多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定 电感耦合等离子体发射光谱法编制说明.docx

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1、行业标准多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法编制说明（预审稿）一、工作简况（-）立项目的及意义多晶硅是光伏产业链中的基础原材料，直接影响着后续产品的成本、质量,主流生产工艺为改良西门子法和硅烷流化床法。在改良西门子法生产多晶硅过程中，还原工序使用到大量石墨制品，比如石墨底座、石墨帽、卡瓣等，其中石墨底座、石墨帽在还原炉中，起到导电、给多晶硅棒提供支撑的作用，石墨卡瓣用于固定硅芯。平均每生产5吨多晶硅,就消耗2个石墨底座、2组石墨卡瓣。我国已成为全球产能、产量最大的多晶硅生产国，2023年我国多晶硅产量为39.6万吨/年，产量全球占比为75.4%,这就产生大量的石墨制品消

2、耗。由于在多晶硅生长过程中，石墨制品直接与高纯多晶硅接触，其洁净程度直接影响多晶硅的品质，越来越多的用户开始认识到控制石墨制品质量的重要性，对其实施质量监控。石墨制品表面杂质的存在会在高温下与氯硅烷发生副反应，对多晶硅造成污染，影响多晶硅产品的质量。快速、准确地测定多晶硅用石墨制品表面杂质含量也变得至关重要。目前国内没有多晶硅用石墨制品表面杂质的测定标准，特申报制定此标准。本标准的制定统一了行业内多晶硅用石墨制品表面杂质的测定方法，为多晶硅的质量提供保障。（二）任务来源根据工业和信息化部办公厅关于印发2023年第一批行业标准制修订和外文版项目计划的通知（工信厅科函20XXXX号）的文件精神，行

3、业标准多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法由全国有色金属标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会具体组织编制，计划编号2023-0470T-YS,完成年限为2024年。（）主要起草单位情况本项目由江苏中能硅业科技发展有限公司、新疆戈恩斯能源材料科技有限公司、江苏赛夫特半导体材料检测技术有限公司、洛阳中硅高科技有限公司等单位共同提出并起草，编制组成员单位均具备检测石墨制品的能力。江苏中能硅业科技发展有限公司（下称“中能硅业”）为目前世界上单体投资规模最大的高纯多晶硅研发与制造基地，系香

4、港上市公司保利协鑫能源控股有限公司（HK3800）全资控股的子公司。中能硅业研发团队独创了国际领先、具有自主知识产权的GC1法多晶硅超大规模清洁生产技术（简称“GC1法”），该工艺极大地降低生产成本。公司GC1检测技术中心拥有一座综合性实验大楼，建筑面积约3500m2,分为普通实验室、洁净实验室，其中洁净实验室千级区有600m2,百级区50m2,实验室整体布局合理，实验室温控、振动、辐射、声级等指标完全符合满足技术要求，可以完成多晶硅企业近百项分析项目的检测。目前GC1检测技术中心被中国电子材料协会评为“理化分析联合实验室”。随着江苏中能硅业多晶硅产业的壮大，Ge1检测技术中心按照CNAS-C

5、101：2018检测和校准实验室能力认可准则等相关文件对实验室实施标准化管理，意在打造全国一流、分析功能强大的综合型分析中心，进一步促进中国多晶硅与世界的接轨。作为牵头单位与多晶硅的主要生产商有着良好的沟通合作，具备开展试验验证、制定本标准的技术实力。（四）主要工作过程标准起草单位和参编单位在接到行业标准制定计划任务后,在全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会的组织下，江苏中能硅业科技发展有限公司和参编单位成立了标准编制组，确定了编制组成员的任务分工和计划。标准编制组开展了查询相关国内外资料、标准的整理和研讨工作，发现没有相关的SEM1标准，同时标准编制组也充分调研了本公司和同行

