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1、传感器与检测技术试题(A)一、名词解释(每题4分)1、电涡流效应2、霍尔效应3、光电效应4、光纤的色散5、应变计的温度效应二、填空(每空1分)】、热电阻传感器可分为一金属热电阻式和一半导体热电阻式一两大类,前者简称热电阻_,后者简称一热敏电阻2、基于场的定律的传感器称为一结构型.,基于物质定律的传感器称为一物性型一03、传感器动态标定使用的标准激励信号分为两类:正弦和邛介跃_4、半导体材料的应变电阻效应主要基于一压阻效应。5、无外磁场时,霍尔元件在额定控制电流下,两霍尔电极之间的开路电势称为不等位电6、逆压电效应又叫电致伸缩。6于该效应的发生器和一发生器分别是超声检测和声表面波检测技术及仪器的
2、关键器件。7、压电陶瓷除了具有压电性,还具有一热释电效应_,因此它可制作热电传感器件而用于红外探测器中。8、光纤的最初研究是应用于通讯领域。9、将一灵敏度为0.08mVC的热电偶与电压表相连接,电压表接线端为25,若电压表读数为30mV,热电偶的热端温度为。10、脉冲回波法测厚,己知超声波在工件中的声速5000ms,测得时间间隔为18s,工件厚度为5000*9*10-6=0.045m。11、编码器按结构形式有一直线式一编码器和旋转式一编码器。12、热电偶传感器的工作基础是,其产生的热电势包括电势和电势两部分。热电偶的一连接导体一定律是工业上运用补偿导线法进行温度补偿的理论基础;_中间温度一定律
3、为制定分度表奠定了理论基础;参考电极一定律简化了热电偶的选配工作。电涡流传感器的线圈与被测物体的距离减少时,互感系数M将o利用电涡流位移传感器测量转速时,被测轴齿盘的材料必须是一导磁体.利用电磁感应原理将被测非电量如位移、压力、流量等转换成线圈或互感量的变化,这种装置称为电感式传感器。1.(A)传感器属于无源型传感器。A.压电式B.霍尔式C.电感式D.电容式在尘埃、油污、温度变化较大,并伴有振动等干扰的恶劣环境下测量时,传感器的选用必须首先考虑(C)因素。A.响应特性B.灵敏度C.稳定性D.精确度3、电桥测量电路的作用是把传感器的参数变化为(C)的输出。A.电阻B.电容C.电压D.电荷4、半导
4、体应变片具有(A)等优点。A.灵敏度高B.温度稳定性好C.参数一致性高D.接口电路简单5当半导体材料某一轴向受外力作用时,其电阻率发生变化的现象,称(B)A.光电效应B.压阻效应C.压电效应D.霍尔效导体或半导体材料在外界力的作用下产生机械变形时,其电阻值发生相应变化的现象,称(A)A.应变效应B.光电效应C.压电效应D.霍尔效应差动变压器式传感器可测出微小位移,如想分辨出位移的方向,则应在电路中加(C)电路。A.调频电路B.放大电路C.相敏检波电路D.交流电桥电感式和电容式传感器采用差动连接的目的是(DA.改善回程误差B.提高固有频率C.提高精度D.提高灵敏度2:电容传感器做成差动式之后,灵
5、敏度(1),而且非线性误差(2)。(B)A.1提高,2增大B.1提高,2减小C.1降低,2增大D.1降低,2减小3:变极距型电容传感器,初始极距(1),传感器灵敏度(2).(D)A.1增大,2不变B.I减小,2不变C.1减小,2减小D.1减小,2增大1:压电式加速度传感器是()传感器。A.结构型B.适于测量直流信号的C.适于测量缓变信号的D.适于测量动态信号的2:沿石英晶体的光轴Z的方向施加作用力,(A)00A.晶体不产生压电效应B.在晶体的电轴X方向产生电荷C.在晶体的机械轴Y方向产生电荷D.在晶体的光轴Z方向产生电荷3:在电介质极化方向施加电场,电介质产生变形的现象称为(A)。A.正压电效
6、应B.逆压电效应C.横向压电效应D.纵向压电效应4:天然石英晶体与压电陶瓷比,石英晶体压电常数(1),压电陶瓷的稳定性(2)o(C)A.1高,2差B.1高,2好C.1低,2差D.1低,2好导致霍尔元件产生不等位电势的原因有多种,以下论述中,(D)不是产生不等位电势的原因。A.霍尔电极安装位置不对称或不在同一等电位面上B.半导体材料不均匀C.环境温度发生变化D.激励电极接触不良己知磁电式传感器的线圈运动时产生的磁场方向和原工作磁场方向相反,则随着线圈运动速度的增大,(1)了工作磁场的作用,传感器的灵敏度因此而(2)(A)A.1增强,2增大B.1增强,2减小C.1减弱,2增大D.1减弱,2减小1、
7、光敏电阻受到一定波长范围的光照时,阻值(亮电阻)急剧(1),电路中电流迅速(2)o()。A.1增大,2减小B.1增大,2增大C.1减小,2增大D.1减小,2减小2、在下列光电器件中,属于外光电效应的器件是(A)。A.光电管B.光敏电阻C.光敏二极管D.光电池在下列光电器件中,属于光电导效应的器件是(D)A.光电倍增管B.光电管C.光电池D.光敏晶体管在精度要求不高的场合和测温范围较少时,普遍使用(B)金属热电阻A.银电阻B.铜电阻C.柏电阻D.锌电阻两种不同材料的导体A、B接触时产生接触电势eAB(T),当导体电子浓度NANB时,有(D)oA.接触电势不存在B.接触电势eab(T)=OC.接触
8、电势eAB(T)0D.接触电势eAB(T)04、形成热电势的两个必要条件是(D)。A.两种导体的材料相同,B.两种导体的材料相同,C.两种导体的材料不同,D.两种导体的材料不同,两接点处的温度相同两接点处的温度不同两接点处的温度相同两接点处的温度不同光在半导体中传播时,波长短的光子衰减(1),穿透深度较(2)。(B)A.1快,2深B.1快,2浅C.1慢,2深D.1慢,2浅三、简答(每题5分)1、请写出“传感器”的国标定义、狭义定义和广义定义。2、请列表对比CMOS和CCD摄像器件。3、请画图简述电容式传感器使用的驱动电缆法。4、请画图简述超声波测流量的原理,并比较所涉及的三种方法的精度。5、简
9、述灵敏度与分辨力的区别。四、计算(每题6分)1、某温度传感器特性方程为20dydt+5y=0.15x,其中y为输出电压(mV),X为输入温度(0C),求该传感器的时间常数和静态灵敏度匕aI/a0=4;b0/a0=0.032、今有两加速度传感器均可作为二阶系统来处理,其中一只固有频率为25kHz,另一只为35kHz,阻尼比均为0.3。若欲测量频率为IOkHZ的正弦振动加速度,应选用哪一只?请计算测量时将带来多大的振幅误差和相位误差。看作业题3、有一阶跃光纤,已知m=1.46,112=1.46,外部介质为空气,o=U请计算光纤的数值孔径和最大入射角。?题目错了4、己知惯性式磁电速度传感器的相对阻尼系数J=1/点,传感器-3dB的下限频率为16Hz,请计算传感器的自振频率值。用公式?5、某电容式液位传感器由直径为40mm和8mm的两个同心圆柱体组成。储存灌也是圆柱形,直径为50cm,高为1.2m,已知真空介电常数,%=8857m,被储存液体的相对介电常数r=2.10计算传感器的最小电容和最大电容以及当用在储存灌内传感器的灵敏度(pF1)0PPt上有公式,己经抄下来了