先进封装厂关于Bump尺寸的管控.docx

《先进封装厂关于Bump尺寸的管控.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《先进封装厂关于Bump尺寸的管控.docx（2页珍藏版）》请在第一文库网上搜索。

1、BumpMetro1ogysystemBOKM000在半导体行业中，BumpRD1、TSV.Wafer合称先进封装的四要素，其中Bump起着界面互联和应力缓冲的作用。BUmP是一种金属凸点，从倒装焊FIiPChiP出现就开始普遍应用，Bump的形状有多种，常见的为球状和柱状，也有块状等其他形状，下图所示为各种类型的BumpoBump起着界面之间的电气互联和应力缓冲的作用，从Bondwire工艺发展到FIiPChiP工艺的过程中，BUmP起到了至关重要的作用。随着工艺技术的发展，Bump庙尺寸也变得越来越小,从最初StandardFIipChip的100um发展到现在最小的5umo伴随着工艺技术

2、的高速发展，对于BUmP的量测要求也不断提高，需要把控长宽尺寸，高度均匀性，亚纳米级粗糙度、三维形貌等指标。以粗糙度指标为例，电镀工艺后的Cu凸点表面粗糙并存在一定的高度差,所以键合前需要对其表面进行平坦化处理，如化学机械抛光(CMP),使得键合时Cu表面能够充分接触，实现原子扩散，由此可见把控BUmP表面粗糙度是必不可缺的过程。为了贴合工艺制程，积极响应客户BUmP计量需求，中图仪器以高精度、多功能合一等优势将自研量测设备推向众多半导体客户。BOKMOOO系统支持键合、减薄、翘曲和切割后的基板，可以为包括切割后、预键合、扇焊盘图案化、铜柱、凸块（BUmp）、硅通孔（TSV）和再分布层（RD1）在内的特征提供优异的量测能力。量测BUmP时的实时图像