YST1105-半导体封装用键合银丝.docx
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1、ICS77.150.99H68中华人民共和国有色金属行业标准YS/T1105XXXX代替YS/T1105-2016半导体封装用键合银丝Si1verbondingwireforsemiconductorpackageXXXX-XX-XX实施XXXX-xx-xx发布目次前言111范围12规范性引用文件13要求13.1 产品分类及标记13.2 化学成分23.3 尺寸及其允许偏差23.4 力学性能23.5 表面质量33.6 丝材应力33.7 绕丝要求33.8 放丝性能34试验方法35检验规则45.1 检查和验收45.2 组批45.3 检验项目45.4 取样45.5 检验结果的判定46标志、包装、运输和
2、贮存56.1 标志56.2 包装56.3 运输、贮存57质量证明书58订货单(或合同)内容6附录A(规范性)银丝表面质量检验方法7附录B(规范性)银丝放丝性能检测方法8附录C(规范性)银丝线轴规定9附录D(规范性)银丝的丝材应力检验方法9本文件按照GBT1.12O2O标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件代替YS/T11052016半导体封装用键合银丝,与YS/T1105-2016相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:a)更改了规范性引用文件,删除密度的测试方法,增加YSZT958银化学分析法银、物、铁、铅、锦、把、硒和确量的测定电感耦合等离子体原子发
3、射光谱法(见第2章,2016年版的第2章);b)增加了键合银丝CSI(Ag99.99)、合金银丝AS5(Ag88)的产品分类、化学成分、力学性能要求(见第3章);c)更改了银丝的产品标记表述形式(见3.1.2,2016年版的3.1.2);d)更改了银丝的化学成分(见3.2,2016年版的3.2);e)更改了银丝的长度及其允许偏差(见3.3.2,2016年版的3.3.2);f)更改了银丝的力学性能,删除质量和状态要求(见3.4,2016年版的3.4);g)删除了银丝的密度要求及试验方法(见2016年版的4.2);h)更改了银丝检验结果的判定(见5.5,2016年版的5.5);i)更改了附录C银丝
4、线轴规定(见附录C,2016年版的附录C)。请注意本文件的有些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国有色金属工业协会提出。本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAV/TC243)归口。本文件起草单位:烟台一诺电子材料有限公司、。本文件主要起草人:林良、。本文件所代替的历次版本发布情况:本文件于2016年首次发布,本次为第一次修订。半导体封装用键合银丝1范围本标准规定了半导体分立器件、集成电路、1ED封装用键合银丝(以下简称银丝)的要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存质量证明书、订货单(或合同)等内容。本文件适用于半导体封装用键合银丝。2规范性引用文件
5、下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅改日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T8750半导体封装用键合金丝GB/T10573有色金属细丝拉伸试验方法GB/T11067(所有部分)银化学分析方法YS/T958银化学分析法银、锌、铁、铅、锦、钿、硒和确量的测定电感耦合等离子体原子发射光谱法GB/T15072(所有部分)贵金属合金化学分析方法GB/T15077贵金属及其合金材料几何尺寸测量方法3要求3.1 产品分类及标记3.1.1 种类、型号和规格银丝按化学成分分为键合银丝、银合金丝两大类
6、。普通银丝2个型号,是Ag含量99%及以上的银丝,合金银丝可以根据合金元素及其含量不同分为Ag98、Ag97、Ag96、Ag95、Ag88等5个型号。银丝的种类、型号和直径应符合表1的规定。表1种类、型号和直径种类型号规格键合银丝CS1(Ag99.99)直径(mm):0.018,0.019,0.020,0.022,0.023,0.025,0.028,0.030,0.032,0.033,0.038,0.040,0.042,0.045,0.050,0.060,0.075CS2(Ag99)合金银丝AS1(Ag88)AS2(Ag92)AS3(Ag95)AS4(Ag97)AS5(Ag98)注:根据需方的
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