参数电路模型的分界线可认为是1/ X 20. 05.(其中,1是几何长度;X是工作波长),在本规范中定义射频链路指传输线结构采用分布参数模型的模拟信号电路。PCB线长很少超过50cm,故最低考虑30MHz频率的模拟信号即可;由于超过3G通常认为是纯微波,可以考虑倒此为止;考虑生产工艺元件间距可达0.5mm,最高频率也可考虑定在30GHz,感觉意义不大。综上所述,可以考虑射频PCB可以定义为具有频率在30MHz至6GHz范围模拟信号的PCB,但具体采用集总还是分布参数模型可根据公式确定。由于基片的介电常数比较高,电磁波的传播速度比较慢,因此,比在空气中传播的波
5、长要短,根据微波原理,微带线对介质基片的要求:介质损耗小,在所需频率和温度范围内,介电常数应恒定不变,热传导率和表面光洁度要高,和导体要有良好的沾附性等。对构成导体条带的金属材料要求:导电率高电阻温度系数小,对基片要有良好的沾附性,易于焊接等。3.4 阻抗 impodancc规范中特指传输线的特征阻抗,定义为传输线电压和电流决定的传输线的分布参数限R1 + j3Ll表达式为:Z0 =抗。通常用Z0表示。G1 + jwCl在交流电路中电流所遇到的所有阻抗的度量单位。电路中某点电流与其电动势之比;阻抗通常表示为z=r+ jx,这里r是欧姆电阻抗,x是电抗,可以是感抗或容抗;j是一1的平方根。3.5
6、 微带线 Microstrip一种传输线类型。由平行而不相交的带状导体和接地平面构成。导体条楼地板介、微带线的结构如图1所示它是由导体条带(在基片的一边)和接地板(在基片的另一边)所构成的传输线。微带线是由介质基片,接地平板和导体条带三部分组成。在微带线中,电磁能量主要是集中在介质基片中传播的如图2所示。77777777/777/777773. 6 趋肤效应趋肤效应-又叫集肤效应,当高频电流通过导体时,电流将集中在导体表面流通,这种现象叫趋肤效应。在高频下,电流仅在导体表面的一个薄层内传输。3. 7 耗散因数(介质损耗角)Dissipation factor损耗电流与充电电流的比值。耗散因数或
7、损耗角正切,tan 6 ,表示为/, 和 ”为介电常数真实和虚幻的部分(见介电常数),损耗角正切是一个参数,用来示意绝缘体或电介质在AC信号中吸收部分能量的趋向。3.8 介电常数 Permittivity自由空间与电介质内电磁传播波长的均方根之比;一般而言,材料的介电常数。,由实部和虚部构成;e的实部和虚部定义为e 和e。3.9 屏蔽罩 EMI shielding屏蔽罩是无线设备中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下:当在电磁发射源和需要保护的电路之间插入一高导电性金属时,该金属会反射和吸收部分辐射电场,反射与吸收的量取决于多种不同的因素,这些因素包括辐射的频率,波长,金属本身的导电率和渗透性,
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