电子技术基础试题含答案.docx
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1、电力系统自动化电子技术基础试题(卷)一、填空题:1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为钮,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向二g,有利于少子
2、的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由巳向&区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由2向巳区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空回电莅区,其方向由N区指向已区。空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的建移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN结形成。5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的邺I1档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阳极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调
3、换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。其导电沟道分有此沟道和巳沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反应面空区。8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。二、判断正误:1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。O3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档RX1OK档位。(错)4、PN结正向偏置时,其内外电场方向一致。(PN结反向偏置时,其内外电场方向一致)(错)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放
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