倒装芯片基板技术.docx

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1、图9硅通孔转接板-适子创运资讯石TSV转接板的制造流程如T：将光刻胶涂覆到裸Si晶圆上，利用掩膜板经过曝光后确定TSV孔的位置，并对其进行显影工艺；采用激光或深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching,DRIE)工艺刻蚀形成符合设计要求的TSV孔；由于Si是半导体材料，为了防止TSV漏电以及TSV间的串扰，必须在TSV孔壁上制作Si02绝缘层，因此需要采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的方法将Si02绝缘层沉积至TSV孔内壁上；为了防止填充材料与Si02或Si之间发生相互扩散，使用PVD方法进

2、行阻挡层的制作，阻挡层的材料一般为Ti、TiN或Ta；若在后续TSV中导电材料填充的过程中使用电镀工艺，则需使用PVD方法在阻挡层内壁上沉积一层Cu种子层，这是由于电镀工艺进行的前提条件为结构导电，因此需要在阻挡层表面覆盖一层种子层作为导电层，而最常用的TSV种子层材料为Cu；TSV孔的填充方法不止一种，包括采用电镀方法填充Cu、Ti、Al或焊料，采用溅射方法填充W,或者采用真空印刷方法填充聚合物等；图9硅通孔转接板-适子创运资讯石TSV转接板的制造流程如T：将光刻胶涂覆到裸Si晶圆上，利用掩膜板经过曝光后确定TSV孔的位置，并对其进行显影工艺；采用激光或深反应离子刻蚀(DeepReactiv

3、eIonEtching,DRIE)工艺刻蚀形成符合设计要求的TSV孔；由于Si是半导体材料，为了防止TSV漏电以及TSV间的串扰，必须在TSV孔壁上制作Si02绝缘层，因此需要采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的方法将Si02绝缘层沉积至TSV孔内壁上；为了防止填充材料与Si02或Si之间发生相互扩散，使用PVD方法进行阻挡层的制作，阻挡层的材料一般为Ti、TiN或Ta；若在后续TSV中导电材料填充的过程中使用电镀工艺，则需使用PVD方法在阻挡层内壁上沉积一层Cu种子层，这是由于电镀工艺进行的前提条件为结构导电

4、，因此需要在阻挡层表面覆盖一层种子层作为导电层，而最常用的TSV种子层材料为Cu；TSV孔的填充方法不止一种，包括采用电镀方法填充Cu、Ti、Al或焊料，采用溅射方法填充W,或者采用真空印刷方法填充聚合物等；图9硅通孔转接板-适子创运资讯石TSV转接板的制造流程如T：将光刻胶涂覆到裸Si晶圆上，利用掩膜板经过曝光后确定TSV孔的位置，并对其进行显影工艺；采用激光或深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching,DRIE)工艺刻蚀形成符合设计要求的TSV孔；由于Si是半导体材料，为了防止TSV漏电以及TSV间的串扰，必须在TSV孔壁上制作Si02绝缘层，因此需要采用等离子体增强化学

5、气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的方法将Si02绝缘层沉积至TSV孔内壁上；为了防止填充材料与Si02或Si之间发生相互扩散，使用PVD方法进行阻挡层的制作，阻挡层的材料一般为Ti、TiN或Ta；若在后续TSV中导电材料填充的过程中使用电镀工艺，则需使用PVD方法在阻挡层内壁上沉积一层Cu种子层，这是由于电镀工艺进行的前提条件为结构导电，因此需要在阻挡层表面覆盖一层种子层作为导电层，而最常用的TSV种子层材料为Cu；TSV孔的填充方法不止一种，包括采用电镀方法填充Cu、Ti、Al或焊料，采用溅射方法填充W,或者采用真空印刷方法填

6、充聚合物等；图9硅通孔转接板-适子创运资讯石TSV转接板的制造流程如T：将光刻胶涂覆到裸Si晶圆上，利用掩膜板经过曝光后确定TSV孔的位置，并对其进行显影工艺；采用激光或深反应离子刻蚀(DeepReactiveIonEtching,DRIE)工艺刻蚀形成符合设计要求的TSV孔；由于Si是半导体材料，为了防止TSV漏电以及TSV间的串扰，必须在TSV孔壁上制作Si02绝缘层，因此需要采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的方法将Si02绝缘层沉积至TSV孔内壁上；为了防止填充材料与Si02或Si之间发生相互扩散，使用

7、PVD方法进行阻挡层的制作，阻挡层的材料一般为Ti、TiN或Ta；若在后续TSV中导电材料填充的过程中使用电镀工艺，则需使用PVD方法在阻挡层内壁上沉积一层Cu种子层，这是由于电镀工艺进行的前提条件为结构导电，因此需要在阻挡层表面覆盖一层种子层作为导电层，而最常用的TSV种子层材料为Cu；TSV孔的填充方法不止一种，包括采用电镀方法填充Cu、Ti、Al或焊料，采用溅射方法填充W,或者采用真空印刷方法填充聚合物等；图9硅通孔转接板-适子创运资讯石TSV转接板的制造流程如T：将光刻胶涂覆到裸Si晶圆上，利用掩膜板经过曝光后确定TSV孔的位置，并对其进行显影工艺；采用激光或深反应离子刻蚀(DeepR

8、eactiveIonEtching,DRIE)工艺刻蚀形成符合设计要求的TSV孔；由于Si是半导体材料，为了防止TSV漏电以及TSV间的串扰，必须在TSV孔壁上制作Si02绝缘层，因此需要采用等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition,PECVD)的方法将Si02绝缘层沉积至TSV孔内壁上；为了防止填充材料与Si02或Si之间发生相互扩散，使用PVD方法进行阻挡层的制作，阻挡层的材料一般为Ti、TiN或Ta；若在后续TSV中导电材料填充的过程中使用电镀工艺，则需使用PVD方法在阻挡层内壁上沉积一层Cu种子层，这是由于电镀工艺进行的前提条件为结构导电，因此需要在阻挡层表面覆盖一层种子层作为导电层，而最常用的TSV种子层材料为Cu；TSV孔的填充方法不止一种，包括采用电镀方法填充Cu、Ti、Al或焊料，采用溅射方法填充W,或者采用真空印刷方法填充聚合物等；