半导体变温霍尔效应实验.docx

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1、变温霍尔效应实验一、实验目的1 .了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数表达式的推导及其副效应的产生和消除；2 .掌握霍尔系数和电导率的测量方法、样品导电类型的判别方法、半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率的计算方法；3 .掌握动态法测量霍尔系数及电导率随温度的变化；4 .了解霍尔器件的应用，理解半导体的导电机制；5,掌握实验数据处理方法，并能利用Origin绘图软件对实验数据进行处理和分析。二、实验原理霍尔效应原理1 .半导体中的载流子根据半导体导电理论，半导体内载流子的产生有两种不同的机构：本征激发和杂质电离。(1)本征激发半导体材料内共价键上的电子有可能受热激发后跃迁到

2、导带上，在原共价键上却留下一个电子缺位一空穴，这个空穴很容易受到邻键上的电子跳过来填补而转移到邻键上。因此，半导体内存在参与导电的两种载流子：电子和空穴。这种不受外来杂质的影响由半导体本身靠热激发产生电子一空穴的过程，称为本征激发。显然，导带上每产生一个电子，价带上必然留下一个空穴。因此，由本征激发的电子浓度n和空穴浓度p应相等，并统称为本征浓度ni,由经典的玻尔兹曼统计可得ni=n=p=(NcNv)l/2exp-Eg/(2KBT)=KT3/2exp-Eg/(2KBT)式中Nc,Nv分别为导带、价带有效状态密度，K为常数，T为温度，Eg为禁带宽度，K为玻尔兹曼常数。(2)杂质电离在纯净的第iv

3、族元素半导体材料中，掺入微量in或v族元素杂质，称为半导体掺杂。掺杂后的半导体在室温下的导电性能主要由浅杂质决定。如果在硅材料中掺入微量hi族元素(如硼或铝等)，这些第in族原子在晶体中取代部分硅原子组成共价键时，从邻近硅原子价键上夺取一个电子成为负离子，而在邻近失去一个电子的硅原子价键上产生一个空穴。这样满带中电子就激发到禁带中的杂质能级上，使硼原子电离成硼离子，而在满带中留下空穴参与导电，这种过程称为杂质电离。产生一个空穴所需的能量称为杂质电离能。这样的杂质叫做受主杂质，由受主杂质电离而提供空穴导电为主的半导体材料称为p型半导体。当温度较高时，浅受主杂质几乎完全电离，这时价带中的空穴浓度接

4、近受主杂质浓度。同理，在iv族元素半导体(如硅、错等)中，掺入微量v族元素,例如磷、碑等，那么杂质原子与硅原子形成共价键时，多余的一个价电子只受到磷离子P+的微弱束缚，在室温下这个电子可以脱离束缚使磷原子成为正离子，她向半导体提供一个自由电子。通常把这种向半导体提供一个自由电子而本身成为正离子的杂质称为施主杂质，以施主杂质电离提供电子导电为主的半导体材料叫做n型半导体。2 .霍尔效应和霍尔系数设一块半导体的x方向上有均匀的电流IX流过，在z方向上加有磁场Bz,则在这块半导体的y方向上出现一横向电势差UH,这种现象被称为“霍尔效应”，UH称为“霍尔电压”，所对应的横向电场EH称为“霍尔电场见图l

5、oBz图1实验指出，霍尔电场强度EH的大小与流经样品的电流密度Jx和磁感应强度Bz的乘积成正比，EH=RH-Jx-Bz(1)式中比例系数RII称为“霍尔系数下面以p型半导体样品为例，讨论霍尔效应的产生原理并推导、分析霍尔系数的表达式。半导体样品的长、宽、厚分别为L、a、b,半导体载流子(空穴)的浓度为P，它们在电场Ex作用下，以平均漂移速度vx沿x方向运动,形成电流Ixo在垂直于电场Ex方向上加一磁场Bz,则运动着的载流子要受到洛仑兹力的作用F=qXB(2)式中q为空穴电荷电量。该洛仑兹力指向一y方向，因此载流子向一y方向偏转,这样在样品的左侧面就积累了空穴，从而产生了一个指向+y方向的电场一

