光伏用直拉单晶炉_SJT 11854-2022.docx
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1、ICS31.220CCS197中华人民共和国电子行业标准SJ/T118542023光伏用直拉单晶炉Czocha1skising1e-crysta1si1icongrowingfurnacesusedforPV2023-01-01实施2023To-20发布中华人民共和国工业和信息化部发布UI前言范围2规范性引用文件13术语和定义1产品型号及构成M型号标记.1.2主要构成.工作条件66666要求.1.2.).3i.4%57777711222233455556788888999夕测.工工安工检验鉴定检出厂检验】判定规则J外观要求r试验,2.3检验规哪8.18.28.38.4包装、运输、贮存.】9.1
2、包装和运输9.2贮存本文件按照GB/T1.1-2023标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利,本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部电子信息司提出。本文件由全国半导体材料与设备标准化技术委员会(SACC203)归口。本文件起草单位:浙江晶盛机电股。鸥精密机械制造有限公司、浙江求是半导体设备有限公司、内蒙古中环光像:材料有限公司、中国电子技术标准林坚、张俊r沁鎏树峰、郑海峰、曹可慰、6化研究院。j本文件主要起吴怡然、李其聪/0/IB、bm1范围光伏用直拉单晶炉本文件规定了光伏用直拉单品炉(以下简称单晶炉
3、)的术语定义、规格型号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存。42014中界定的以1617防防潮,先求炉安全嬲安湖200820041桶也用技术条件机电产品包*I用文件,其最闽瞄本文件适用于采用软轴直出晶硅生长的单晶炉。2规范性引用文件下列文件中仅该日期对应文件.GB28GB28GB/TGBGBGB5GB/TGB/TGB/T1X383术语和定义GB/T2900.233.1仪中的规范性引用而构成本文件必不可K,注日期的引用文件,修改单)适用于本必S用于本文件。工作室尺寸单晶炉中晶体生长室的空间尺,3.2装料量chargesize单晶炉一次最大的装料量,不包括拉晶过程中添加的量。4产
4、品型号及构成4.1型号标记单晶炉的型号规定如下:4.2主要构成单晶炉主要由主机以及抽气系统、充气系统、水冷系统、加热系统、控制系统等组成。主机包括炉体及提升旋转系统、籽晶提拉及旋转系统、珀娟上升及旋转系统。5工作条件5.1 相对湿度:65%,单晶炉无结露情况发生。5.2 温度范围:2030.5.3 外界震源:当大于K)HZ时振幅值应小于0.03mm。5.4地基基础土质的承载能力应不小于10tm2。1.5 应用环境无腐蚀性气体。1.6 电源要求:应采用3AC380V,三相五线制,额定频率50Hz,接地电阻应不大于IOC的电源;1.7 冷却水要求:a)冷却水温度范围:2030;b) 冷却水进水压力
5、:2.5kgcm2-3.5kgcm2;c) 冷却水出水压力:0kgcm20.5kgcm2;d)水质要求:1) 电导率:500scm(25);2) PH值:&-9;3)氯离子浓度:V1OmgZ1;4)硫酸盐浓度:30mg1;5) 硬度(CaGO3):50mg/1;6) Fe元素浓度:0.3mg1;7)悬浮物浓度:W1Omg/1;8)溶解氧量:W1omg/15.8配套气体要求:a)压缩空气进气压力:0.6MPaU).9MPa;b)惰性气体管路进气压力:0.55Mpa-0.7Mpa;c)惰性气体管道泄露率:V0.510-8ccsec(标准大气压下,以氮气计算);d)惰性气体纯度:99.999%。6要
6、求6.1 外观要求外观要求如下:a)设备外表面无明显的油漆脱落或者喷砂缺陷,无明显色差。b)炉体内部采用抛光处理,无明显砂眼、凹坑等缺陷。c)设备水冷系统和抽气、充气系统焊缝平滑,连接管道和接口无泄漏现象。d)设备走线布管规范,无明显弯折、搠绑杂乱现象。e)包装标志要求:1)每套单晶炉都应有铭牌,铭牌应固定在电热设备明显易见的位置上;2)铭牌上标出的内容应按GB5959.b-2005中15.1的要求,在产品标准中具体规定。对出口产品,应采用用户所要求的文种,对制造厂名称应加上国名;3)制造厂自制的配套件都应有各自的铭牌;4)单晶炉的指示、控制、操作等部分应有必要的名称、位置或状态(方向)、接地
7、等标志;5)各种标牌,包括铭牌应符合GB/T13306-2011的规定;6)铭牌上应标出下列各项:产品的型号和名称;出厂编号;出厂日期;制造厂名称(对出口产品应标明国名)。6.2 基本性能要求基本性能要求见表1。表1单晶炉基本性能要求基本性能单位性能要求I类类工作室尺寸cm140-145160额定功率kW200250工作真空度Ton10-505-20籽品慢速升降范围mm/min0-8籽晶快速升降范围mm/minN650800籽晶转速范围rpm0.1-25籽品在炉内有效行程mm2500027000生期慢速升降范围mm/min0-1用加快速升降范困mm/min150200用堵转速范围rpm0.1-
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