涂胶机设备单机试运转及验收范例.docx
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1、涂胶机设备单机试运转及睑收范例E.2.1试运转前应检查下列项目,并应在符合要求后进行单机试运转:1环境温度应为233,相对湿度应为30%70%,洁净度等级应不低于ISO7级,室内灯光应为黄色;2电源供电电压允许偏差应为额定电压(380V)的10%,电源频率偏差允许应为标准频率(50HZ)的2版3压缩空气进气压力应为(0.50.7)MPa,进气流量不小于5001min;4氮气供气压力应为(0.304)MPa;5排气通道应通畅,管道直径应不小于IOmrn;6接地引出端应与厂房接地系统稳固连接,接地电阻小于4C。E.2.2验收项目应符合下列要求:1压缩空气气源接口应能承受不小于0.7MPa的气源压力
2、;2氮气气源接口应能承受不小于0.5MPa的气源压力;3自动状态下设备能进行晶片涂胶前清洗,涂胶后去边动作;4选6英寸圆片2片,8英寸圆片2片,基片上旋涂膜厚3m4m光刻胶,待基片干燥后,测量基片厚度。按照图2所示在基片的上、下、左、右、中五个区域中随机各取一点,利用台阶仪对其厚度进行测量,记录测量值,并计算出它们的平均值。取基片厚度中的最大值和最小值,使用公式E1A2-1得出膜厚均匀性应不大于3%;=(Hmax-HmG2P(E.1A.2-1)式中:4_基片膜厚均匀性;Ha基片厚度最大值;HZ基片厚度最小值;图E.1A,2-1涂层厚度均匀性测量点示意图5选25片8英寸圆片进行膜厚3m4m光刻胶
3、旋涂,按测试膜厚均匀性的方法,取得各片的膜厚平均值,计算出本组25片的平均值PAVG。取膜厚最大值和最小值,使用公式E.1A.21计算本组晶片的片间均匀性应在3%之间;4=(PmSX-Pmm)/2PAVC(E.1A.21)式中:4基片片间均匀性;初一基片膜厚最大值;PM基片膜厚最小值;基片膜厚平均值。6使用转速仪测量设备最高转速应符合指标要求,测量值与设定值之间的差值应在1rpm内;7按常用工艺温度要求分别设置温控温度,开启加热,待温度稳定后,使用表面温度计测量热板工位区域上下左右四个点温度记录测量值,测量值与温控仪显示值之差不超过1;8设备正常运行时,用声级计在其水平面四个方向上,离地高度1
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