霍尔元件测磁场.docx
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1、霍尔元件测磁场作者:顾红石(山东大学,材料科学与工程学院,2014000150019)才商要:1了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识。2.学习用“霍尔效应法”测量磁场并绘制B-1图线。3霍尔元件的应用与当前发展状况。关键词:霍尔效应测量方法磁场分布应用引言:随着电子技术的发展,利用霍尔效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达IoGHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广阔的应用前景。本节学习用霍尔元件测量长直螺线管中轴向磁场分布【实验目的】(1) 掌握霍尔元件的工作特性。(2) 学习用霍尔效应
2、法测量磁场的原理和方法。(3) 学习用霍尔元件测量长直螺线管中轴向磁场分布。【实验仪器】霍尔测磁仪、双路输出稳压电源、电势差计、安培计、毫安计、滑线变阻器、导线等。【实验原理】1 .霍尔效应法测量磁场原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起的偏转。当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场Eho如图所示的半导体试样,若在X方向通以电流Is,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A、A电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。电场的指向取决于式样的导电类型。显然,霍尔电场EH是
3、阻止载流电子继续向侧面偏移,当载流电子所受的横向电场力eE洛伦兹力BVe相等时,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有Eh-Bve式中,EH为霍尔电场;V是载流电子在电流方向上的平均漂流速度。设试样的宽为b,厚度d,载流子浓度为n,则Is=nevbd式(1)、式(2)可得y=Fb=1bB=RbVHCHnedd即霍尔电压VH(AA、电极之间的电压)与B1S乘积成正比与试样厚度d成反比。比例系数.=1称为霍尔系数,它是反映材料的霍尔效应强弱的重要系数。霍尔元件就是利用上述霍尔效应制成的电磁转换元件,对于成品的霍尔器件,其RH和d已知,因此在实际应用中写成Vh=ShIsB其中,SH称为霍尔器件的灵敏
4、度,表示该器件在单位工作电流和单位磁感应强度下输出的霍尔电压。乙单位为毫安,B为特斯拉、乙为毫伏,则S的单位为mV/(mAT),在本实验中其值为:16.0mV/(mAT)o2 .霍尔电压V的测量方法在产生霍尔效应的同时,因伴随着各种副效应,以致实验测得的A、A,两极之间的电压并不等于真实的霍尔电压VH值,而是包含着各种副效应所引起的附加电压,因此必须设法消除。根据副效应产生的机理可知,采用电流和磁换向的对称测量法,基本上能把副效应的影响从测量中消除。即在规定了电流和磁场正、反方向后,分别测量由下列四组不同方向的SI和B组合的AA两点之间的电压VN2V3和V%即+k+B%+k-B%Zc-B%kB
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