二硫化钼纳米结构.docx

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1、石墨烯-二硫化铝二维复合材料在光电子器件上的应用研究进展1石墨烯介绍石墨烯是由单层碳原子紧密堆积成二维蜂窝状晶格结构的一种碳质新材料，具有独特的零带隙能带结构，是一种半金属薄膜材料。石墨烯不仅有特殊的二维平面结构，还有着优良的力学、热学、电学、光学性质。其机械强度很大，断裂强度比优质的钢材还要高，同时又具备良好的弹性、高效的导热性以及超强的导电性。石墨烯又是一种禁带宽度几乎为零的特殊材料，其电子迁移速率达到了1/300光速。由于石墨烯几乎是透明的，因此光的透过率可高97.7%o此外，石墨烯的加工制备可与现有的半导体CMOS(Comp1ementarymeta1-oxide-semiconduc

2、tortransistor)工艺兼容，器件的构筑、加工、集成简单易行，在新型光电器件的应用方面具有得天独厚的优势。目前，人们已利用石墨烯开发出一系列新型光电器件，并显示出优异的性能和良好的应用前景。石墨烯具有独特的二维结构，并且能分解为零维富勒烯，也可以卷曲成一维碳纳米管，或堆积成为三维石墨。石墨烯力学性质高度稳定，碳原子连接比较柔韧，当施加外力时，碳原子面就会发生弯曲形变。在理想的自由状态下，单层石墨烯并非完美的平面结构，表面不完全平整，在薄膜边缘处出现明显的波纹状褶皱，而在薄膜内部褶皱并不显，多层石墨烯边缘处的起伏幅度要比单层石墨烯稍小。这也说明了石墨烯在受到拉伸、弯曲等外力作用时仍能保持

3、高效的力学稳定性。在一定能量范围内，石墨烯中的电子能量与动量呈线性关系，所以电子可视为无质量的相对论粒子即狄拉克费米子。通过化学掺杂或电学调控的手段，可以有效地调节石墨烯的化学势，使得石墨烯的光学透过性由“介质态”向“金属态”转变。石墨烯的功函数与铝的功函数相近，约为4.3eV,因此在有机光电器件中有望取代铝来做透明电极。近年来所观测到的显著的量子霍尔效应和分数量子霍尔效应，证实了石墨烯是未来纳米光电器件领域极有前景的材料。2 .二硫化铝的认识过渡金属层状二元化合物(MX2)因具有良好的光、电、润、滑、催化等性能一直备受关注，二硫化铝便是其中的典型代表之一。二硫化铜是具有银灰色光泽的黑色粉末，

4、与石墨烯相似，属于六方晶系，不溶于水、稀酸和浓硫酸,但溶于热硫酸，在其他酸、碱、溶剂、石油、合成润滑剂中不溶解。MoS2的晶体结构有三种：IT形、2H形、3R形，IT-MoSz和3R-MoS?属于亚稳态，常态下存在的是2H-MoS2,天然的2H-MoSz晶体是典型的层状结构。IT2H3R二硫化铝三种晶体结构二硫化铝单层二硫化铝由三层原子层构成，上下两层均为硫原子层，中间一层为铝原子层,铝原子层被两层硫原子层所夹形成类“三明治”结构。这种结构使得层内存在较强的共价键,层间则存在较弱的范德力。S原子暴露在MoS2晶体表面,对金属表面产生较强的吸附作用。多层二硫化铝由若干单层二硫化钳组成,层间距大约

5、为0.65nm0二硫化钳的晶体结构(a)侧视图(b)和俯视图(C)2.1 二硫化铝的性质二硫化铝是一种典型的二维层状材料，层状二硫化铝是辉铝矿的主要成分，是一种灰黑色的固体粉末，无特殊气味，呈金属光泽莫氏硬度为5,熔点为11851600IC开始分解，产物为硫和金属铝。常温下二硫化铝性质较为稳定，不溶于水、酸、碱和有机溶剂，具有良好的化学和热稳定性，因此，常被用来做为固体润滑剂。1800*C电阻较大分子里160.0S低温特性-180C词滑性很好电导性半导体空气中稳定性350t开始缓慢氧化莫氏硬度1与气体反应性与O：、F：反应，与C1：、H;高温下反应基础面24*103Jm2溶解性不溶于水和有机溶

