2023年中国第三代半导体行业发展研究报告.docx
《2023年中国第三代半导体行业发展研究报告.docx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《2023年中国第三代半导体行业发展研究报告.docx(18页珍藏版)》请在第一文库网上搜索。
1、一、行业概况1、定义以碳化硅Q、氮化钱(GaN)、氧化锌亿nO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽禁带半导体材料,被称为第三代半导体材料,目前发展较为成熟的是碳化硅(SiC)和氮化线(GaN)。与传统材料相比,第三代半导体材料更适合制造耐高温、耐高压、耐大电流的高频大功率器件,因此,其为基础制成的第三代半导体具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的导热率,以及更强的抗辐射能力等诸多优势,在高温、高频、强辐射等环境下被广泛应用。第三代半导体主要包括碳化硅C)、氮化铝(A1N)、氮化钱(GaN)、金刚石、氧化锌亿n),其中,碳化硅(SiC)和氮化钱(GaN)并称为第三代半导体材料的“双雄”,是
2、第三代半导体材料的典型代表。碳化硅(SiC)氧化忏ZnO:,奥料来源:前瞻产北研究院前瞻经济学人APP2、产业链剖析:产业链涉及多个环节第三代半导体产业链分为上游原材料供应,中游第三代半导体制造和下游第三代半导体器件环节。上游原材料包括衬底和外延片;中游包括第三代半导体设计、晶圆制造和封装测试;下游为第三代半导体器件应用,包括微波射频器件、电力电子器件和光电子器件等。中国第三代半导体行业产业链如下:中游下游上游比代1J体第代I:H小H*第三代看体奥料来源:前瞻产北研究院前瞻经济学人APP第三代半导体产业链各个环节国内均有企业涉足。从事衬底片的国内厂商主要用露笑科技、三安光电、天科合达、山东天岳
3、、维微科技、科恒晶体、线铝光电等等;从事外延片生产的厂商主要有瀚天天成、东莞天域、晶湛半导体、聚能晶源、英诺赛科等。苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏州纳米所等;从事第三代半导体器件的厂商较多,包括比亚迪半导体、闻泰科技、华润微、土兰微、斯达半导、扬杰科技、泰科天润等。电力电子光电子天科合达苏共悌维东莞中每上海豚特露笑科技科恒晶体镣铝光电山东天岳东尼电子楚江新材天通股份海天天成苏州能讯、四川益丰电子、中科院苏犷恸米所聚能晶源.斌焉电科技昭R高熊y1能华微电子I华功半导体、能华微电子、英诺塞科东莞天成I芯台电子三安集成I华天科技西电I顶诺威电子海威华芯片华功半导体方正微电子长电科技屣科技华灿光电、
4、三安光电I木林森律豪润达华为中兴中战动中国电信中国联通华为中兴中“动中国电信中国联通前瞻经济学人APP奥料来源:前瞻产北研究院二、行业发展历程:兴起的时间较短中国第三代半导体兴起的时间较短,2013年,科技部863计划首次将第三代半导体产业列为国家战略发展产业。2016年,为第三代半导体发展元年,国务院国家新产业发展小组将第三半导体产业列为发展重点,国内企业扩大第三半导体研发项目投资,行业进入快速发展期。2018年1月,中车时代电气建成国内第一条6英寸碳化硅生产线;2018年,泰科天润建成了国内第一条碳化硅器件生产线;2019年9月,三安集成已建成了国内第一条6英寸氮化钱(GaN)、碎化钱(G
5、aAS)外延芯片产线并投入量产。在2023年7月,华润微宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。2023年9月,第三代半导体写入“十四五”规划,行业被推向风口。图表5:中国第三代半导体行业发展历程2016年第三代半导体户比元年;国务院国家歙产11发展领导小组将其列为重点发展方向2017年工信部国家发改委公布的信息卢北发展指南将第三代半导体材料列为积体电路产业发展重点写2018年深圳市政府大力变持的第代半导体研究院正式启动,北京第三代半导体材料创新2019年国家级战陪长江三角洲区域一体化发展规划纲要明确要求长江三角洲区域加快培育布局第代半导体产Ik2023年第三代半导体产业写入“十四五规
6、划前瞻经济学人APP资料来源:前瞻产业研究院三、行业发展现状1、产值规模逆势增长随着5G、新能源汽车等市场发展,第三代半导体的需求规模保持高速增长。同时,中美贸易战的影响给国产第三代半导体材料带来了发展良机。2023年以来,在国内大半导体产业增长乏力的大背景下,我国第三代半导体产业实现逆势增长。2023年我国第三代半导体产业电力电子和射频电子两个领域实现总产值达127亿元,较2023年增长20.4%o图表6:2017-2023年中国第三代半导体材料市场规模(单位:亿元)米料来源:CASA前瞻产业研究院前瞻经济学人APP其中SiC、GaN电力电子产值规模达58亿元,同比增长29.6%oGaN微波
7、射频产值达到69亿元,同比增长13.5%,较前两年稍有放缓。2、产能大幅增长但仍供应不足根据CASA数据显示截至2023年底,我国SiC导电型衬底折算4英寸产能约40万片/年,SiOon-SiC外延片折算6英寸产能约为22万片/年,SiC-OnSiC器件/模块(病英寸兼容)产能约26万片/年。GaN-on-Si外延片折算6英寸产能约为28万片/年,GaN-on-Si器件/模块折算6英寸产能约为22万片/年。图表&2023年中国第三代半导体产物计(单位:万片件,%)应用方向产业环节2019年产能(万片/年)2023年产能(万片/年)同比(%)ISiC导电型衬底(折合4英寸)1640150%SiC
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 2023 年中 第三代 半导体 行业 发展 研究 报告