有色金属_国家标准蓝宝石图形化衬底片编制说明讨论稿.docx
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1、国家标准蓝宝石图形化衬底片编制说明一、工作简况1、项目的必要性简述蓝宝石图形化衬底片是GaN外延生长的关键基板材料,对提高GaN外延结晶质量、降低位错密度,提高光电子器件出光效率具有显著效果。蓝宝石及其复合材料也是潜在的氮化钱功率、射频器件的衬底选择,在重点新材料首批次应用示范指导目录(2019年版)“先进半导体材料和新型显示材料”中的第290项有明确提及图形化衬底;新材料标准领航行动计划(2018-2023年)中明确要求建立第三代宽禁带半导体材料标准(二(二)研制新材料“领航”标准,4、先进半导体材料);科技部“十三五”国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项实施方案内容也包括第三代半导体
2、材料与半导体照明。蓝宝石图形化衬底片是在蓝宝石抛光片的基础上,通过黄光制程或压印图形掩膜工艺再经等离子体干法刻蚀等图形化工艺处理后得到,该图形化衬底片具有周期性阵列排布的微纳米图形微结构,其主流的微结构图形形貌为六角密排圆锥形。目前已实现产业化的主要有2-8英寸的蓝宝石图形化衬底片,主要用于氮化钱外延生长的模板,相比蓝宝石平片衬底,图形化的蓝宝石表面改变了GaN材料的生长过程,能抑制缺陷向外延表面的延伸,提高器件内量子效率;另外,微纳结构图形化的GaN/蓝宝石界面能散射从有源区发射的光子,使得原本因全反射作用不能出射的光子有机会逃逸到器件外部,进而有效提高光提取效率,能显著提升发光二极管的光电
3、性能。以GaN基材料为代表的光电子器件是第三代半导体技术和产业发展最重要的分支。蓝宝石图形化衬底是其关键衬底材料,衬底材料在很大程度上决定了外延芯片的技术路线及品质,是下游关键元器件技术提升的重要基础。目前,作为第三代半导体材料体系中非常重要的材料,蓝宝石图形化衬底材料一方面在半导体照明行业的应用渗透率已超过95%,基于普通蓝宝石抛光片的衬底因为外延生长缺陷多,光、电性能不高等问题,较难满足现有行业的发展,目前应用在相对低的市场不到1%的占有率。另外在功率、射频器件的研究与开发中也有成为其中一种选择,当前市场上已有基于蓝宝石材料GaN功率器件的手机、电脑快充产品问世。近年来,国内蓝宝石图形化衬
4、底片、GaN外延芯片行业发展迅速,国内产业规模也不断扩大,衬底及芯片的国产化率已超过85%,尤其是蓝宝石图形化衬底片,基本实现了全国产化。目前,我国蓝宝石图形化衬底片的产品性能指标已达到国际先进水平,制备技术拥有完全自主知识产权,在满足国内客户需求的同时,产品还出口到国外。然而,作为国内现有产业体量大、产品稳定、技术先进的蓝宝石图形化衬底片,目前却还没有相关的产品标准,而近期的中美贸易摩擦更使全国上下都认识到了具有自主知识产权技术的重要性。因此,为改变蓝宝石图形化衬底片产品无标准、无规范的状态,完善第三代半导体材料标准体系建设,蓝宝石图形化衬底片产品标准的立项编制是十分有必要的,也是极其重要的
5、。综上,特申请关于蓝宝石图形化衬底片的产品标准。此标准的制定将会使我国第三代半导体材料的标准体系进一步完善,同时也可作为蓝宝石图形化衬底片贸易、仲裁及质量监督检查的依据,改变蓝宝石图形化衬底片产品无标准、无技术规范的状态,更好的促进1ED产业的健康规范发展。2、任务来源根据国家标准化管理委员会关于下达2023年第三批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知)(国标委发202328号)的要求,本项目计划编号为20233239-T-469,项目名称为:蓝宝石图形化衬底片,牵头起草单位为广东中图半导体科技股份有限公司。经过原国标委工业一部、工业二部认可,半导体材料标准由全国半导体设备和材料标准化
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