高效率宽频正弦电磁场发生器的研究毕业设计.docx
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1、高效率宽频正弦电磁场发生器的研究毕业设计目录中文摘要IABSTRACTII1绪论11.1 高效率宽频正弦电磁场发生器用途11.2 国内发展水平11.3 研究意义22正弦电磁场发生器基本工作原理32.1种类32. 1. IRC正弦波振荡电路32. 1. 2LC正弦波振荡电路42.1. 3石英晶体正弦波振荡电路72. 2信号发生器新技术83高效率宽频正弦电磁场发生器设计任务、设计方案 123. 1方案选择123. 2原理方框图143. 3系统设计143. 3.1信号源143. 3. 2功率放大器183. 3.3串联谐振电路213. 3. 4控制开关234仿真研究253.1 仿真软件254. 2仿真
2、结果254. 2.1半桥串联谐振电路及仿真254. 2. 2全桥串联谐振电路及仿真314. 3仿真结论3752言论385.1实验说明385. 1. 1M0SFET386. 1.2 4个频点385. 1.3 死区385. 2总结39参考文献40重庆大学本科学生毕业设计(论文)绪论1绪论1.1 高效率宽频正弦电磁场发生器用途随着现代电子技术的发展,正弦电磁场在军事、医学、通讯、雷达、宇航、电视广播、遥控遥测、电子测量、地质勘察等领域得到了广泛的应用。雷达侦测、研制新型相控雷达、军事通信、电磁炮等新型武器研制和开发;细胞增殖与分化、促进细胞愈合、抗癌、超声波以及防治骨质疏松;钻孔在线检测、示波器、抗
3、电磁干扰。正弦信号源在线性系统测试中应用十分广泛,例如,电子放大器增益的测量、相位差的测量、非线性失真的测量、以及系统频域特性的测量等等,都需要正弦信号源。具有频率稳定度很高的正弦信号源还可以作为标准频率源来与其它各种频率源进行对比。载波频率可调的已调波(包括调幅的或调频的、脉冲调制的)信号源,对于接受设备的调试、维修则是不可缺少的。现代大量应用的电力设备和发电机、变压器等都与电磁感应作用有紧密联系。由于这个作用,时变场中的大块导体内将产生涡流及集肤效应。电工中感应加热、表面淬火、电磁屏蔽等,都是正弦电磁场的直接应用。各类信号源虽然都能输出正弦波,但是由于频率不同,其结构原理是不同的。通常,低
4、频和视频正弦信号源产生正弦信号,而高频和超高频信号源,除了有纯正弦波(载波)输出外,还有调制波形的输出,习惯上成为信号发生器。1.2 国内外发展水平光触发晶闸管的主体结构与一般电触发晶闸管没有什么区别。其门极区对光敏感,在光缆传送过来的光信号作用下产生载流子注入,导致晶闸管被触发,从阻断状态转入导通状态。以上是传统概念的光触发晶闸管。几年前,Eupcc公司研制出有自保护功能的光触发晶闸管,方法是在制作晶闸管的同一硅片上,集成一个转折二极管(BOD),并将该BOD的转折电压设计得低于晶闸管的正向转折电压,从而实现BOD对晶闸管遭遇到过电压时的保护作用。公司开发的带BOD保护二极管的LTT,几年前
5、已成功应用于西门子公司在北美承建的一个电力系统。GTO是上个世纪60年代初问世的,在此后的三四十年内得到了很大的发展,至今仍是重要的电力半导体器件。为了改善关断特性,器件均采用多个子器件并联的方式,即在同一硅片上,制作成千上万个细小的子器件,他们有共同的门极电极,而阴极则是相互分开独立的采用适当的封装结构,将这些子器件并联在一起,器件外观和大功率普通晶闸管完全一样。传统GTO器件存在固有的缺陷。特别是在关断过程中,各子器件关断不均匀,很可能造成关断过程拖尾时间长,电流甚至集中在某些子器件上,这种电流局部集中现象一电流丝化现象,将导致局部热点的产生,严重时会使器件被烧毁。绝缘栅双极晶体管(IGB
6、T)是电力半导体与微电子精细工艺相结合的产物。IGBT器件一经问世,即得到飞速发展。它除了具有MOS器件输入阻抗高、控制功率小的优点以外,更重要的是它同时具备双极器件通态压降低的特点,从而受到电力电子工程师的青睐。1988年第一代IGBT进入市场,5年后第三代IGBT问世。上世界90年代后期,1200A, 2000V以下的IGBT已实现工业规模生产,并开发出45005000V的高压IGBT,与此同时,外形与普通高压大电流晶闸管类似的1000A, 2500V平板型IGBT也研制成功。反向开关4层2端晶闸管(RSD),它是前苏联科学家在上世界80年代中期研制成功的。RSD由同意硅片上成千上万个晶闸
7、管和晶体管交替排列组合而成,每一单元的特征尺寸小于N型长基区的宽度。RSD基本工作原理是,晶闸管和晶体管共用的集电结阻断外电压,当此电压极性反转时。晶体管及相邻的晶闸管的n基区内形成等离子体。由于交替分布的晶体管、晶闸管的尺寸比n基区的宽度还小,上述等离子体相互交叉重叠,从而在n基区内形成非常均匀的等离子区。当控制电流脉冲结束且外电压极性复员以后,外电场将把基区内的载流子归荡出去。接下来便引发两边发射极的少子注入,导致器件在整个面积上均匀地通过,能产生数量级达106A的脉冲开关电流。国内已研制出匕尔,达40004800V和20004_3000V的RSDo对于巾40mm的RSD,峰值电流可达10
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