2014就快过去了你知道你的SDRAM在哪里吗？它将会有什么变化？.docx

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1、2014就快过去了，你知道你的SDRAM在哪里吗？它将会有什么变化？Steve1eibson,赛灵思战略营销与业务规划总监上周在X-festSanJoSe大会上，我参加了四个技术座谈会，第一个就是关于存储器接口和FPGA的，尤其是XiIinX的U1traSCaIe系列FPGA。这次座谈会上有很多关于SDRAM的有价值的资料。BryanFIetCher是AVnet（安富利）的一名技术营销总监，他的演讲是从分析DDR3与DDR4SDRAM的动态市场占有率开始的，DDR3SDRAM目前是市场占有率的主体，也就是说DDR3SDRAM存储器的每比特成本要比其他SDRAM成本要低，性价比要高。这样的市场格

2、局不会一直持续下去，下面图片显示的是Gartner对于2018年之前的SDRAM市场份额占有形势的预测：DDRSDRAMMarketShare90%80%70%60%50%40%30%20%10%201320142015201620172018TDR2SDRAM*ODR3SDRAM*DDR4SDRAM0%SourceGartner(March2正如你所看到的，曾经的市场主体DDR2将走向没落，它的市场份额占有率将从10%下降到5%。这意味着将下降到很难再有销量的水平，市场主体DDR3SDRAM在下一年年初之前它的市场需求将是必不可少的，会呈现一种与DDR4SDRAM平分秋色的形势，但是之后DD

3、R3的市场占有率将会迅速减少，DDR4SDRAM将会成为市场的领导者。原因？为什么？我们可以从三个“P(单词首字母)”方面分析一一价格(PrieC)、性能(performance)、功耗(power)这些正是电子电气工程所关心的问题。F1etCher解释说DDR4SDRAM将会是在这三个方面都是最出色的。正如上面的图表显示，DDR4SDRAM将会占据大部分的市场份额，主要是靠PC市场销量的推动。市场占有率会推动产品的更新，同时反过来也会影响产品的价格。请注意SDRAM在FPGA市场的销售情况与PC机市场的形势如出一辙。而且DDR4SDRAM将会使用更先进的处理技术来生产，这意味着每个SDRAM

4、芯片的存储容量将会翻倍，根据F1etCher所说，在不久的将来这两个因素将会使DDR4每比特存储的成本降到最低，这是你开始你的下一个项目设计所需要考虑的一些方面。Vdd/VddgRAM存储阵列的核心操作电压，比DDR3降低了25%Vpp用于内部的充电，DDR4SDRAM采用外部驱动，这是芯片级的设计变动，允许更低的核心操作电压(1.2v)Vtt总线端点电压，是VCkI电压的一半，所以与DDR3相比也降低了25%这些改进了的低电压设计让DDR4成为低功耗高性能的SDRAM,下面的图表DDR3与DDR4相关信息的对比：SDDR3vs.DDR4:Vo1tageandPowerFeaturesDDR3

5、1DDR4DDR4ImprovementsVod/Vdoq1.5V1.35V1.2V25%reductiontoDDR3vrinterna1word-1inechargepumps2.5VMorecost-effectiveanda11ows1owerVDoZQVvwvooqsiksourceVooVdoqsink/source25%reductiontoDDR3VREFInputshVDOV00qDQandCAhVooZVDOQCAonIyVRfFDQisinterna1DQTerminationSST1Pseudo-OpenDrain(POD)Reducesterminationcurre

6、ntExamp1e:Power(IDD7)339mW(DDR31,30nm,4Gb,1866MTs)247mW(DDR4,30mz4Gb,1866MTs)27%1esspowerI最后就剩下性能没有介绍了，DDR4SDRAM将来能够达到最快3200MbitS/sec的数据交换速率，而DDR3SDRAM最快只有2133MbitS/sec。因此没有比较可言(注：Xi1inx基于20nm制作工艺的UItraSeaIe系列FPGA与DDR4之间的数据传输速率能够达到2400MbitS/see,仍然要比DDR3的传输速率要快)。.这次讨论会引导我们关注FPGA所使用的SDRAM存储芯片，尤其是Xi1in

7、xU1traSca1e系列的FPGA芯片。U1traSca1e系列的每个I/OBank已经扩展到了52bits,因此每个Bank能够支持四个全字节的通道，你需要三个Bank来至此64-bit的存储实现，因为它需要八个全字节的通道用于数据传输，还有一条地址和控制信号通道，如下图所示：KCU105MemoryInterfacePCBDesignAddrZCtrIKintexUItraScaIeXCKU040-2FFVA1156此外，在每个Bank的内部还有两个P11,所以你可以使用一个Bank来控制两个不同的存储Bank,如果有需求的话。位于UItaSCaIeFPGA内部的存储控制器是由MIG(M

8、emoryInterfaceGenerator)工具生成的，与Xi1inx以前的FPGA产品是相同的。DDR4SDRAM的容量信息已经被加入到MIG工具中，存储控制器的具体实现分为硬核模块包括PHY和在P1部分实现的模块，主要包括存储控制器和SDRAM校准模块，如下如所示：F1exib1eUserInterface1ow1atencyPHYInterface最后，FIetCher强调你需要注意印制电路板的布局布线，这将影响到DDR4的数据传输速率，这里我们给出了一些参考材料(U1traSCaIeArchitecturePCBDesignUserGuide(UG583),什么也比不上一张图片所能够说明的问题：AvnetX-fest系列会议正在北美地区举办，可能哪一边就会到你附近的城市，点击这里查看具体信息。欧洲之行会在十月份启动，点击这里产看日程和城市安排信息。要了解亚洲的日程安排信息，点击这里。?Copyright2014Xi1inxInc.