酸性氯化铜蚀刻液的管理.docx
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1、酸性氯化铜蚀刻液的管理、蚀刻液的控制:酸性氯化铜蚀刻液的管理重点要维护和保持蚀刻液的恒定的蚀刻速率,减少对精细导线侧壁的浸蚀而造成严重的侧蚀现象。为此,要特别控制以下几个方面:1)保持二价铜离子与一价铜离子的比例。这个参数非常重要,因为在蚀刻过程中随着铜的蚀刻就会产生一价铜离子,当在120克/升Ci?+的溶液中,一价铜离子浓度在4克,升时就会显著地降低蚀刻速率。但一价铜离子浓度低于2克/升时,必须尽可能快地使其再生重新氧化成二价铜离子,才能保持恒定的比例关系,确保蚀刻速率稳定。如何进行控制蚀刻液中的一价铜离子浓度呢?众所周知,蚀刻铜的过程实际上是一个氧化一还原过程,随着蚀刻的进行,一价铜离子不
2、断增加,其氧化一还原电位也发生变化。根据奈恩斯特方程:0.059 10g Gj2+ EMo+R cu】:Eo-标准电极电位(毫伏)n-反应过程中的得失电子数Cu2+-是二价铜离子浓度Cu1+-是一价铜离子浓度从上述方程式可以看出,氧化还原电位E与产一的比值有关。如下图所示表明溶液中一I I价铜离子浓度与氧化一还原电位之间的相互关系。(mV)电极电位溶液中一价铜离子浓度与氧化一还原电位之间的关系从图所示,随着溶液中一价铜离子浓度的不断增加,氧化一还原电位在不断的下降,当氧化一还原电位在530毫伏时,一价铜离子浓度低于0.4克/升,这时的蚀刻速率高而恒定,应是最为理想的工艺参数。所以,酸性氯化铜蚀
3、刻液的管理重点就是要控制蚀刻液的氧化一还原电位来达到控制一价铜离子浓度。通常在生产过程中,控制氧化一还原电位在510-550毫伏左右。根据溶液氧化一还原电位与蚀刻速率的关系曲线图,可以清楚地看出应该控制的工艺参数的范围。0.47溶液氧化一还原电位(0RP)与蚀刻速率的关系2)工艺参数的控制:工艺参数对酸性氯化铜蚀刻液来说是很重要的工艺数据。根据多年的实践,要控制蚀刻液的蚀刻速率及其工艺条件,就必须了解蚀刻的全过程。众所周知,在蚀刻过程中,蚀刻液不仅浸蚀着垂直方向的导体铜,而且同时浸蚀水平方向的导体铜。因此蚀刻后的导线之截面呈不规则四边形,根部宽顶端窄。这种现象可使用蚀刻系数的高低来衡量其侧蚀量
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