6、业其他单位的石墨制品表面杂质的检测方法，并组织相关技术人员进行了石墨制品表面杂质含量检测的试验工作，结合实际情况和具体的试验结果，对拟制定标准所涉及的内容、范围、适用性、可操作性、科学性等内容进行了认真研讨、论证和改进，通过试验，初步确立了方法标准的内容。最终形成了多晶硅生产用石墨制品表面杂质含量的测定电感耦合等离子体光谱法的讨论稿，并在编制组成员单位内进行了充分的讨论。2023年3月28日由全国半导体设备和材料标准化技术委员会，在广东东莞组织标准讨论会，与会专家对标准进行充分的讨论。根据专家意见，结合实验情况和实验结果进行改进，又对标准文本内容做了进一步完善，形成标准预审稿。二、标准编制原则

7、和确定主要内容的依据1编制原则本标准按照GB/T1.1-2023标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则和GB/T20001.4-2015标准编写规则第4部分：试验方法标准的要求进行编写。标准中主要包含范围、规范性引用文件、原理、干扰因素、试验条件、试剂或材料、仪器设备、样品、试验步骤、试验数据处理、精密度、试验报告等内容。2标准主要内容的确定依据2.1方法原理利用石墨表面杂质的可溶性，将样品浸泡于硝酸溶液中使其表面杂质溶于酸中，制备成待测溶液。待测溶液通过进样系统，进入电感耦合等离子体光谱仪(ICP-OES),测定待分析金属元素的含量。2.2浸泡溶液和浸泡时间的选择实验选择独立包装

8、的若干组卡瓣作为实验样品，将样品分别浸泡于超纯水、1%硝酸溶液和5%硝酸溶液中，三种浸泡液分别设定3个浸泡时间，为Iomin、20min30min制备成待测样品。样品进入电感耦合等离子体光谱仪，检测浸泡液的杂质含量，通过浸泡液的杂质含量计算出样品的表面金属杂质。原始数据见表1表1石墨表面杂质含量结果浸泡方式表面杂质含量(ngg)BPAsA1CaMnCrFeNiCuZnNaPbKMg杂质总和水IOmin-I161161112113141水10min-2165181113113132水10min-3176191111113132均值16418111211313135水20minT153112111

9、1113132水20min-2210101131111113161水20min-31981141112113261均值187113111111315147水30minT1641151112124121水30min-21431161113124142水30min-31741171111124152均值1641161112124142451%酸IOmin-I131336111911137221%酸10min-2111437112422133331%酸10min-311153711251113192均值12143711231113452861%酸20min-1111645113612161631%酸

10、20min-2111546113713263131%酸+卡20min-311154511411226133均值111645113812262331121%酸30min-1141651111721142331%酸30min-2111450111912141331%酸+卡30min-311155011202214423均值12155111182214233965%酸IOmin-I1126235111412133525%酸10min-21123433111522133525%酸10min-319233311162113162均值111333411152213252855%酸20min-1173437

11、133251132415%酸20min-2145338133162O31325%酸20min-311644013345113152均值145438133252131421065%酸30min-1124339112721243425%酸30min-21126340112823142825%酸30min-316733811281224162均值17633911271224262104数据显示:超纯水浸泡IOmin的杂质平均值是35ngg,浸泡20min的杂质平均值是47ngg,浸泡30min的杂质平均值是45ngg,由此可以将用超纯水浸泡时间确定为20mino1%硝酸溶液浸泡IOmin的杂质平均值是55ngg,浸泡20min的杂质平均值是112ngg,浸泡30min的杂质平均值是96ngg,由此可以将1%硝酸溶液浸泡时间确定为20mio5%硝酸溶液浸泡IOmin的杂质平均值是85ngg,浸泡20min的杂质平均值是106ngg,浸泡30min的杂质平均值是104ngg,由此可以将5%硝酸溶液浸泡时间确定为20mino用超纯水浸泡的杂质平均值是42ngg,用1%硝酸溶液浸泡杂质的平均值是98ngg,用5%硝酸溶液浸泡杂质的平均值是98nggo可以看出酸溶液较超纯水浸泡出更多杂质，而5%硝酸溶液与1%硝酸溶液浸泡杂质相差不大，所以综上，将浸泡液确定为1%硝酸溶