太阳能连续pecvd溅射闫广明.docx

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连续pecvd溅射In非晶硅微晶硅P、i、n多层组合2、043毫米可回收Hjt双面顺序电压，多层溅射p、i、n单层，（可不加楮提高VOC）前后多于18层沉积层前后（反光镜）同时照射。voc=3.5vjsc=70maff=0.55效率122%o单面光voc=2.4vjsc=40maff=0.80效率76.880%,0.5毫米，IOoO万吨单晶硅，20万平方公里。半个10万3、通氧气，排二氧化碳入氢氧化钠碳酸钠。变碳酸氢钠加热排除二氧化碳。4、一个真空室，多支撑，多条管道，多条沉积生产线磁控溅射，pecvd等需要独立真空室的各种生产。一个真空机，多个真空管道吸真空。5、144%用eva,高温除硅胶。72%用气囊，去除eva可以火烧？6、一条线正反面磁控溅射3）导电膜，根据实际情况加减制膜器。7亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等8、自动化连续磁控溅射、PeCVd系统。多个可抽真空、带有真空阀门的至少2个自动装货系统，两个类似的出货系统。核心制膜系统。