6、剂纳米的MoS2性能优良，与普通MoS2相比，纳米MoS2在性能和应用上更胜一筹，克服了普通粒度与比表面积的限制。随着粒径的变小，比表面积增大，吸附力增强，反应活性提高，随之使其在润滑添加剂、催化、光电、各种复合材料等方面的性能有很大的提高。a)各向异性：由于二硫化铝。有类似于石墨的层状结构，所以展现出来高度各项异性。其作为半导体材料时，垂直于片层方向比平行片层方向的电阻率高IO(M)倍。当在它层间插入有机化合物时，它的各向异性表现的更为明显。b)光电性能：二硫化钳特殊的三明治夹层结构和能带结构，决定了其特殊的光电性质，如光吸收、荧光发射、高的电子迁移率等。二硫化铝存在1.291.90eV的能

7、带隙，克服了石墨烯零带隙的缺陷，因而在光电器件领域有更广阔的应用前景。DU等人用重堆积法成功制备的MoS2材料，将其用作锂离子电池正极材料，研究了其电化学性能，结果显示二硫化钳材料具有较大的比容量及良好的循环性能，且其容量高达800mAhg,这表明二硫化钳是一种很好的锂离子电池正极材料，能在实际中得到广泛应用。单层纳米二硫化钳表现出良好的发光性，被广泛用于光电子器件。3 .类石墨烯二硫化铝的发展及制备类石墨烯二硫化铝在热、电、光、力学等方面的性质及其在光电子器件领域的潜在应用引起了科研人员的广泛关注。然而,一般的化学、物理法难以制备出具有层状结构的类石墨烯二硫化铝，高质量材料的可控制备是影响和

8、制约类石墨烯二硫化铝长远发展的关键所在。目前可以采用的方法主要有:微机械力剥离法、锂离子插层法、液相超声法等“自上而下”的剥离法（如图2所示），以及高温热分解、气相沉积、水热法等“自下而上”的合成法。在“自上而下”的制备方法中，微机械力剥离法以其操作相对简便且剥离程度高是目前应用最为成熟的方法，它能到单层二硫化铝且剥离产物具有较高的载流子迁移率，一般多用于制作场效应晶体管；缺点是制备规模小和可重复性较差。锂离子插层法是目前剥离效率最高的方法，它适用范围广,多用于二次电池和发光二极管；缺点是耗时、制备条件严格，且去除锂离子极易导致类石墨烯二硫化铝的聚集。液相超声法则是最新发展出来的方法，它以操作

9、简单、制备条件相对宽松而正被广泛应用于光电子器件；然而它的剥离程度和剥离效率均低于前两种方法,且产物中单层二硫化铝的含量较低。“自下而上”的合成法,可能是由于二硫化铝材料结构的高热和化学稳定性，其研究还处在初级阶段,尚存在制备成本高、工艺控制复杂等问题,而且通过合成法获得类石墨烯二硫化铝的纯度和光、电性质等仍逊色于剥离法。但是“自下而上”合成法具有方法、手段、底物等各方面的可控性及多样性，很具发展潜力，通过不断创新和优化制备条件，有望实现大面积、高质量类石墨烯二硫化铝的规模化制备。4 .类石墨烯二硫化铝的表征和光物理性质4.1 结构表征结构表征类石墨烯二硫化铝特殊的二维层状结构是其特殊性能的根

10、本原因,因此其研究的首要问题是找到能够准确、高效地表征二维层状结构的方法,这不仅可以判断类石墨烯二硫化铝的制备成功与否,而且有助于更好地探索类石墨烯二硫化铝的性质与材料结构的关系,促进其实际应用。二维层状结构最直观的表征方法是各类显微手段,包括原子力微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)等.AFM是鉴别类石墨烯二硫化铝层数最直接的方法,它通过扫描测量样品表面得到的高度差即可判断剥离的程度(见图3a,74若扫描得到的高度差为1Onm左右,即可判断是单层二硫化铝)。通过SEM和TEM测量边缘褶皱也能粗略判断类石墨烯二硫化铝的剥离程度(见图3(b,c),65,67单层褶皱

