《模拟电子技术》 余娟 思考与练习题答案.docx
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1、模拟电子技术教材思考与练习答案第1章思考与练习答案一、填空题(1)单向导电,正偏,导通,接通,反偏,截止,断开(2)+N-(3)硅,错,硅,错CC(4)NPN,PNP,E,E(5)基,集电,电流(6)截止,放大,饱和(7)正,反,,UcUbUe,UeUbUc(8)饱和,0.7,0.3,截止(9)饱和,截止(IO)izgs,漏,电压二、单项选择题(1)C(2)C(3)B(4)A(5)A(6)D(7)B(8)A(9)A(10)C三、判断题(1)(2)X(3)(4)X(5)(6)X四、综合分析题(1)R=1100.033(2)先假设晶体管工作在放大状态,=节段1mA,c=7b=IOOmA,UCE=I
2、2-IoOmX4kVUbe,故晶体管工作在饱和状态。第2章思考与练习答案一、填空题(1)共射,共集(2)静态,静态工作点,动态(3)大,相反(4)略小于二、单项选择题(1)B(2)C(3)A(4)D(5)A(6)C(7)D(8)B(9)B,D(10)D(11)C(12)B三、判断题(1)(2)(3)(4)X(5)X四、综合分析题(1)电路1:无放大作用,因为静态时晶体管工作在截止状态。电路2:无放大作用,因为动态时电容G短路,输出信号无法加到负载上。电路3:无放大作用,因为动态时直流电源+%c对地短路,使得集电极对地短路,输出信号无法加到负载上。电路4:无放大作用,因为动态时直流电源+/b对地
3、短路,输入信号无法加到发射结上。(2)_RbIX%cBRb1Rb210k12V=4V(20+10)k(4-0.7)V-2k1.65mAUceVcc-Ic(Rc+Re)=12V-1.65mA(2+2)k=5.4VbeIOO(2k2k)5eRi=Rb1Rb2beRo=Rc=2k1876,e=1876-5326(mV)26(mV)300+-r;-=300+100-=1876c(mA)1.65(mA)第3章思考与练习答案一、填空题(1)直接,抑制零点漂移U_o_I-A8-oWo(2) m*Ii,u0=Aod(u+-u,)(3) ,0,8(4)大,8(5)线性(放大),非线性(饱和)负,u+=u,f+=
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