模拟电子技术题库-答案分解.docx
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1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是电子,少数载流子应是空穴2、在N型半导体中,电子浓度大于空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变宽04、双极型三极管输出特性的三个区域分别是区、放大区、截止.区。5、场效应管分为两大类:一类称为结型场效应管,另一类称为绝缘栅场效应管1116、PN结外加反向电压,即电源的正极接N区,电源的负极接P区,这种接法称为反向接法或反向偏置。7、半导体二极管的基本特性是一单向导电性,在电路中可以起整流一和检波等作
2、用。8、双极型半导体三极管按结构可分为NPTL型和PNP_型两种,它们的符号分别为和o9、PN结中进行着两种载流子的运动:多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动o10、硅二极管的死区电压约为-0r5V,错二极管的死区电压约为-0AVo11、晶体管穿透电流小0是反向饱和电流心”的倍,在选用晶体管的时候,一般希望/加,尽量.小。12、场效应管实现放大作用的重要参数是跨导13、PN结具有单向导电特性。14、双极型三极管有两个PN结,分别是集电结和发射结15、为了保证三极管工作在放大区,应使发射结.正向一偏置,集电路反向偏置。16、场效应管是电压.控制型元件,而双极型三极管是电流控制型元件。17、
3、本征硅中若掺入3价元素的原子,则多数载流子应是一空穴,少数载流子应是电子18、P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是电子。19、PN结外加正向电压,即电源的正极接P区,电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或正向偏置O20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极,分别是集电极、发射&_和基极O21、双极型三极管起放大作用的外部条件是:(1)发射结外加上向电压;(2)集电结外加反向电压。22、N型半导体可用正离子和等量的负电子来简化表zKo23、PN结正向偏置时,空间电荷区将变窄24、二极管的两个电极分别称为阳极和阴极,二极管的符号是25、当温度升高时,三极管的输入特性曲线会移,输出特性曲线会
4、移,而且输出特性曲线之间的间隔将26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是温度27、P型半导体可用.鱼离子和等量的空穴一来简化表示。28、主要半导体材料是硅两种载流子是空穴和电子;两种杂质半导体是上翌和N型29、二极管外加正向电压导通,外加应向电压截止。30、当温度升高时,三极管的参数8会变大,/cbo会增加,导通电压会变小和少数载流31、双极型三极管有两种载流子导电,即多数载流子子导电,而单极型三极管只有一种载流子导电,即多数载流子导电。32、N型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴33、某晶体管的极限参数七0=150mW,ICM=100zM,U(BR)CE0=30Vo若它的工作电压U
5、cf=10V,则工作电流不得超过洲;若工作电压Ucf=W,则工作电流不得超过-100.加4;若工作电流,c=lM,则匚作电压不得超过30Vo34、放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为匕=9V,匕=-6.2V,Vc=6V,则该三极管是PNP型三极管,A为集电极,B为基极,C为发射极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是一夕o36、场效应管输出特性的三个区域分别是恒流区、可变电阻区、夹断区。37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为本征半导体。38、场效应管与晶体管比较,场效应管的热稳定好,输入电阻高,一晶体管的放大能力强。39、双极型三极管内部有三个掺杂区域,分别是发射区、基区和集电区o
6、二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于(B)时处于正偏导通状态。A.0B.死区电压C.反向击穿电压D.正向压降2、杂质半导体中(A)的浓度对温度敏感。A.少子B.多子C.杂质离子D.空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置,它的工作状态是(B),若集电结和发射结都反向偏置,它的工作状态是(A),若集电结和发射结均正向偏置,则它的工作状态是(C)。A.截止B.放大C.饱和D.损毁4、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(B)A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏D.前者反偏、后者也正偏5、双极型晶体管工作时有(A)和(B
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