11、表明剥离得到的是单层二硫化铝).此外,广泛用于石墨烯结构表征的拉曼(Raman)光谱法也是表征类石墨烯二硫化铝的有力工具,拉曼光谱法不仅表征快速、准确,而且不会破坏样品的晶体结构,通过直接测量面内振动模式E12g和面外振动模式A1N的拉曼位移便可判断类石墨烯二硫化铝的剥离程度和效果：75例如单层二硫化铝的E12g和A1g间的位移差为16-18cm1;双层二硫化铝的E12g和AIg间的位移差为21cm;三层二硫化移的E12g和A1g间的位移差为23Cm-I(如图3d所示)。4.2 光物理性质类石墨烯二硫化铝具有特殊的“三明治”夹心二维层状结构和特殊的能带结构,因此拥有特殊的光物理性质,如光吸收、

12、荧光(P1)发射等.研究这些特殊的光物理性质,对于制作基于类石墨烯二硫化铝的光电器件非常重要。4.2.1 光吸收二硫化铜的光吸收性质与其自身的厚度密切相关:块状二硫化铝是间接带隙半导体,没有特征吸收峰;而类石墨烯二硫化铝是直接带隙半导体,其特征吸收峰在紫外吸收光谱上位于620和670nm附近,对应于能带图Ib中A、B两种从导带到价带的竖直跃迁方式(见图4a)o3.2.2荧光类石墨烯二硫化铝的荧光现象最早于2010年由Wang等76发现.当块状二硫化铝被剥离至薄层时,会出现荧光且荧光强度与二硫化铝的层数成反比。他们采用微机械力法剥离二硫化铝并选取532nm波长的激光激发类石墨烯二硫化铝,结果成功

13、采光现,如2011年Eda等用锂离子插层法剥离二硫化铝,退火处理之后也成功采集到类似的荧光发射光。5 .类石墨烯二硫化铝在光电子器件上的应用二硫化铝常温下为黑色固体粉末,有金属光泽,熔点1185。匚密度为4.8gcm3,莫氏硬度1.0-1.5,具有抗磁性和半导体性质。二硫化铝晶体属于六方晶系,晶体结构主要为八面体结构和三棱柱结构。二硫化铝具有优异的润滑性能,常用于润滑机械轴承以减小摩擦和磨损,拥有“高级固体润滑油王”的美誉。78-80然而,当二硫化铝的厚度薄到一定程度形成类石墨烯二硫化铝时,却表现出独特的光电半导体性质,和石墨烯一样在光电器件领域有着广泛的应用前景。5.1 场效应晶体管场效应晶

14、体管(FET)是现代微电子技术中重要的一类器件,它主要靠改变电场来影响半导体材料的导电性能。类石墨烯二硫化铝是直接带隙半导体,22故可用来制作大开关电流比、高载流子迁移率和低耗能的FET.51,85Kis等16先用微机械剥离法得到单层二硫化铝,随后转移单层二硫化铝到具有270nm厚SiO2的硅基片上,再利用电子束刻蚀法制作50nm厚的金电极,接着让器件于200下退火以减小电阻,最后用原子层积法(atomic1ayerdeposition,A1D)制作30nm厚的二氧化给(HfO2)作为栅极介电层(见图6),发现器件的阈值电压在-4V,开/关电流比达到108,电子迁移率达到217cm2V-1s-

15、1.Iwasa等53先采用微机械力法剥离得到类石墨烯二硫化铝,之后转移二硫化铝到透明的氧化铝基底上,再利用电子束刻蚀法制作Ti/Au电极,并选用离子液体作为栅极从而最终形成电双层双极性场效应晶体管。与二氧化铃作为栅极介电层的晶体管显示n型半导体性质不同,电双层晶体管既显示p型又显示n型性质。这种晶体管的开/关电流比达到200,其中空穴载流子迁移率高达86cm2Ms1,是电子载流子迁移率的两倍Wang等86报道了以双层二硫化铝作为导电通道的场效应晶体管的制作过程。具体制作步骤如下:首先用微机械力剥离法得到双层二硫化铝,随后转移双层二硫化铝至掺有285nmSiO2的硅基片上,再利用电子束刻蚀法制作Ti/Au电极并选取A1和Pd作为两个栅极从而最终整合成含正（增加模式）、负（衰减模式）阈值电压的晶体管。结果,器件的开/关电流比达到107,开态电流密度达到23A.m1.最近,Im等87报道了掺杂聚（偏二氟乙烯-三氟乙烯XP（VDF-TrFE）的类石墨烯二硫化铝（13层）作为场效应晶体管的导电通道,阴极A1作为场效应晶体管的栅极,结果器件的开/关电流比