模拟电子技术题库答案.docx

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1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电壬，少数载流子应是空穴。2、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度,而在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度。3、结反向偏置时，空间电荷区将变宽。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和区、放大区、截止区。5、场效应管分为两大类：一类称为结型场效应管,另一类称为绝缘栅场效应管。6、结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或反向偏置。7、半导体二极管的基本特性是单向导电性,在电路中可以起整流和检波等作用。8、双极

2、型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。9、结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动。10、硅二极管的死区电压约为”，楮二极管的死区电压约为0.Io11、晶体管穿透电流3。是反向饱和电流3。的1a倍，在选用晶体管的时候，一般希望/加尽量小。12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨昱二。13、结具有单向导电特性。14、双极型三极管有两个结，分别是集电结和发射结。15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向偏置,集电路反向偏置。16、场效应管是电压控制型元件，而双极型三极管是电流控制型元件。17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴

3、，少数载流子应是电子。18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。19、结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或正向偏置。20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是集电极、发射极和基极。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加一正向电压；（2）集电结外加反向电压。22、N型半导体可用正离子和等量的负蚯来简化表示。23、结正向偏置时，空间电荷区将变空。24、二极管的两个电极分别称为阳极和阴极，二极管的符号是。25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会左移，输出特性曲线会上移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。26、影响双极型

4、三极管参数变化的主要因素是温度。27、P型半导体可用_包离子和等量的空穴来简化表示。28、主要半导体材料是一硅和楮；两种载流子是空穴和电子;两种杂质半导体是型和型。29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。30、当温度升高时，三极管的参数B会变大，人。会增加,导通电压会变小。31、双极型三极管有两种载流子导电，即多数载流子和少数载流子导电,而单极型三极管只有一种载流子导电，即多数载流子导电。32、N型半导体的多数载流子是电壬，少数载流子是空穴。33、某晶体管的极限参数分,=15OTV,cw=100桢，U(BR)ceo=3OV0若它的工作电压Ua=IOV,则工作电流不得超过左,横；若工作电

5、压UCE=W,则工作电流不得超过项mA;若工作电流c=14,则工作电压不得超过跄V。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为匕=9V,吸二一6.2V,VC=-6V,则该三极管是型三极管，A为集电极，B为基极，C为发射极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是夕。36、场效应管输出特性的三个区域分别是恒流区、可变电阻区、夹断区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。38、场效应管及晶体管比较，场效应管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是发射区、基区和集电区。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于(

6、B)时处于正偏导通状态。A.OB.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降2、杂质半导体中(A)的浓度对温度敏感。A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是(B),若集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是(A),若集电结和发射结均正向偏置，则它的工作状态是(C)oA.截止B.放大C.饱和D,损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（B）。A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有（A）和（B）两种载流子参及导电,而场效应管所导电过程仅仅取决于（A）的流

7、动。A.多子B.少子C.自由电子D.空穴6、当型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为UC（A）UB（A）ueoA.B.。都大B.rz都小C.G很小，。很大D.G大，。小8、稳压二极管动态电阻G（B）,稳压性能愈好。A.愈大B.愈小C.为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（C）状态。A.放大B.截止C.饱和D.无法确定10.结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D）A.自给偏压电路B.外加偏压电路C.无须偏置电路D栅极分压及源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（A）,而少数载流子的浓度及（B）有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷12、场效

8、应管属于（B）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析，则可认为是（C）控制型器件。A.电荷B.电压C.电流13、当节外加反向电压时，扩散电流（B）漂移电流，耗尽层（D）oA.大于B.小于C.等于D.变宽E.变窄F.不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（D）。A.左移，下移B.右移，上移C.左移，上移D.右移，下移15、结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（A）oA.变窄B.基本不变C.变宽D.先变窄，后变宽16、在25C时，某二极管的死区电压-05V,反向饱和电流Q0.1,则在35C时,下列哪组数据可能正确：（D）oA0.575V,0.05B0.575V,0.2C0.47

