模拟电子技术·随堂练习2020春华工答案.docx
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1、模拟电子技术第1章常用半导体器件1 .(单选题)N型半导体的多数载流子是电子,因此它应()oA.带负电B.带正电C.不带电答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:C问题解析:2 .(单选题)将PN结加适当的反向电压,则空间电荷区将()oA.变窄B.变宽C.不变答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:B问题解析:3 .(单选题)二极管的死区电压随环境温度的升高而()oA.增大B.不变C.减小答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:C问题解析:4 .(单选题)电路如图所示,设全部二极管均为理想元件,当输入电压ui=10sin必tV时,输出电压最大值为10V的电路是()
2、。fc)份答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:C问题解析:5 .(单选题)电路如图所示,DI,D2均为理想二极管,设Ul=10V,ui=40sintV,则输出电压u应为()oA.最大值为40V,最小值为0VB.最大值为40V,最小值为+10VC.最大值为10V,最小值为一40VrB.rC.rD.(已提交)D.最大值为10V,最小值为0V答题:rA.参考答案:D问题解析:6.(单选题)稳压管的动态电阻rZ是指()oA.稳定电压/与相应电流IZ之比B.稳压管端电压变化量UZ与相应电流变化量IZ的比值C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案
3、:B问题解析:7 .(单选题)在放大电路中的晶体管,其电位最高的一个电极是()。A.PNP管的集电极B.PNP管的发射极C.NPN管的发射极D.NPN管的基极答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:B问题解析:8 .(单选题)已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=77V,VB=-1.4V,VC=5V,A.NPN型铸管C.NPN型硅管则该管类型为()oB.PNP型楮管D.PNP型硅管B.C.rD.(已提交)参考答案:A问题解析:第2章基本放大电路L(单选题)如果改变晶体管基极电压的极性,使发射结由正偏导通改为反偏,则集电极电流()oA.反向B.近似等于零C.不变D.增大答题:r
4、A.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:B问题解析:2.(单选题)晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()oA.发射结反偏,集电结正偏B.发射结、集电结均反偏C.发射结、集电结均正偏D.发射结正偏、集电结反偏答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:C问题解析:3 .(单选题)晶体管的电流放大系数#是指()。A.工作在饱和区时的电流放大系数B.工作在放大区时的电流放大系数C.工作在截止区时的电流放大系数答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:B问题解析:4 .(单选题)低频小功率晶体管的输入电阻rbe等于()。U川._a小26mV300+Cl+)-A.4B.30
5、0+26,vC.4答题:广A.rB.C.rD.(已提交)参考答案:B问题解析:5 .(单选题)某电路如下图所示,晶体管集电极接有电阻RC,根据图中的数据判断该管处在()oA.截止状态B.放大状态C.饱和状态0+15V%答题:rA.rB.rC.rD.(己提交)参考答案:B问题解析:6 .(单选题)某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则该场效应管为()oA.P沟道耗尽型MOS管B.N沟道增强型MOS管C.P沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管答题:rA.rB.rC.rD.(已提交)参考答案:B问题解析:7 .(单选题)已知某场效应管的漏极特性曲线如图所示,则此管子的夹断电压%s约为()o答题:
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