外层分析.docx
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1、季曾辍告舞孔: 若客户有map18,需碓Gerber中孔腐性典InaP18是否相符;mapNPTH而Gerber中外盾Pad比孔大畴,以D+20套作mapPTH而Gerber中外盾Pad比孔小或辗Pad畴,以A/R5mi1裂作若PTH孔外;Pad比孔小辗Pad或Pad不完整日寺,在g刻H寺篥液迤入孔内,铜曾被能刻掉,PTH孔燮卷NPTH孔,辗法迤行与通. 如客户;攵有;攵有mapm.即I自已判断是PTH逮是NpTH.然后给客户硅判断原即J:外Jg雨面Pad比孔大,-PTH外J任一面Pad比孔小或辗Pad-NPTHDri11辗法判断,可先判断;SNPTH特殊明客户5g孔的性.自行判断的dri11
2、map,必须客户凿爰方可裂作 viaho1e孔神慎:如上Sj:PAD到的距触min3mi1,宽不甫慎按norma115mi1三十算,A/Rnorma15mi1,即孑1祷倒值=2*(A-B)2+C-O.75-3-5).此算法中的数值只代表一般情见在除三十算畴,要j各教值迤行考量.-在保瞪A/R的前提下,要考孔崖能,尤其封於0.25之小1片1要儡量逗大.-在筐能不燮之前提下同J需考量A/R大小,儒量做到6mi1,以降低外眉孔偏幸艮JS,提昇良率.-同日寺要考是否赛孔,表面虑理,客户原稿等名言可解释 SMD(URFACEMOUNTINGDEVICE):表面贴装SMD中要下墨:因在焊接零件畴,SMD表
3、面受热熔化畲流勤,易形成SO1CICrBridge(槁),而造成短路,下墨部分彳so1derdam,像一彳固跟坝,阻止SoIderbridge形成.如下H1所示剖面18如下:SMD(SMD防焊Open)so1dermaskSMDso1derdamSMD故除非客户原稿卷整修窗,否即J必须SMD必须下墨.如因SK内制程能力曾定辗法裂作而需要整修窗,必须提5也罩,客户同意才可裂作 BGA(Ba11GridArray):球形矩阵BGAPad典PacI之也需下墨,原理同SMD下墨原理.BGA(BGAPAD防焊Open)工防焊油墨 COB(ChipOnBoard): SMD放大:因悬在触刻畤SMD曾被能刻
4、燮小,了得到客户所要求轮圉,必须WSMD迤行放大.如果不放大,客户在贴件畴曾尊致接徜不良.SMD放大依摩内制程能力考虑下墨)距及C1earance大小.C-min3(So1derdam)=防焊C1earance+外盾SMD不甫倒,依I内制程能力,不足3.5mi1一2畤依裂前内部流程军榷衡裂作常SMD距足多句畤,soIderdam=c-2(防焊CIearanCe+外JSMDtK)SMDBGACoB祷信一般比IIIJt捕信要大:如圈所示(剖面Ia)路有效部分卷横截面稹即中值,而SMDBGACOB等表面贴件焊然之有效面稹卷上幅,如H1所示,故SMDBGACOB之神SMD特殊加大:襟注出SMD宽度值及
5、加大值.如圄所示(剖面圄)要比名泉路衲d卷大放大:因路在曝光,影,他刻谩程中曾燮名田,卷逢到客户要求,要封宽迤行放大.宽放大奥基板纲箔厚度有附我佗摩内的一般神僭原期I是内盾工作片放大原期I:小于8mi1的ThinCore1/2ozA原稿+0.7mi1ThinCore1ozA原稿综.宽+1.5mi1ThinCore2ozA原稿宽+1.75mi1以上光黠加大:光孥黑占是客户上零件畤用来封位的.光孥黠在他刻彳发燮小,i位畤可能含有偏差,辗法精碓封位.故要封光黑占迤行放大.要注意的四黑占是:1 .BackGround要统一,即内Jg不可一半有铜一半罪铜,造成成品BACKGROUND一半透明一半黑色2
6、.在防焊Open的靶18内只要有光擘黑占旁遏不可以有其它任何柬西.3 .光学黑占一定要防焊OPCn4 .板内光擘黑占的有焦要依原稿,外盾防焊OPCnB寺只可能OPCn到光擘黑占不可OPen到其它柬西.测就Pad(测就用):浪情式Pad一般指孔的Pad.UPad如果太小,探咨十不易测到,造成浪困雅,故太小B寺要考感加大. BGAPad一般不允许刮,若BGAPad被刮小,贴件畤接斶含有不良. So1derDefine舆CopperDefine,以BGA例(SMD也有):So1derDefine:BGAPad在大纲面上,防焊OPEN多大,BGAPad就有多大.CopperDefinC的BGAPad:
7、外眉Pad多大,BGAPad就有多大,典防焊OPCn大小辗BS.如下圄,有缸色部分铜,色部分z防焊OooOoo上)中,防焊Pad大小相同,So1derDefine的BGAPad比CopperDefine的BGAPad大.保同一彳固零件的不同焊篮大小相同,硅保焊接效果,一般情况下,So1derDefine的SMD及BGAso1dermask鹰裂作同CoPPerDefine一檬大小. NP在大纲面上或大Pad上:需套附若不套附曾典纲面醇通.NP孔允舆GND簿醇通,决不允舆POWER盾醇通. SMD近成型暗至少6Ii1但以下圈(1)舆圈(2)所示情况,需舆客户迤行碓三忍(若依原稿制作曾有露铜现象).
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