海思HAST 测试技术规范V12.docx
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1、HAST(High1yAcce1eratedTemperatureandHumidityStressTeSt)测试技术规范V12拟制:审核:批准:日期:2023-6-12历史版本记录版本时间起草/修改人内容描述审核人批准人V1.02023-6-12首次发布V112023-12-071、第3章标题勘误2、“适用范围”和2.2节“电压拉偏”区分UHAST和bHASTV1.22023-04-142.2电压拉偏,输入输出管脚的处理方式刷新适用范围:该试验检查芯片长期贮存条件下,高温和时间对器件的影响。木规范适用于量产芯片验证测试阶段的HAST测试需求,仅针对非密封封装(塑料封装),带偏置(bHAST)
2、和不带偏置QHAST)的测试。简介:该试验通过温度、湿度、大气压力加速条件,评估非密封封装器件在上电状态下,在高温、高压、潮湿环境中的可靠性。它采用了严格的温度,湿度,大气压、电压条件,该条件会加速水分渗透到材料内部与金属导体之间的电化学反应。引用文件:下列文件中的条款通过本规范的引用而成为本规范的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本规范,然而,鼓励根据本规范达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件,其最新版本适用于本规范。序号参考标准说明1JESD22-A110EHAST测试标准2JESD47I可靠性总体标准31
3、. HAST测试流程2.3. HAST测试条件3.1 温度、湿度、气压、测试时间HAST试验条件如下表所示:Temperature1drybu1bICIRe1ativeHumidity1I%ITemperature2wctbu1b,CVaporPressure2kPa(psia)!Duration5hmrs1302855124.723()(333)96+2/-01102855105.2122(17.7)264+2/-0通常选择HAST-96,即:130C,85%RH、230KPa大气压,96hour测试时间。测试过程中,建议调试阶段监控芯片壳温、功耗数据推算芯片结温,要保证结温不能过高,并在测
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