行业标准-《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》-预审稿.docx
《行业标准-《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》-预审稿.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《行业标准-《碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法》-预审稿.docx(9页珍藏版)》请在第一文库网上搜索。
1、ICS 77.120.99CCS H 17中华人民共和国有色金属行业标准YS/T xxxx202x碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法Determination of trace impurity elements in silicon carbide single crystalglow discharge mass spectrometry(预审稿)202X-X X-X X 发布202X-X X-X X 实施中华人民共和国工业和信息化部 发布本文件按照GB/T1.1-2020标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件
2、的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC 243)提出并归口。本文件负责起草单位:国标(北京)检验认证有限公司本文件参加起草单位:本文件主要起草人:9碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定辉光放电质谱法警示一使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验。本文件并未指出所有可能的安全问题。使用者有责任采取适当的安全和健康措施,并保证符合国家有关法规规定的条件。1 .范围本文件规定了碳化硅单晶中杂质元素含量的测定方法,测定元素见表lo本文件适用于碳化硅单晶中杂质元素含量的测定。各元素测定范围见表lo表1测定范围元素测定范围/Mg/g元素测定范围/Rg/g元素测
3、定范围幽元素测定范围/g/g元素测定范围/g/gLi0.001-50Ti0.001-50Sr0.005-50Cs0.001-50Lu0.001 50Be0.001-50V0.001-50Y0.001-50Ba0.001-50Hf0.001-50BO.(X)15()Cr0.001-5()Zr0.001-5()La0.001-5()Ta0.(X)l50C基体Mn0.001-50Nb0.005-50Ce0.001-50w0.001-50F0.05-50Fe0.001-50Mo0.001-50Pr0.001-50Re0.001 50Na0.005-50Co0.001 50Ru0.001-50Nd0.0
4、01-50Os0.001 50Mg0.005-50Ni0.001-50Rh0.001-50Sm0.001-50Ir0.001-50AlO.(X)55()Cu0.001-5()Pd0.001-5()Eu0.001-5()Pt0.(X)l50Si基体Zn0.001-50Ag0.001-50Gd0.001-50Au0.001-50p0.005-50Ga0.005-50Cd0.001-50Tb0.001-50Hg0.001 50s0.05-50Ge0.00550In0.001-50Dy0.001-50Tl0.001 50K0.05-50As0.005-50Sn0.001-50Ho0.001-50Pb0
5、.001-50Cl0.05 50Br0.05-50Sb0.001-5()Er0.001-5()Bi0.(X)l50Ca0.005-50Se0.05-50I0.001-50Tm0.001-50Th0.001-50ScO.(X)15()Rb0.001-5()Te0.001-5()Yb0.001-5()U0.(X)l502 .规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 6682分析实验室用水规格和试验方法GB/T 8170数值修约规则与极
6、限数值的表示和判定GB/T 14264半导体材料术语3 .术语和定义GB/T 14264半导体材料术语界定的术语和定义适用于本文件。4 . 1 标准样品 standard sample有证或具有溯源性的标准样品,用于测定获得待测元素的相对灵敏度因子。5 . 2 仪器检测器校正样品 detector calibration sample能使辉光放电质谱仪产生同时位于不同检测器线性动态范围内的稳定信号。6 .3仪器质量数校正样品mass calibration sample对辉光放电质谱仪进行精确质量数校正,确定质量峰位置。3. 4 ICE Ion Counting Efficiency离子计数效
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光放电质谱法 行业标准-碳化硅单晶中痕量杂质元素含量的测定 辉光