模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案.docx

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1、第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“X”和“J”表示判断结果填入空内。(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(X)(3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。()(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(X)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGs大的特点。(J)(6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。(X)二、选择正确答案填入空内。(1)PN结加正向电压时，空间电荷区将A。A.变窄B.基本不

2、变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为BoA.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)心=时，能够工作在恒流区的场效应管有A、C解：Ib=VbbUbe=26AfRbIc=11i=2.6mA,Uo=Vcc-IcR=2V0图(2) VIcs=2.86mA,IBS=ICj=28.6A.&=%1U-=45.5ZCIBS六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表所示，它们的开启电压也在表中。试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。表管号ugsvU

3、jVugvUJV工作状态T14-513恒流区T2-43310截止区丁3-4605可变电阻区解：因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MoS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表最后一栏所示。习题选择合适答案填入空内。（D在本征半导体中加入（A）元素可形成N型半导体，加入（C）元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。A.增大B.不变C.减小工作在放大区的某三极管，如果当TB从12M增大到22M时，4从变为23,那么它的S约为（C）0（4）当场效应管的漏极直流电流工）从2加变为4加时,它的低频跨导名将（A）OA.增大；B.不

4、变；C.减小电路如图所示，己知场=IOSinW（九试画出/与心的波形。设二极管导通电压可忽略不计。图解图解：对与心的波形如解图所示。电路如图所示，已知/=5sin(力，二极管导通电压“二。试画出与与的波形图，并标出幅值。图解图解，波形如解图所示。电路如图所示，二极管导通电压产,常温下U7-2碗V,电容C对交流信号可视为短路；明为正弦波，有效值为IOmV0试问三极管叫叫过的交流电流的有效值为多少?”.I限解：二极管的直流电流出加”N2V其动态电阻：dUtIId=Q.图故动态电流的有效值：Id=Uihk现有两只稳压管，稳压值分别是6/和8匕正向导通电压为。试问：(1)若将它们串联相接，则可得到几种

5、稳压值各为多少(2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值各为多少解：(1)串联相接可得4种：；14匕；。(2)并联相接可得2种：；6K0己知图所示电路中稳压管的稳定电压力=6V,最小稳定电流zmin=5达,最大稳定电流zmax=25,nAo(1)分别计算U/为IoV、15V、35V三种情况下输出电压UO的值;(2)若U=35V时负载开路，则会出现什么现象为什么解：(D只有当加在稳压管两端的电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。.U1=IOV时，Uo=3.3V；1 R+R11图U=15V时，Un=R1U1=5V；R+R1U=35V时，UO=RUj11.7VUz,Uo=Uz=6Vq当负载开路时，

6、z=S2=29mAza=2MA,故稳压管将被烧毁。R在图所示电路中，发光二极管导通电压=,正向电流在515欣时才能正常工作。+J/T(+5V)地试问：(1)开关S在什么位置时发光二极管才能发光2 2)A的取值范围是多少解：(I)S闭合。(2) 4的范围为：Ra=(V一)/0miC700图现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数(a)(b)(a)(b)图解图解：答案如解图所示。放大倍数分别为片=mAOA=IOo和月=5nA100A=50测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子，并说明它们

7、是硅管还是褚管。图解:如解图。解图电路如图所示，晶体管导通时U=07V,二50。试分析匕8为0V、IV、3V三种情况下T的工作状态及输出电压%的值。解：(D当“=0时.，T截止，u0=2VoRCn+2v1k&1当8=W时，因为%=%-=9V图所以7处于放大状态。(3)当/p=3V时，因为/畋二%厂IJBEQ=460/4，RbIco=1=23mAIcs=VC1UCES=n3mA,所以7处于饱和状态。Kc电路如图所示，晶体管的=50,IU肱=0.2V,饱和管压降IUg1=O.W；稳压管的稳定电压UZ=5V,正向导通电压Uo=O.5Vz。试问：当/=OV时g=;当%=-5V时%=解：当/=0丫时，晶

8、体管截止，稳压管击穿，rJm2V)IkdU%=-Uz=-5VRb,50-K1N当/=-5V时，晶体管饱和，U0=0.1VO因为:Iw牛=48。小砒=24MwIu凡。分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。（a）（b）（c）（d）（e）图解：（a）可能；（b）可能；（C）不能；（d）不能，7的发射结会因电流过大而损坏。（C）可能。已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极、的电位分别为4P、8P、12K,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型）,并说明、与G、S、D的对应关系。解：管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极、与G、S、D的对应关系如

9、解图所示。解图已知场效应管的输出特性曲线如图所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。(b)(a)解图解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图(a)所示)，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及%s值，建立力=f(%s)坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图(b)所示。电路如图所示，7的输出特性如图所示,分析当尸4K8/、12/三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：根据图所示7的输出特性可知，其开启电压为5V,根据图所示电路可知行=%O因此，=gs一%S-2V，小于开启电压，说明假设成立，即T工作在恒流区。图当对=12V时，由于VDQ=I2V,必然使T工作在可变电阻区。分别判断图所示各电

10、路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。(a)(b)(c)(d)图解：(a)可能，(b)不能，(C)不能，(d)可能。补充1.电路如补图P1(a)、(b)所示，稳压管的稳定电压Uz=3V,的取值合适，u1的波形如图(C)所示。试分别画出和。2的波形。(a)(b)(c)补图P1解：波形如下图所示补充2.在温度20,1C时某晶体管的ICBo=2A试问温度是60时的Icbo=解:Icbo91802024=224=32A。补充3.有两只晶体管，一只的二200,cw=200M;另一只的二100,Ico=0f其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子为什么解：选用:100,cw=10M的管子，因其适中，展。较小，因而温度稳定性较另一只管子好。补充4.电路如补图P4所示，试问S大于多少时晶体管饱和解：取UEi=UBE，若管子饱和,补图P4则cU酩=%cU电，即凡=。Rc所以“4=100时,管子饱和。