电力用安全芯片测试回流焊要求、PCN变更要求.docx

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1、附录A（资料性）回流焊要求回流焊剖面采用无铅工艺回流焊剖面，如图A.1所示。图A. 1无铅工艺回流焊剖面图表A.1给出了不同封装厚度及体积条件下分类温度Tc的选取方法。表A.1无铅工艺下指定分级温度Tc的选择方法封装厚度mmTc封装体积V350mm封装体积350mm2000mm封装体积2000mm2.5= 260二 245= 245表A.2给出了无铅工艺下供应商回流焊剖面峰值温度Tp的选择方法。表A. 2无铅工艺下供应商回流焊剖面峰值温度的选择方法封装厚度T,.mm封装体积封装体积封装体积2000mm2.5226022452245表A.3给出了无铅工艺下用户回流焊剖面峰值温度Tp的选择方法。表

2、A. 3无铅工艺下用户回流焊剖面峰值温度Tp的选择方法封装厚度mmTp封装体积2000mmi2.5260245245表A.4给出了无铅工艺下其它参数的选择方法。表A. 4无铅工艺下其它参数的选择方法参数要求Tsmin150Tsmax200 Ts (Tsmin 到 Tsna)60120s上升速率（Tl到Tp）最大3/sTl （液相线温度）217tL （保持在Tl温度之上的时间）60150sTp （峰值温度）对于芯片供应商来说Tp2Tc,芯片用户来说，TpTctp （Tc-5到Tc温度范围内时间）30s25C到峰值温度时间最大8minI博圜tF爨eL a BiPC寤爨漕.一支IE温喜康胃目的3*1田导浸等r4漫m南RV附U等49声汁Hc-SES部虺行5S&-言tr333L g&看L-NVCE/DR-eV-Y-3M 呈=3M MDfemTHB/HAST-宁春&m-e-e一CH&-Qo=DDT瀛Q6m0qfl俳但猴）0QCT3Q0Qq00aim0Bl000施殿SR%000q嬲感0t丽曲雕e麒合3筑物M吩*6oj -7*s芟熹起ti室Mm.本