GBT碳化硅抛光片表面质量和微管的测试方法 共焦点微分干涉法.docx
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1、ICS77.040CCSH21中华人民共和I家标准GB/TXXXXX-XXXX碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法Testmethodforsurfacequa1ityandmicropipedensityofsi1iconcarbidepo1ishingwafers(送审稿)XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施国家市场监督管理总局司家标准化管理委员会本文件按照GB/T1.1-2023标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。本文件由全国半导体设备与材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备与材料标准化技术委员会材料分会(SAC/
2、TC203/SC2)共同提出并归口。本文件起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、芜湖启迪半导体有限公司、山东天岳先进科技股份有限公司、东莞市天域半导体有限公司、浙江东尼电子股份有限公司等。本文件主要起草人:何熠坤等。碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试共焦点微分干涉法1范围本文件规定了4H及6H碳化硅抛光片表面质量和微管密度的无损光学测量方法,表面质量包括划痕、凹坑、凸起、颗粒等。本文件适用于直径为50.8mm、76.2mm、IoOmm、150mm、200mm,厚度范围为300m-1000nm碳化硅抛光片的表面质量和微管密度的测试。2规范性引用文件下列文
3、件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T14264半导体材料术语GB/T25915.1-2010洁净室及相关受控环境第1部分:空气洁净度等级GB/T30656碳化硅单晶抛光片3术语和定义GB/T14264和GB/T30656界定的术语和定义适用于本文件。4方法原理采用共焦点微分干涉光学系统,入射光通过诺马斯基棱镜和物镜后照射到晶片表面,晶片表面反射的光线通过共聚焦光学系统到达检测器(CCD),对待测晶片进行全表面扫描,获得晶片表面各个位置的真实图像,
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