GZ007 新材料智能生产与检测赛项模块二题库表1 单选题试题2023年全国职业院校技能大赛赛项试题.docx

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1、理论机考模块题库赛项名称新材料智能生产与检测英语名称Inte11igentproductionandtestingofnewmateria1s赛项编号GZ007归属产业新材料商职组团学生组口教师组口师生同奏试点赛项题目类型E1单选题多选题口是非题总数单选多选是非1015452144419题目内容题目选项题目答案难度系数硅片制备主要工艺流程是（）。A、单晶生长一整形一切片一晶片研磨及磨边蚀刻一抛光一硅片检测一打包B、单晶生长T切片一整形一晶片研磨及磨边一蚀刻一抛光一硅片检测一打包C、单晶生长一整形一切片一蚀刻一晶片研磨及磨边一抛光一硅片检测一打包D、单晶生长一整形一切片一晶片研磨及磨边一抛光一蚀

2、刻一硅片检测一打包中半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电阻率（）。A、越高B、不确定C、越低D、不变易在我国通常称为工业硅或冶金级硅含量在（）以上。A、90%B、92%C、95%D、97%易当晶体生长的较快，内增烟中杂质量变少，晶体的电阻率（）OA、上升B、下降C、不变D、不确定易在本征半导体Si和Ge中掺入少量的五价原子（如P、AS）时,就形成n型半导体.这种接入后多余的电子的能级在禁带中紧靠（）处。A、空带B、满带C、价带易D、导带通常用（）来提纯工业级Si生产多晶硅。A、C12B、SiHC1sC、HC1D、SiC11易单晶硅与多晶硅的根本区别是

3、（）OA、纯度B、原子排列方式C、导电能力D、原子结构易对于大注入下的直接复合，非平衡栽流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比B、平衡载流子浓度成正比C、非平衡载流子浓度成反比D、平衡载流子浓度成反比中固相晶化是指非晶硅薄膜在一定的保护气中，在（）摄氏度以上进行常规热处理。A、300B、400C、500D、600易下列铸造多晶硅的制备方法中，（）没有出烟的消耗，降低了成本，同时又可减少杂质污染长度。A、布里曼法B、热交换法C、电磁铸锭法D、浇铸法易那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）。A、分凝B,蒸发C、卅娟污染D、损坏易下面哪个不是硅片的清洗方法（）。A、化学

4、清洗法B、超声清洗法C、真空高温清洗法D、清水清洗法易下列说法错误的是（）。A、调整晶体生长的热系统，便热场的径向温度梯度增大B、调节拉晶的运行参数，例如对于凸向熔体的界面加快拉速，增加其凝固速度增加利用结晶潜热使界面趋于平坦C、调整晶体或者用将的转速，调整高温液流的增减D、增大培埸内径与晶体直径的比值易正常凝固是最宽熔区的区域提纯，在进行第一次熔化过后，能不能进入第二次提纯这个阶段（）。A、能B、不能C、不确定D、有时可以，有时不可以易在晶体凝固过程中，存在温度梯度的是（）A、上部和边缘部分B,中部和边缘部分C、上部和底部D、底部和边缘部分易下列说法中，不正确的是（）。A、SiO?是酸性箪,

5、化物，但不与水反应B、泡花碱属于盐类C、明矶和漂白粉均可用于自来水的杀菌、消毒D、玻璃和陶瓷都属于传统硅酸盐材易下列关于硅的说法中，不正确的是（）。A、硅是非金属元素,晶体硅是灰黑色有金属光泽的固体B、硅的导电性能介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体C、硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应D、加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应易有些科学家提出硅是“21世纪的能源”，这主要是由于作为半导体材料的硅在太阳能发电过程中具有重要的作用。下列关于硅的说法不正确的是（）。A、高纯度的单质硅被广泛用于制作计算机芯片B、硅可由二氧化硅还原制得C、低温时硅与水、空气、盐酸、硝酸、硫酸不反应，但

6、能与氢氟酸反应D、自然界硅元素的贮量丰富，并存在大量的单质硅易将足量CG气体通入水玻璃（N&Si（K溶液）中，然后加热蒸干，再在高温下充分灼烧，最后得到的固体物质是（）oA、Na2SiOsB、Na2COhNa2SiO3C、Na2C0i,SiO2D、SiO2易现有物质：氢氟酸浓HSO,烧碱溶液Na0a固体氧化钙浓HNoJ其中在一定条件下能与SiO?反应的有（）。A、B、全部C、()D、中化学家Seide1指出Si与NaOH溶液的反应，首先是Si与0H一反应，生成SiO,然后SiO迅速水解生成HBiO,下列有关说法正确的是（）A、原硅酸钠（NaiSiO,）能迅速水解，溶液呈碱性，故Na1SiO1为

7、弱电解质B、石英玻隰、普通玻璃、陶瓷及水泥均属于中硅酸盐产品C、2UC1+Na2SiQ1=H2SiOjI+2NaCh说明C1的非金属性大于SiD、半导体工业所说的“从沙滩到用户”是指：将二氧化硅制成晶体硅断裂伸长率是试样断裂时标线间距离的增加量与（）之比，以百分率表示。A、试样全长度B、初始标距C、平行部分长度D、试样断裂时长度中环境应力开裂实验的环境介质的温度是（）。A、50+0.51B、2000.IeCC、1900.IeCD、10+0.5C易采用不同方法制得不同尺寸的试样进行性能测试，结果会不同。这种现象称为（）。A、环境效应B、尺寸效应C、方法效应D、体积效应中若测定结果为1.0650,

