LCD-模组制程原理专题培训课件.ppt
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1、LCD_模模组组制程原制程原理理9/24/2024TFT-LCD 的结构和工作机制的结构和工作机制玻璃 玻璃-液晶液晶根据施加的电场控制光通量 背光灯背光灯+TFT-LCDTFT-LCD的结构是这样的,液晶充填在彩色滤光器玻的结构是这样的,液晶充填在彩色滤光器玻璃和璃和TFTTFT玻璃之间。玻璃之间。一个像素由一个像素由3 3个子像素组成个子像素组成(R,G,BR,G,B),),并且显示清晰度是由像素的数目决定并且显示清晰度是由像素的数目决定(SVGA,XGA,SVGA,XGA,等)。等)。TFTTFT矩阵由数据线矩阵由数据线(传输要显示的数据信号)传输要显示的数据信号)、门线门线(传输(传输
2、TFTTFT的开关信号)组成。每一个子像素上的的开关信号)组成。每一个子像素上的TFTTFT,控制施加在彩色滤光器玻璃电极和控制施加在彩色滤光器玻璃电极和TFTTFT玻璃电极之间玻璃电极之间电压,这个电压产生的电场作用在它们之间的液晶上。电压,这个电压产生的电场作用在它们之间的液晶上。所施加的电压产生的电场将改变液晶分子的排列方向,所施加的电压产生的电场将改变液晶分子的排列方向,液晶分子的排列方向将改变通过液晶的光线的偏振化液晶分子的排列方向将改变通过液晶的光线的偏振化方向。被偏振片起偏的偏振光的透过率,受所施加的方向。被偏振片起偏的偏振光的透过率,受所施加的电压的控制。所以,透过的光通量是在
3、要显示的数据电压的控制。所以,透过的光通量是在要显示的数据信号的控制之下。信号的控制之下。门极门极控制TFT的开关-白色(白色(TFT关闭)关闭)黑色(黑色(TFT开启)开启)源极源极传输数据信号偏振片偏振片300300m(大约大约)共用电极共用电极一个像素一个像素数据线数据线像素电极像素电极门线门线)彩色滤器玻彩色滤器玻璃璃TFTTFT玻璃玻璃 像素电极像素电极给液晶施加电场+-液晶液晶完成每一制程后检查完成每一制程后检查TFTTFT层层检查检查沉积沉积清洗清洗光阻涂布光阻涂布曝光曝光显影显影蚀刻蚀刻光阻去除光阻去除制程循环制程循环在玻璃上沉积薄膜在玻璃上沉积薄膜溅镀:金属层溅镀:金属层PE
4、CVD:PECVD:半导体层半导体层/绝缘层绝缘层去除玻璃上的异物粒子去除玻璃上的异物粒子在玻璃上涂光阻层在玻璃上涂光阻层通过光罩投射光线通过光罩投射光线去除已产生化学反应的光阻去除已产生化学反应的光阻用蚀刻剂蚀刻沉积层用蚀刻剂蚀刻沉积层湿法蚀刻:金属层湿法蚀刻:金属层干法蚀刻:半导体层干法蚀刻:半导体层/绝缘层绝缘层去除光阻条去除光阻条光罩光罩半导体层半导体层/绝缘层绝缘层 数据电极数据电极绝缘层绝缘层ITOITO电极电极门电极门电极沉积层玻璃沉积区域沉积区域R FHSiSiSiSiN NSiSiN NHSiSiHHHN NN NHHHHHAlAlDCAlAlAlAlAlAlAlAl Ar+
5、Ar+AlAl Ar+Ar+目标目标基板基板P E C V DP E C V D溅镀溅镀 沉积使用化学和物理方法在玻璃上沉积绝缘层,半导体层和金属层*P E C V D P E C V D(等离子增强化学气相沉积)等离子增强化学气相沉积)*R F R F(射频)射频)原理原理在真空室中,用射频将反应气体转变为等离子态,使反应气在真空室中,用射频将反应气体转变为等离子态,使反应气体发生化学反应,从而在玻璃上沉积氮化硅层,非晶硅层体发生化学反应,从而在玻璃上沉积氮化硅层,非晶硅层原材料原材料氨气,硅烷,氢气,氮气,磷化氢氨气,硅烷,氢气,氮气,磷化氢目标层目标层 氮化硅层氮化硅层非晶硅层非晶硅层原
6、理原理用活化的氩气将想要沉积的金属元素从金属靶上的剥离,然用活化的氩气将想要沉积的金属元素从金属靶上的剥离,然后沉积在基板上(玻璃)后沉积在基板上(玻璃)原材料原材料几种金属靶材(铝,铬,镆,氧化锡铟)几种金属靶材(铝,铬,镆,氧化锡铟)氩气氩气目标层目标层铝,铬,镆,氧化锡铟铝,铬,镆,氧化锡铟清洗区域清洗区域清洗去除由环境,设备和人员带到 玻璃上的杂质颗粒原理原理用紫外线,物理方法或材料去除玻璃上的异物或颗粒,如去离子水,刷子,超声波。用紫外线,物理方法或材料去除玻璃上的异物或颗粒,如去离子水,刷子,超声波。原材料原材料去离子水去离子水 应用范围应用范围 所有沉积制程之前和之后所有沉积制程
7、之前和之后沉积层颗粒 清洗清洗清洗原理原理光阻光阻原材料原材料光罩光罩显影剂显影剂曝光曝光将光罩上的图案在玻璃上曝光,改变光阻将光罩上的图案在玻璃上曝光,改变光阻的结构的结构.显影显影用显影剂将不需要的光阻去除用显影剂将不需要的光阻去除.光阻涂布光阻涂布用旋转涂布方法在玻璃上涂布光阻用旋转涂布方法在玻璃上涂布光阻光阻光阻沉积层光阻光阻光阻区域光阻区域用平板照相制程在玻璃上形成所要的图案.光阻涂布曝光显影光罩光罩去除金属层中不需要的部分,获得所要的图案 原理原理使蚀刻剂与金属之间发生化学反应,去除不要的金属层使蚀刻剂与金属之间发生化学反应,去除不要的金属层 蚀刻剂蚀刻剂硫酸硫酸+醋酸醋酸+硝酸(
8、铝层)硝酸(铝层)C.A.N.C.A.N.硝酸(铬层)硝酸(铬层)盐酸盐酸+硝酸(硝酸(ITO ITO 层)层)目标层目标层铝,镆,铬,铝,镆,铬,ITO ITO 层层原理原理 用射频将沉积层分解为等离子态,在真空室中通过化学反应将不要的用射频将沉积层分解为等离子态,在真空室中通过化学反应将不要的沉积层去除。沉积层去除。原材料原材料六氟化硫,氧气,氦气,氯化氢,氯气六氟化硫,氧气,氦气,氯化氢,氯气目标层目标层半导体层半导体层:非晶硅非晶硅,掺杂非晶硅掺杂非晶硅氮化硅层氮化硅层:氮化硅氮化硅蚀刻区域蚀刻区域光阻沉积层蚀刻湿法蚀刻湿法蚀刻干法蚀刻干法蚀刻F FO OSiSiSiFSiF4 4Si
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