半导体光刻胶行业研究:破晓而生踏浪前行.docx
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1、半导体光刻胶行业研究:破晓而生,踏浪前行1 .光刻胶:图形转移介质,在泛半导体产业广泛应用光刻胶本质是一种感光材料,也称光致抗蚀剂,主要用于微电子技术中微细图形加工。在紫外光、电子束、离子束、X射线等照射或辐射下,光刻胶溶解度会发生变化,再经适当溶剂溶去可溶性部分,便可实现图形从掩模版到待加工基片上 的转移。进一步,未溶解部分光刻胶作为保护层,在刻蚀步骤中保护其下方材料 不被刻蚀,从而完成电路制作。产品分类上,按照下游应用领域,光刻胶可分为IC光刻胶、PCB光刻胶、LCD光刻胶。IC光刻胶根据曝光波长又可分g线光刻胶(436nm)、i线光刻胶(365nm)、 KrF光刻胶(248nm)、ArF
2、 光刻胶(193nm)、EUV 光刻胶(13.5nm)等,通常情况下曝光波长越短,分辨率越佳,适用IC制程工艺越先进。按照化学反应原理,光刻胶可分为正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶曝光部分在显影液中溶解,负性 光刻胶未曝光部分在显影液中溶解。由于负性光刻胶显影时易变形和膨胀,自1970s以后正性光刻胶逐渐成为主流。图2:光刻胶产品分类紫外宽诺喙先波长300T50mn,用于V5寸岛园g线:多为正胶4尢波长436nni.用于6寸晶圈棕照下游应用领域分半导体光刻胶技术政度最大:国产化锐度最低LCD光刻股i线:多为正胶光波长365nm.用于6寸.8寸晶郎KrF:正负胶都有ArF:多为正胶EUV彩包/
3、黑色光刻胶触摸屏用光刻胶TFT-LCD光刻胶光波长24刖叫b Count.2021B2Q229I J Je JWorld Fab Fortcast (Upon. 2Q 2011 Update PubiKbed By SEMI2.3. 产品结构:KrF与ArF光刻胶占据市场主流,EUV市场将逐步打开与工艺、设备相配套,光刻胶技术迭代推动制程进步。在性能提升、成本功耗降低,以及更大算力需求等多因素驱动下,长期以来芯片技术一直沿着摩尔定律向前发展。而制程的进步离不开材料、设备和工艺三方面共同的推进。根据瑞利公式:分辨率R=K1*/NA,光刻工艺制程进步可通过改变工艺因子(K1)、曝光波长()、物镜数
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