涡流式探针电阻检测技术资料.docx
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涡流式探针电阻检测技术资料测量规格测量目标半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)新材料/功能材料相关(碳纳米管,D1C,石墨烯,银纳米线等)导电薄膜相关(金属,ITO等)硅基外延,离子与半导体相关的注入样品化合物(GaAsEpi,GaNEpi,InP,Ga等)测量尺寸无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mm且表面平坦)测量范围电阻Im至200Qcm(*所有探头类型的总量程/厚度500um)抗剪强度IOm至3kQsq(*所有探头类型的总量程)*有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。(1)彳氐:0.01至0.5Q(0.0010.05-cm)(2)中:0.5至10Q(0.05至0.5Q-Cm)(3)高:10至IoooQ/口(0.5至60Q-Cm)(4)S-高:Ioe1o至3000Q(60至200Q-Cm)(5)太阳能晶片:5至500Q口(Oo2至15Q-Cm)
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