6、一霍尔电场Eyo当该电场对空穴的作用力qEy与洛仑兹力相平衡时，空穴在y方向上所受的合力为零，达到稳态。稳态时电流仍沿x方向不变，但合成电场E=Ex+Ey不再沿x方向，E与x轴的夹角称“霍尔角”。在稳态时，qEy=qvxBz若Ey是均匀的，则在样品左、右两侧面间的电位差UH=Ey a = v x Bz a(4)而x方向的电流Ix= qpevxeab(5)将（5）式的vx代入（4）式得霍尔电压1IxBzqpb(6)由（1）、（3）、（5）式得霍尔系数(7)式中b = un/up,up为电子和空穴的迁移率。从霍尔系数Rh=qp对于n型样品，载流广（电广）浓度为n,霍尔系数为Rh=qn上述模型过于简

7、单。根据半导体输运理论，考虑到载流子速度的统计分布以及载流子在运动中受到散射等因素，在霍尔系数的表达式中还应引入一个霍尔因子A,贝I（7）、（8）式应修正为15p型：qplARH（9）n型：qnARH1（1O）A的大小与散射机理及能带结构有关。由理论算得，在弱磁场条件下，对球形等能面的非简并半导体，在较高温度（此时，晶格散射起主要作用）情况下18.183A一般地，Si、GE等常用半导体在室温下属于此种情况，A取为1.18。在较低温度（此时，电离杂质散射起主要作用）情况下，93.1512315A对于高载流子浓度的简并半导体以及强磁场条件，A=l；对于晶格和电离杂质混合散射情况，一般取文献报道的实

8、验值。上面讨论的是只有电子或只有空穴导电的情况。对于电子、空穴混合导电的情况，在计算RH时应同时考虑两种载流子在磁场下偏转的效果。对于球形等能面的半导体材料，可以证明：(11)A(p_nC)_A(p_nbOq(pgp+npn)2q(p+nb，)2的表达式可以看出：由RH的符号（也即UH的符号）可以判断载流子的类型,正为p型，负为n型（注意，所谓正、负是指在xyz坐标系中相对于y轴方向而言，见图loI、B的正方向分别为x轴、z轴的正方向，则霍尔电场方向为y轴方向。当霍尔电场方向的指向与y正向相同时，则UH为正。）；RH的大小可确定载流子的浓度；还可以结合测得的电导率。算出如下定义的霍尔迁移率uH

9、uH=IRHI。（12）uH的量纲与载流子的迁移率相同，通常为cm2/V-s（厘米2/伏秒），它的大小与载流子的电导迁移率有密切的关系。霍尔系数RH可以在实验中测量出来，若采用国际单位制，由（6）、（7）式可得UHb3Rh=-11-（m/C）（13）IXBZ但在半导体学科中习惯采用实用单位制（其中，b：厘米，Bz：高斯Gs）,则Ri=X10S(cm3/C)1Bz3.霍尔系数与温度的关系R,图2RH与载流子浓度之间有反比关系，因此当温度不变时，RH不会变化；而当温度改变时，载流子浓度发生变化，RH也随之变化。图2是RH随温度T变化的关系图。图中纵坐标为RI1的绝对值，曲线A、B分别表示n型和p型

10、半导体的霍尔系数随温度的变化曲线。下面简要地讨论曲线B：杂质电离饱和区。在曲线（a）段，所有的杂质都已电离，载流子浓度保持不变。p型半导体中pn,（11）式中nb2可忽略，可简化为Rh=A=A-0qpqNA式中NA为受主杂质浓度。（2）温度逐渐升高，价带上的电子开始激发到导带，由于unup,所以bl,当温度升到使p=nb2时，RH=0,出现了图中（b）段。（3）温度再升高时，更多的电子从价带激发到导带，pnb2而使RH0,（11）式中分母增大，RH减小，将会达到一个负的极值(图中(c)点)。此时价带的空穴数p=n+NA,将它代入(11)式，并对n求微商，可以得到当b1-l时，Rh达到极值Rhm

