斯达半导深度报告推荐.docx

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1、斯达半导深度报告目录一.产业积累深厚，业绩增长强劲1.1 深耕IGBT ,国内领先的龙头供应商1.2 团队经验丰富，股权结构稳定13产品进入放量期，盈利能力领先行业二.新能源车IGBT持续放量，工控市场稳步提升2.1 世界前十IGBT模块供应商，车载IGBT打开第二成长曲线2.2 车载IGBT实现突破，市场空间广阔102.3 加速工控IGBT国产替代，公司具先发优势14三、产能扩张，布局SiC、高压产品163.1 携手华虹，锁定代工产能163.2 自建产线，转型IDM模式172033拓展SiC、高压芯片，布局未来成长空间18四、盈利预测与估值4.1 盈利预测204.2 投资建议20五.风险提示

2、211一、产业积累深厚，业绩增长强劲1.1 深耕IGBT,国内领先的龙头供应商公司长期致力于IGBT、快恢复二极管等功率芯片的设计和工艺及IGBT、MOSFET、SiC等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。2021年，IGBT模块的销售收入占公司主营业务收入的94%以上，是公司的主要产品。据0mdia ,公司2020年IGBT模组收入在全球占比2.8%才非名第六，是国内唯一进入世界前十的IGBT龙头公司。2012 201320072011图是公司产品发展历程推出工业级大功率GBT模块系列来源：公司公告，中航证条研究所图荻3:公司股

3、权结构（成至2021年12月31日）存在依赖进口的情况。图装2：公司自研芯片占比不断提升IGBT及快恢复二极管芯片数量（万个）金领（万元）自主研发芯片外购芯片自主研发芯片外购芯片2016年度590.21311.42322.39141. 22017年度1283.52313.66623.514021.22018年度2705.82814.312912.215589.42019 年 1-6 月1749.91484.49184.38239.8表源：公司招股说明书.中航证券研究所1.2 团队经验丰富，股权结构稳定公司管理层技术底蕴深厚。董事长沈华1995年7月至1999年7月任西门子半导体部门（英飞凌前身

4、，1999年成为英飞凌公司）高级研发工程师，1999年8月至2006年2月任XILINX公司高级项目经理，公司设立以来一直担任公司董事长和总经理。副总经理汤艺2003年博士毕业于美国仁斯利尔理工学除RPI）电子工程系,2003年7月至2015年3月在美国国际整流器公司（International Rectifier,英飞凌2015年以30亿美元将其收购,2014年International Rectifier的收入为11亿美元）工作,历任集成半导体器件高级工程师、主管工程师、高级主管工程师、IGBT器件设计经理、IGBT器件设计高级经理。2015年加入公司，现任公司副总经理，负责IGBT芯片技

5、术研发工作。公司股权结构稳定,实控人持股比例集中。沈华、胡畏夫妇通过香港斯达合计有公司41.77%的股份，是公司实际控制人。嘉兴富瑞德是公司的员工持股平台，持股比例5.09%o来照：ifind,中杭证券时究所1.3 产品进入放量期，盈利能力领先行业公司持续加码研发，创新能力。2020至2021年，公司研发投入由0.77亿元增长至1.1亿元研发人员由194人扩张至245人，公司人均创收由136万元/年增长至165.5万元/年，公司发明专利数量由42个增长至53件。图表4：公司研发投入持续增长图表5:公司专利数量增加（件）来源：iffcind,中航证券研究所来源：ifind,中航话务研究所2021

6、年，公司IGBT产品持续放量，实现营收17.07亿元，同比增速77.22%，归母净利润3.98亿元,同比增速120.49%。2022年一季度，公司业绩保持高速增长，实现收入5.42亿元，同比增长66.96% ,归母净利润 1.51亿元，同比增长101.54%。圉天6:公司营业收入高速增长图衣7：公司归母净利润高速增长来淞：ifind,中航证券身究所来源：ifind,中航证券研究所在国内功率半导体设计同行中，公司的净资产收益率维持在较高水平。由于毛利率较高的车规产品开始放量，公司毛利率持续上升，表明公司发展质量高，盈利能力强。耒源：ifind.中航证务研究所来双：ifind.中航证务研究所图表二

7、、新能源车IGBT持续放量，工控市场稳步提升2.1世界前十IGBT模块供应商，车载IGBT打开第二成长曲电力电子器件能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。IGBT是现代电力电子领域的代表性器件，由于具有导通电阻小、开关速度快、工作频率高等特点，可以在各种电路中提高功率转换、传送和控制的效率，实现节约能源、提高工业控制水平的目的，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子、新能源发电、5新能源汽车等领域。国袤10:电力电子工作原理电子开关单个电力电子器件的作用相当于开关，控制电流的导通或者关断二 ： A+X13拓扑和元

