表格模板-TFTLCD工程中英对照表 精品.ppt
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1、附件附件 TFT-LCDTFT-LCD专用名词专用名词第一节、材料名词第一节、材料名词第二节、工程名词第二节、工程名词第三节、技术名词第三节、技术名词第四节、不良名词第四节、不良名词第五节、第五节、QAQA专用名词专用名词材料名词材料名词用语用语用语说明用语说明备注备注(Process) Gas(制程)气体,目前大多数种类的气体,多为提供CVD,Sputter及干蚀刻电浆源之用AC-1带静电防止剂(ESD-Preventer),在上光阻机内使用,防止静电产生,破坏玻璃组件Acetone丙酮ACF (Anisotropic Conductive Film)各向异性导电胶 Al (Aluminum
2、)铝Alcohol酒精Al-EtchantAL刻蚀液:成份中含乙酸CH3COOH、磷酸H3PO4及硝酸HNO3,主要用来蚀刻Mo/Al/Mo的沈积层AlNd(Aluminum and Neodymium Alloy)铝和钕的合金以上皆为溅镀机金属靶的材料之一APR Plate:Asahikasei Photosensitive Resin印刷版Ar氩气,制程气体,用来轰击溅镀机上的金属靶或常用为加热设备的热传媒介a-Si (amorphous silicon)非晶硅,TFT沈积层之一AU Ball金球,掺杂与Seal 胶中,用以导通上下基板,取代TRBack Cover背板:构成背光源的主体结
3、构,承载其他部品Back Light Unit背光源:为液晶模块提供光源Bar Mirror条形镜,装于Stage上,用于反射激光干涉仪发出的激光,从而反映出Stage当前的位置BCl3氯化硼,制程气体,在干蚀刻中用以作为蚀刻AlNd的电浆源Bezel金属框架:与背光源卡合,控制模块长和宽的最大尺寸材料名词材料名词用语用语用语说明用语说明备注备注BHF成份中含氟化铵NH4F及HF,主要用来蚀刻7PEP中的SiONCCD:Charge Coupled Device电荷耦合器件CCFL:Cold Cathode Fluorescent Lamp冷阴极荧光灯:背光源中根本的发光器件CDA (Comp
4、ressed Dry Air)压缩高压干燥空气CF (Color Filter)彩色滤光片::液晶显示元件的主要原材料,印刷有一定的顺序排列的R/G/B像素的玻璃基板CF4四氟化碳制程气体,常用的主要干蚀刻电浆源以为提供蚀刻主原料氟的来源Chip芯片Cl2氯气,制程气体Coating上光阻COF:Chip On Film薄膜芯片集成 COG (Chip on Glass)玻璃芯片集成:芯片接合在玻璃Detergent洗剂Detergent (LH-300)界面活性剂的一种(清洗机用来清洗玻璃表面用LH-300为供货商型号)DHF成份为49%氢氟酸HF,主要为湿蚀刻机中用来蚀刻7PEP中的SiN
5、x膜Diffusion Sheet扩散膜:使导光板出射的光分布均匀DIW (De-Ionized Water)去离子水Driver IC驱动集成电路End Seal封口胶FPC (Flexible Printed Cable)可挠性印刷线路材料名词材料名词用语用语用语说明用语说明备注备注Glass, substrate or glass substrate玻璃基版Glove手套H2氢气,制程气体Hairnet网帽HCl氯化氢,制程气体,蚀刻n+时的电浆源之一He氦气,制程气体,混合在其它制程气体中,共同形成电浆源,使电浆组成分布均匀Hood头罩ILB (Inner Lead Bonding)内
6、引线焊接IPA ( Isopropyl Alcohol)异丙醇:主要用来作为设备擦拭液,在去光阻制程中亦用来清除玻璃基板上的有机残留物(如光阻或去光阻液)IR (Infra-Red)红外线ITO (Indium Tin Oxide)铟锡氧化物ITO-EtchantITO刻蚀液:成份中含盐酸HCl及硝酸HNO3,主要用来蚀刻7PEP中的Poly-ITOKr氪气制程气体,用来轰击溅镀机上的金属靶 L.G.P: Light Guide Plate导光板:将从光源收到的水平光线进行方向改变,转换成向上端出射LAL-50含NH4F与HF,为清洗机用来清洗玻璃表面氧化层的化学溶液Lamp Reflecto
7、r LED Cover 灯反射罩:将从光源发出的光集中导向到导光板的入射面LC (Liquid Crystal)液晶,既具有液体的流动性,又具有晶体的各向异性,液晶显示元件的主要原材料之一LED: Light Emitting Diode 发光二极管:背光源中根本的发光器件Mask口罩材料名词材料名词用语用语用语说明用语说明备注备注Material材料Metal金属MI第一次沈积的(阐极)金属膜如MoWMII第二次沈积的(源极和汲极)金属膜如MoAlMoMo (Molybdenum)钼Mold Frame塑胶框架:与背板相卡合,支撑玻璃面板Monitor监视器MoW (Moly-tungste
8、n)钨化钼n+ (或或n+a-Si)掺杂磷的非结晶硅,TFT沈积层之一N2氮气,制程气体,常用为破真空Vent或吹干的媒介N2O笑气,制程气体N-300去光阻液,N-300为厂商型号,成份为单乙醇铵与单丁醚的混合物NBA (1-butyl Acetate)乙酸正丁酯,主要用来清洗旋转涂布光阻时残留在玻璃边缘的光阻液NF3氟化氮,制程气体,常用为清除CVD反应室壁沈积硅Si媒介NH3氨,制程气体O2常用来作电浆的基本组成,O3 Asher为去光阻机的模块之一,用来去除制程的有机残留O3(Ozone)臭氧,主要为各制程用来清除有机物的污染或残留Oxalic Acid (H2C2O4)草酸,湿蚀刻机
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