11、：Rh=A=A?(14)qpqNA由此式可见，当测得RHM和杂质电离饱和区的RH,就可定出b的大小。17(4)当温度继续升高，达本征范围时，半导体中载流子浓度大大超过受主杂质浓度，所以RH随温度上升而呈指数下降，RH则由本征载流子浓度Ni来决定，此时杂质含量不同或杂质类型不同的曲线都将趋聚在一起，见图中(d)段。3.半导体的电导率在半导体中若有两种载流子同时存在，则其电导率。为。=qPUp+qnun(15)a图3实验得出。与温度T的关系曲线如图3O现以p型半导体为例分析：(1)低温区。在低温区杂质部分电离，杂质电离产生的载流子浓度随温度升高而增加，而且up在低温下主要取决于杂质散射，它也随温度

12、升高而增加。因此，。随T的增加而增加，见图的a段。室温附近。此时，杂质已全部电离,载流子浓度基本不变，这时晶格散射起主要作用，使up随T的升高而下降，导致。随T的升高而下降，见图的b段。2)高温区。在这区域中，本征激发产生的载流子浓度随温度升高而指数地剧增，远远超过up的下降作用，致使。随T而迅速增加，见图的c段。实验中电导率。可由下式计算出：(16)11!Q=pUaab式中p为电阻率，I为流过样品的电流，U。、1分别为两测量点间的电压降和长度。对于不规则形状的半导体样品，常用范德堡(VanderPauw)法测量，它对电极对称性的要求较低，在半导体新材料的研究中用得较多。感兴趣的读者可参阅文献

13、4o4.霍尔效应中的副效应及其消除在霍尔系数的测量中，会伴随一些热磁副效应、电极不对称等因素引起的附加电压叠加在霍尔电压UH上，下面作些简要说明：(1)爱廷豪森(Ettinghausen)效应。在样品x方向通电流lx,由于载流子速度分布的统计性，大于和小于平均速度的载流子在洛仑兹力和霍尔电场力的作用下，沿y轴的相反两侧偏转，其动能将转化为热能，使两侧产生温差。由于电极和样品不是同一种材料，电极和样品形成热电偶，这一温差将产生温差电动势UE,而且有UEix，Bz这就是爱廷豪森效应。UE方向与电流I及磁场B的方向有关。(2)能斯脱(Nernst)效应。如果在x方向存在热流Qx(往往由于x方向通以电

14、流，两端电极与样品的接触电阻不同而产生不同的焦耳热，致使x方向两端温度不同)，沿温度梯度方向扩散的载流子将受到Bz作用而偏转，在y方向上建立电势差UN,有UNxQx,Bz这就是能斯脱效应。UN方向只与B方向有关。(3)里纪勒杜克(Righi-Ledue)效应。当有热流Qx沿x方向流过样品，载流子将倾向于由热端扩散到冷端，与爱廷豪森效应相仿，在y方向产生温差,这温差将产生温差电势URL,这一效应称里纪勒杜克效应。URLocQxBzURL的方向只与B的方向有关。(4)电极位置不对称产生的电压降U0。在制备霍尔样品时，y方向的测量电极很难做到处于理想的等位面上，见图4o即使在未加磁场时，在A、B两电

15、极间也存在一个由于不等位电势引起的欧姆压降UO：U0=IxR0其中R0为A、B两电极所在的两等位面之间的电阻，U0方向只与Ix方向有关。19样品所在空间如果沿y方向有温度梯度，则在此方向上产生的温差电势UT也将叠加在UH中，UT与I、B方向无关。要消除上述诸效应带来的误差，应改变I和B的方向，使UN、URL、U0和UT从计算结果中消除，然而UE却因与I、B方向同步变化而无法消除，但UE引起的误差很小，可以忽略。实验时在样品上加磁场B和通电流I,则y方向两电极间产生电位差U,自行定义磁场和电流的正方向改变磁场和电流方向，测出四组数据:加+B、加+ B、加一 B、加一B、由+I时,-I时,-I时,+ I时,以U1=+