8、件组成庞大的用电设备电网交流输入变直流变交流变直流直流输出到电池若干个电力电子器件组合成“拓扑” .不同的拓扑具备不同的基础功能hHhHe整流电路逆变电路升/降压电路来源：英飞凌.中俄证条研究所经过几十年的发展，IGBT头部供应商英飞凌不断改进芯片结构，将IGBT技术做到了第七代，IGBT1和IGBT2已经不被英飞凌建议使用，目前使用最广泛的是IGBT4 ,国内部分供应商目前能在第四代进行量产。IGBT的发展方向依然是提高耐压、增加电流、扩大功率、提升最高工作结温。图关11:英飞凌历代1GBT代数结构特征封装形式推出年份优点应用3沟槽栅，场极止模块1992低导通压降，125C工作结温（ 600

9、V器件为15QC）,开关性能优化中低质领域在本已经被1GBT4取代，但在高压领域依然占主导地位，比如3300V,4500V, 6500V的主流产品仍然在使用IGBT3技术.4沟槽棚场极止+薄品圆模块1997进一步降低了开关损耗，同时开关软度更高，漂移区厚度更薄使用最广泛，业压包含600V, 1200V,1700V,电次 10A 到 3600A5沟槽栅场极止表面覆盖铜/ DC 1模块2001允许更高的工作结温及榆出也流.厚度相对于IGBT4进一步减薄，使得饱和压降更低，榆出电针对高可靠性，长存命应用V O /流能力提升30.4的优化版本，优化了背面P+注.f-目前只在单管中有应用6沟槽栅场栈止2

10、003 人，从而得到了新的折衷曲线，（1200V）Rg可控，3us短路沟道密度更高，实现5kvus下的 Ln4 微沟槽栅+场裁7止模块针对可控性、灵活性应用.电动商用车主2018 最佳开关性能.Vee（sat）tbm-“驱，光伏逆变器等IGBT4 降低 20%.来源：英飞凌,中杭证券研究所IGBT根据集成度，分为分立器件、模块和IPM （智能模块在下游应用场景方面，单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器及小功率变频器；标准模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车（电机控制器、车载空调、充电桩）等领域；IPM模块主要应用于变频空调、变频洗衣机等白色家电。图表12： 1GBT按集

11、成度分类产品名称产品描述应用领域IGBT芯片IGBT芯片是由MOSFET和BJT组成的及合全控型电压驱动式功率芯片，同时具备MOSFET易于驱动、开关速度快及BJT通态压降小、栽流能力大的优点，是能量转换和传榆的核心器件，适用于各类需要交流电和直流电转换及高低电压转换的应用场景新能源汽车.工业也机驱动.变频器.家电.电磁感应加热、UPS、新能源发电等FRD芯片FRD芯片是一种反向恢至时间短的二极管，主要应用于开关电源、变频器包机驱动等业力电子电路中，是组成ICBT功率模块的重要器件，具有反向恢及快、正向压降低、反向击穿电压高的特点IGBT单管1GBT单管将单个IGBT芯片和FRD芯片采用1个分

12、立式晶体管的形式封装在铜框架上IGBT模块1GBT模块将多个IGBT芯片和FRD芯片通过特定的电路和桥接封装而成，具有集成度高、可靠性高、安装维修方便、散热稳定等特点，是新能源汽车电机驱动控制系统的核心组成部件IPM模块IPM模块将IGBT芯片、FRD芯片、驱动电路、保护电路、检测电路等集成在同一个模块内，通过调节输出交流电的幅值和频率控制电机的转速实现变技，是集自我保护功能于一体的专用IC化高性能功率模块，具有封装体积小、抗干扰能力强、应用便捷等优点新能源汽车.求电.变频器等泉源：比史迪半导招股书，中杭证券研究所由于IGBT模块的尺寸相对标准化，芯片间的连接已在模块内部完成,因此和同容量的器

13、件相比，具有体积小、集成度高、可靠性高、散热稳定等优点，在IGBT应用市场中占比过半。图袅13: 2020年IGBT模块市场占比高（亿美元）图装14：全球IGBT出货规模（三月均值,百万美无） IPM IGBT分立器件 IGBT模组朱源：（todia英飞凌.中航证券研究所臬双：VSTS,中航证券究所IGBT的全球头部企业包括英飞凌、富士电机、三菱等，国内厂商中。2020年，Omdia对IGBT分立器件、IGBT模块和IPM模块进行了排名，在市场最大的IGBT模块中，斯达半导实现1亿美元收入,全球市占率2.8% ,排名全球第六，领先国内。图表15： 2020年IGBT器件.IGBT模块、1PM市

14、场格局 ICBT分立2S件收入（亿美元） 串占牵 1CHT模块收入（亿美元）市占率IPM根块收入（亿美元）市占牵04 2.6%0. 5 b 3. 1%0. 6 - 3. 8%0. 7 4. 20. 7 4. 6%0. 9 - 5. 5%1.2 7. 7%1.5 9. 32.5 15. 6%7 29.3士 M微美格衲或学电子力构意法半导体东芝RA美三走富士电机英飞凌36.5姝博世H AABB畀明新.，I妥等I三菱富士电机关飞凌9%6%7%4%0tO.L L2.工I 12 2 3 40.0.0.0.0.体子 导气机电Mf电栓电凌美似兰蚓法米士飞去芟华士9三*官美安三13.6 85.7检计 2X2-79. 1 衿计12.6 87.淤计来源：英飞;总0mdia中城证条