9、5V,0.05D0.475V,0.217、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（或）及三个电极时，最为方便的测试方法为（B）。A.测试各极间电阻B.测试各极间、对地电压C.测试各极电流三、判断题1、三极管在工作频率大于最高工作频率九时会损坏。（X）2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。（X）.3、及三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。（J）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（X）5、有人测得晶体管在UBE=O.6V时，s=5zm,因此认为在此工作点上的演大约为。（）6、通常结型场效应管在漏极和源极互换使用时

10、，仍有正常的放大作用。（J）7、通常的双极型晶体管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（义）8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（J）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（X）10、结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（X）11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（）12、由于结交界面两边存在电位差，所以当把结两端短路时，就有电流流过。（X）13、结方程可以描述结的正向特性和反向特性，也可以描述结的反向击穿特性。（X）14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（X）15、有人测试晶体管的,方法是通过测得晶体管的。.7，Ib=2O/M,

11、推算出展=。觇8=0加/20/M=35KQO（X）四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分）管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V3.7V6V-4V-12V-14V电极（e或b或C）ebCCbe或材料（或）2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；&损坏）（共8分）管子类型各电极电位(V)21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2状态Cbda3、如下图，试确定二极管D是正偏还是反偏？设二极管正偏时的正向压降为0.7V,试计算和的值(共9分)o+10Vr,+IOVR2RIUYTUY3CD7KdOUXOUxJ2RHR(a) (b

12、)答案：(a)D正偏导通u=26.2VITy=6.2+0.7=6.9V(b)D仅偏截止0UX=0q=ov4、如下图，设硅稳压管Vm、Z2的稳压值分别为6V和9V,求为多少？（共3分）答:0=9-6=3V5、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出UooD导通，UO=-3V6、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）（9分）都不能放大电压信号输入交流短路无直流基极偏压输入交流短路7、如下图，设硅稳压管丫加、Vg的稳压值分别为6V和9V,稳压管的正向压降为0.7V,试写出输出电压为多少？（共8分）425VVDZ1本EVdz2(a)uo=i5vU0=0

13、,7V(b)(c) t0=6.7V(d)8、设二极管理想化，试判断下列各图二极管是否导通还是截止？并求出？(c)2导通2截止(d)&先导通R截止UO=OVU03V第二章放大电路原理一、填空题1、放大电路的三种基本组态中，共集组态带负载能力强,共基组态频率响应好，共射组态有倒相作用，共集组态向信号源索取的电流小。2、多级放大电路的对数增益等于其各级对数增益的上和。3、放大电路的三种组态是共射、共集。4、影响放大电路工作点稳定的主要原因是温度变化。5、三极管共集组态的放大电路具有输入电阻高、输出电阻低的特点。6、放大电路最常用的基本分析方法，就是图解法和微变等效电路法。7、共集电极放大电路又称为射

14、极输出器或射随器。8、多级放大电路常用的耦合方式有三种：即阻容耦合、直接耦合、变压器耦合。9、放大电路的三种基本组态中，共射组态既具有电压放大能力又具有电流放大能力，M只具有电流放大能力，共基组态只具有电压放大能力。10、放大的本质首先是实现能量的控制；所谓放大作用，其放大的对象是变化量。11、产生零点漂移的主要原因是放大器件的参数受温度的影响而发生波动，导致放大电路的静态工作点不稳定。12、输出电压离开零点，缓慢地发生不规则的变化，这种现象称为零点漂移。二、选择题1、关于放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（D）。A. Q点过高会产生饱和失真B. Q点过低会产生截止失真C.导致Q点不稳定的主要原因是温度变化D.Q点可采用微变等效电路法求得2、双极型三极管放大电路中，输入电阻最大的是电路。A.共发射极B.共集电极C.共基极D.不能确定3、晶体管放大电路中，高频特性最好的电路是（D）。A.共射电路B.共集电路C.共源