金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法_SJT 11824-2022.docx
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1、ICS31.080.30CCS142中华人民共和国电子行业标准SJ/T118242023金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法Testmethodforeffectiveoutputcapacitanceandchangeratewithvo1tageofmeta1oxidesemiconductorfie1d-effecttransistor2023-01-01实施202370-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布目次前言I1范围12规范性引用文件13术语和定义14测试方法14.1 等效电容测试14.1.1 通则14.1.2 等效电容测量方法24.2 电
2、压变化率测试44.2.1通则44.2.2电压变化率测试4I-A-刖百本文件按照GB112023标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中国电子技术标准化研尢院归口。本文件起草单位:西安芯派电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团第十三研究所金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法1范围4测试方法4.1等效电容测试4.1.1通则图3电路图适用于N沟道瑞件。通过改变仪器、发生器和电源的极性,则能适用于P沟道器件。GB17573-1998给出的操
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