正压悬浮区熔单晶硅炉_SJT 11853-2022.docx
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1、ICS31.220CCS197中华人民共和国电子行业标准SJ/T118532023正压悬浮区熔单晶硅炉Sing1e-crysta1si1icongrowingfurnacebypositivepressuref1oatzoneme1ting2023-01-01实施2023To-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布前言I1范围12规范性引用文件13术语和定义14产品型号及构成25工作条件36要求37试验方法58检验规则89标志、包装、运输和储存9M1B4.A刖本文件按照GB/T1.1-2023标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本
2、文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部电子信息司提出。本文件由全国半导体材料与设备标准化技术委员会(SACC203)归口.正压悬浮区熔单晶硅炉1范围体级单晶硅生长的单晶硅炉。2规范性引用文件其使用导求3术语和定义本文件规定了正压悬浮区熔单晶硅炉(以下简称“区熔炉”)的产品标记和主要参数、技术要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、GB/T2900.23-200注日期的引用文件,修改单)适用于本GB5GB/TGB/T安全200816防9120适用于本文件。的规范性引用而构成本文件必不可4引用文件,其最17防潮磁处理装19电0141标本文件适用于以高纯多晶硅下
3、列文件中仅该日期对应文件。GB2891-GB28GBZTGBfTGB(38792GB/T1:GB50073.1机电产晶包装通用技术条件净厂房设计规范区熔法f1oatzoneme1tingme区熔法又称悬浮区熔法,利用高频感应线圈将棒状多晶硅局部加热熔化,熔化区域处于悬浮状态,从下方引入籽晶,将熔硅拉制成单晶硅棒。3.2悬浮区熔单晶畦炉f1oatzonecrysta1growingfurnace利用区熔法进行单晶硅生长的装置。3.3高频感应线圈radio-frequencyinductioncoi1用于产生磁场进而在多晶硅料内产生感应电流的加热感应器。3.4补偿电路compensatedcirc
4、uit由感应线圈及其相应的补偿电容器组构成的电路。工作温度workingtemperature区熔炉设计时使多晶料成熔融状态及单晶生长允许使用的温度范围。最大装料量maximumcharge区熔炉设计时允许装载的多晶棒料的最大重量。反射环ref1ectionring主要由铜构成,在生长大直径单晶硅时用来改善热场分布,降低单晶硅外表面轴向温度梯度,使晶体径向温度趋于一致,提高硅单晶径向电阻率均匀性,并能有效解决单晶硅生长过程中易出现裂纹问题的一种装置。上轴uppershaft用于实现多晶硅料的升降旋转运动。上轴内部包括一套轴承、托盘、四根光轴和齿形皮带,轴承和托盘相联。托盘通过两根精密导引丝杠移
5、动,由四根光轴对托盘导向,并通过齿形皮带使动最终实现上轴的升降旋转,带动多晶硅料的升降旋转。下轴1owershaft用于实现单晶硅料的升降和旋转运动。下轴内部包括一套轴承、托盘、四根光轴和齿形皮带,轴承和托盘相联。托盘通过两根精密导引丝杠移动,由四根光轴对托盘导向,并通过齿形皮带传动最终实现下轴的升降旋转,带动单晶硅料的升降旋转。内轴Innershaft置于下轴中,在一定范围内可独立地沿轴在下轴内移动.内轴与下轴在旋转时互相锁定。内轴用于实现籽晶的旋转和升降,在单晶生长的起始阶段,即锥体形成阶段。当晶体生长进入等径阶段后,内轴与下轴在各运动方向上也均互相锁定,二者在运动中完全同步。4产品型号及
6、构成4.1 型号标记区熔炉的型号标记规则如下:4.24.3 主要构成区熔炉主要由主机以及抽气系统、充气系统、水冷系统、加热系统、控制系统等组成。主机包括炉体、多晶料升降旋转系统、籽晶升降旋转系统。5工作条件5.15.25555534567相对湿度:温度范围:外界蔑源:65%,区熔炉无结露情况发生。2030.当大于10Hz时振幅值应小于0.03mm.应用环境无腐蚀性气体。地基基础土质的承载能力应不小于10Tm2o电源要求:厂务进线采用3AC380V,三相五线制,额定频率50Hz,接地电阻不大于10冷却水要求冷却水的水温、压力、水质要求如下:5.8OMs/cm(25);50mg/1;浓度7以氮气t
7、要求设备外表面无明显的油漆脱都显色差。情炉体内部采用抛光处理,无明显砂眼、凹坑等缺陷。设备水冷系统和抽气、充气系统焊缝平滑,连接管道和接口无泄漏现象。设备走线布管规范,无明显弯折、捆绑杂乱现象。包装标志要求:冷却水温度范围:20冷却水进水压力:冷却水出水压M水质要求:a)b)C)d)配a)b)C)d)1)电2)3)4)53聆CaCOif99.999%力、管气压5.9洁净室应将合1外观要求3-2013中的规定,洁净度等级优于4级,不含腐蚀性筑体和易燃性气体。666661.11.21.31.41.5每套区熔炉都应有铭牌,铭牌应固定在设备明显易见的位置上。铭牌上标出的内容应按GB5959.12005
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