光伏设备行业专题研究.docx
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1、光伏设备行业专题研究一、ToPCon继往开来,技术路线多样化TOPCon技术是德国Fraunhofer太阳能研究所2013年在第28届欧洲PVSEC光伏大会上首次提出的一种新型钝化接触太阳能电池。TOPCon电池在结构上与PERC电池的区别在于背面增加了超薄隧穿氧化层和多晶硅层,二者形成钝化接触结构,为硅片背面提供了良好的界面钝化。随着ToPCon技术的持续推进,其竞争力逐步显现,主要表现在以下三个方面:第一,转换效率较高,潜力较大。PERC目前的量产转换效率在23%左右,转换效率的提升空间已然有限,TOPCon目前的量产转换效率在24.0-24.5%左右,理论最高转换效率在28.7%,与HJ
2、T(异质结)电池28.5%的转换效率较为接近,而HJT电池的量产转换效率目前也在24.0-24.5%左右,两者较为接近。第二,与存量PERC兼容度高,能够继承PERC时代的技术积累与大部分设备。与现有PERC生产工序相比,TOPCon主要增加硼扩散和隧穿层沉积的1PCVD/PECVD/PVD等设备;同时,近两年新建大尺寸PERC产线一般预留了TOPCon的升级空间,一些厂商也专门推出了针对存量产线改造的设备,诸如捷佳伟创推出了三合一设备,并与润阳签订了5GW存量产线改造的合同。TOPCon技术可以延长现有产线的生命周期,节约资本开支。根据英利能源的数据,新建PERC产线的设备投资额为1.2-1
3、.7亿元/61丫,新建ToPCcm产线设备投资额为2-2.5亿元/GW,新建HJT产线设备投资额为4-4.5亿元/GW。而若从PERC升级至TOPCOn则设备投资额为0.5-0.7亿元/GW,能有效降低投资成本;此外,从行业平均的电池成本来看,TOPCOn的单W成本比PERC高0.1元/W左右,而个别TOPCon先进产能的单W成本已经与PERC相当接近,HJT的单W成本比PERC高约0.2-0.3元/,先进产能的单W成本差距可以做到0.2元/W左右。第三,性价比具有一定优势。TOPCOn较高的转换效率使得电池单瓦及单位面积发电量有所提升,能够有效的降低BoS成本。晶科能源N型TOPCOn组件效
4、率较现有产品进一步提升,最新N型ToPCon组件TigerNeO效率达到22.2%,功率达到620W,天合和中来均推出了700W的组件。同时,TOPCOn电池具备良好的弱光效应,延迟组件日发电时长,有效降低1eoE。根据中来公众号发布的数据,考虑25年全生命周期的维度,与PERC组件相比,TOPCOn组件首年衰减低1%,BoS成本低3.9%,1eoE低6.6机发电增益高6.3%,经第三方检测机构TUV北德在不同反射率的地面条件下的实证发电测试发现,TOPCOn组件最高可以得到30%的发电增益,若控制1COE不变($0.1066),与主流PERC组件对比,TOPCon组件比PERC有2.8美分/
5、每瓦的价格优势。TOPCOn技术方案多样,1PeVD较为成熟,PECVD.PVD.PEA1D等各显身手,电池片环节的专有技术有望增多,竞争格局有望优化。从结构方面来看,TOPCon结构分为两层:第一层为超薄氧化硅隧穿层,厚度2nm,可以通过热氧、化学腐蚀方式形成。第二层是掺杂多晶硅层,可以由1PCVD、PECVD.PVD等方法制备,主要技术路线分为磷扩掺杂、离子注入掺杂、原位掺杂,与传统的扩散掺杂不同,离子注入是将杂质原子电离成带电粒子后,再用强电场加速这些粒子注入到硅基体材料中进行掺杂,但是离子碰撞会引起晶格断裂或损伤,需要退火来完成掺杂离子的去除和激活;原位掺杂是在沉积多晶硅的同时通入含有
6、杂质的气体,使多晶硅掺杂均匀,后期也需要退火处理来达到晶化目的,PECVD.PVD多使用原位掺杂。各家电池厂商基于自身的技术积累,选择了不同的技术路线进行攻关,隆基、晶科以1PCVD为主,通威以PECVD、PEA1D为主,中来以PoPAID为主。我们认为与PERC和HJT较为统一的技术路线不同,TOPCOn多样的技术方案使得电池厂商从以往的整线采购向分环节采购设备“攒”产线转变,有望增强电池端在产业链中的话语权,竞争格局有望优化。隧穿氧化层的制备,热氧化法较为成熟,而PECVD法和A1D法也是目前研究的重点方向。对于隧穿氧化层的制备主要有热氧化法、PECVD,原子层沉积、湿化学法等,目前TOP
7、Con氧化层制备主要采用热氧化法,其钝化效果最好,但反应速度较慢,热氧法所用设备为热氧化管式炉,其可以与非晶硅沉积环节设备集成;PECVD法的优势在于生长速率较快,但是钝化效果和均匀性稍差;A1D钝化效果和均匀性优于PEeVD法,但是生长速率较差;湿化学法和准分子源干氢法应用较少。掺杂多晶硅层的制备,1PCVD法为现有主流且较为成熟,PEeVD法、PEA1D法、PVD法也是目前研究的重点方向。对于掺杂多晶硅层,主要有4中制备方法,其中1PeVD、PECVD和PEA1D属于化学沉积方式,而溅射法是属于物理气相沉积(PVD)方法。1PCVD是目前工艺较成熟的设备,具有产量高、可直接制备n型多晶硅层
8、的优点,但会损伤石英件,石英件需要定期更换,且存在绕镀问题;PECVD法沉积速度要高于1PCVD,但其设备要求高,同时产生的膜层不致密,烧结后开压较低;PEA1D则是较新的技术,采用原子层沉积原理,其沉积速率最高,但成本较高,也无法解决PECVD膜层不致密的问题;PVD的优点在于无污染,操作简单且安全,沉积速率也高于1PCVD,但缺点在于其硅靶材用量较大,成本较高,膜层均匀性相对较差,退火温度也较高。除去常见的N型TOPCOn电池之外,现在出现了一种基于P型硅片的TOPCOn电池结构,根据中科院宁波材料所的公开资料,P型TOPeOn电池正面和PERC结构一致,无需增加扩硼设备,只需增加氧化硅和
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- 设备 行业 专题研究