8、现需保留三位有效数字，下列数据处理正确的是（）。A、1.06B、1.060C、1.10D、1.07中按我国标准要求，塑料试样状态调节的处理时间为（）。A、不少于68hB、不少于78hC、不少于88hD、不少于96h易测定热变形温度时的升温速率要求为（）。A、50ChIk100ChC、120oChD、150Ch易用简支梁冲击试验机测试带缺口试样的冲击强度时，试样应（）放置。A、缺口正对摆锤刀口B、缺口背对摆锤刀口C、缺口侧面正对摆锤刀口D、没有要求中在冲击试验过程中有以下几种能量消耗，其中特别是对消耗冲击能量小的脆性材料需要进行修的选项是（）。A、使试样发生弹性和塑性形变所需的能量B,使试样产生

9、裂纹和裂纹扩展断裂所需的能量C、试样断裂后飞出所需的能量D、摆锤运动时，试验机固有的能量损失如空气阻尼、机械振动、指针回转的摩擦等中根据国家标准规定，简支梁冲击试验应根据试样破坏时所需的能量选择摆锤，并使消耗的能量在摆锤总能量的（）范围内。A、10%85%B、10%80%Cs10%75%D、10%90%中塑料邵氏硬度试验分邵氏-A、邵氏-D两种，邵氏-A适用于测定（）。A、通用塑料B、软质塑料C、硬质塑料D、工程塑料中测试邵氏硬度时，GB/T2411-2008规定试样的厚度规定不小于（）。A、ImmB、3mmC,4mmD、5nm中测试邵氏硬度时，测定点与试样边缘的距离不小于（）o各测定点之间的

10、距离不小于（）nunoA、9,6B、8,6C、9,10D、10,6中弯曲试验时，试样的厚度小于（）时不作弯曲试验。A、1B、2mmC、3mmD、4mm中根据国家标准塑料弯曲性能试验方法，弯曲试验时规定挠度是试样厚度的（）时的挠度。A、1倍B、12倍C、15倍D、18倍中根据国家标准塑料弯曲性能试验方法，三点式弯曲试验时跨度与厚度比可以选择（）A,14B,16C、18D、12中弯曲试验时，将试样横跨在两个支座上，在弯曲负荷作用下，试样（）。,上半部分受压，下半部分受压B、上半部分受拉，下半部分受拉C、上半部分受拉，下半部分受压D、上半部分受压，下半部分受拉中测定塑料材料电阻率常用的方法是（）OA

11、、高阻计法和直接法B、检流计法和直接法C、直接法和比较法D、比较法和惠斯登电桥法易在测量塑料吸水性的试验方法中，试样首先应在（）的烘箱内干燥24h,然后在干燥器内冷却至室温。A、50+2oCB、60+2C中C、70+2CD、80+2oC垂直法燃烧实验点燃试样的时间是（）。A、5SB、IOSC、30SD、20S易反映高分子材料高速载荷下而致破坏能力的指标为（）。A、硬度B、拉伸强度C、冲击强度D、断裂伸长率中在应力-应变曲线上，应力不随应变增加的初始点称为（）。A、断裂应力B、应力点Cs屈服点D、强度值中测量密度的恒温水浴的温度是（）。A、500.1B、250.1C、200.I0CD、230.r

12、中平行材料中电流方向的电位梯度与电流密度之比称为（）.A、表面电阻率B、平行电阻率C、体积电阻率D、梯度电阻率中GB/T2918-1998规定的标准状态调节条件为（）。A、温度23t、相对湿度50%、气压86106kPaB、温度25t、相对湿度50%、气压86106kPaC、温度23T、相对湿度70%、气压86106MPaD、温度23、相对湿度50%、气压90103MPa中塑料弯曲性能测试采用三点式弯曲试验法，在测试中一般跨厚比为（）。A、10+1B、16+1C、15+1D、12+1易下面（）仪器用来测定塑料的力学性能。A、比重计B、转矩流变仪C、球压痕硬度计D、高阻计易国际标准代号、国家标准

13、代号、推荐性国家标准代号、企业标准代号按顺序表示正确的是（）。GBGB/TISoQ/XX；a、XX3)B、c、(DD、()中靠指数法测定材料燃烧性能测试方法，通过燃烧简的气源是（）。A、氧气B,增氮的空气C、增策,的空气D、工业用氮氮混合气体易进行塑料力学性能标准测试时，试样的预处理和试验环境按（）标准选用。A、GB/T2918-1998B、GB/T2888-1988C、GB/T2411-2008D、GB/T9688-1988中塑料产品的样品一般保留（）个月。A、6B、1C、2D、10易测试聚乙烯熔指时的试验温度为（）。A、180B、190oC易C、200oCD、210C塑料熔体流动速率的单位是（）。A、 PaSB、 g/IOminC、 KJ/M2D、MPa易缺口试样在冲击负荷作用下，试样破坏时吸收的冲击能量与试样原始横截面积之比就称为缺口冲击强度，单位为（）。A、mB、KJ/M2C、g/minD、s中不断提高分析测试结果的（），这是发展各种分析测试技术的共性问题、核心问题。A、准确度B、精密度C、灵敏度D、检测下限中若对被测样品了解甚少