如何解决主要的 ALD 和 ALE 半导体工艺挑战.docx
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1、如何解决主要的ALD和ALE半导体工艺挑战在高精密的半导体制造领域,一些重要的流体系统组件质量是成本门槛。例如,在原子层沉积(ALD)和原子层蚀刻(ALE)工艺中,一随着工艺节点变得越来越小而日益难以维持一,系统中使用的任何组件均应具有超高的洁净度。由于生产工艺流体系统中使用的很多气体可能具有危险性,密封性能同样是必不可少的。此类情况似乎表明,半导体领域的阀门、接头和其他关键流体系统组件已经变得有些商品化。既然所有组件都必须提供这些基本特征,那么可以预期其最终使用性能水平能保持相对相同一,是这样吗?不一定。适合ALD半导体工艺的超高纯阀并非均能产生相同的效果,某些先进特性可能帮助制造商克服一些
2、紧迫的挑战。下面,我们将研究半导体制造商面临的三大挑战,以及合适的ALD工艺阀和其他流体系统组件如何帮助您更自信地应对和克服这些挑战。#1.处理不稳定的化学品如上所述,ALD和ALE生产工艺中常见的许多前驱体气体通常不稳定且危险。尽管密封性对于阀门性能至关重要,但其他特性同样是不可或缺的。例如,为了更有效地管理前驱体并探讨使用新的前驱体,您可能需要使工艺阀承受各种不同的压力和温度,追求一致的、可重复的气体状态流动。这意味着阀门必须在大范围的系统压力和高达200的温度下可靠的工作。此外,ALD阀和ALE阀必须在与初始化学品剂量相同的精确参数内执行吹扫工艺。原子层沉积过程由A、B两个半反应和两次吹
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