半导体抛光技术及抛光液.docx
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1、半导体抛光技术及抛光液目录1 .抛光技术12 .蓝宝石研磨液23 .蓝宝石抛光液24 .研磨液和抛光液在半导体中的应用35 .盘点几个比较关键的半导体抛光液采购注意事项51 .抛光技术最初的半导体基片(衬底片)抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化错抛光等,但是得到的晶片表面损伤是及其严重的。直到60年代末,一种新的抛光技术化学机械抛光技术(CMPChemiCa1Mechanica1POIiShing)取代了旧的方法。CMP技术综合了化学和机械抛光的优势:单纯的化学抛光,抛光速率较快,表面光洁度高,损伤低,完美性好,但表面平整度和平行度差,抛光后表面一致性差;单纯的机械抛光表面一致性好,表面平整度
2、高,但表面光洁度差,损伤层深。化学机械抛光可以获得较为完美的表面,又可以得到较高的抛光速率,得到的平整度比其他方法高两个数量级,是目前能够实现全局平面化的唯一有效方法。依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等,对硅单晶片化学机械抛光(CMP)机理、动力学控制过程和影响因素研究标明,化学机械抛光是一个复杂的多相反应,它存在着两个动力学过程:(1)抛光首先使吸附在抛光布上的抛光液中的氧化剂、催化剂等与衬底片表面的硅原子在表面进行氧化还原的动力学过程。这是化学反应的主体。(2)抛光表面反应物脱离硅单晶表面,即解吸过程使未反应的硅单晶重新裸露出
3、来的动力学过程。它是控制抛光速率的另一个重要过程。硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程,要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用,则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用,则表面产生高损伤层。2 .蓝宝石研磨液蓝宝石研磨液(又称为蓝宝石抛光液)是用于在蓝宝石衬底的研磨和减薄的研磨液。蓝宝石研磨液由优质聚晶金刚石微粉、复合分散剂和分散介质组成。蓝宝石研磨液利用聚晶金刚石的特性,在研磨抛光过程中保持高切削效率的同时不易对工件产生划伤。可以应用在蓝宝石衬底的研磨和减薄、光学晶体、硬质玻
4、璃和晶体、超硬陶瓷和合金、磁头、硬盘、芯片等领域的研磨和抛光。蓝宝石研磨液在蓝宝石衬底方面的应用:1外延片生产前衬底的双面研磨:多用蓝宝石研磨液研磨一道或多道,根据最终蓝宝石衬底研磨要求用6m、3r1m不等。2 .1ED芯片背面减薄为解决蓝宝石的散热问题,需要将蓝宝石衬底的厚度减薄,从450nm左右减至Ic)OrIm左右。主要有两步:先在横向减薄机上,用50-70Um的砂轮研磨磨去300Um左右的厚度;再用抛光机(秀和、NTS、WEC等)针对不同的研磨盘(锡/铜盘),采用合适的蓝宝石研磨液(水/油性)对芯片背面抛光,从150nm减至IOOnm左右。3 .蓝宝石抛光液半导体抛光液是超细固体研磨材
5、料和化学添加剂的混合物,为均匀分散乳白色胶体,起到研磨、腐蚀溶解等作用,主要原料包括研磨颗粒、PH调节剂、氧化剂和分散剂等,是抛光材料主要组成,对加工质量影响重大。根据抛光对象不同,抛光液可分为铜抛光液、铝抛光液、硅抛光液和钻抛光液等类别。其中,铜抛光液和鸨抛光液主要用于逻辑芯片和存储芯片制造过程。目前可选的国内半导体抛光液主要是安集科技,产品包括CMP抛光液、清洗液等,先后完成铜及铜阻挡层系列、鸨抛光液、硅抛光液、氧化物抛光液等。蓝宝石抛光液是以高纯度硅粉为原料,经特殊工艺生产的一种高纯度低金属离子型抛光产品。蓝宝石抛光液主要用于蓝宝石衬底的抛光。还可广泛用于多种材料纳米级的高平坦化抛光,如
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