半导体材料掺杂用扩散膜编制说明.docx

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1、行业标准半导体材料掺杂用扩散膜编制说明（讨论稿）一、工作简况1、立项目的和意义半导体扩散工艺是一种掺杂技术，它是将所需杂质按要求的浓度与分布掺入到半导体材料中，以达到改变材料电学性能，形成半导体器件的目的。传统的扩散工艺一般是使用传统化学品，后来发展出片扩散技术，仅德国、美国公司控制片扩散工艺技术，后又发展出膜扩散技术，美国菲诺士公司掌握膜扩散技术20多年，对我国进行产期的技术封锁。“十四五”规划纲要的“第四章强化国家战略科技力量”的“集成电路”领域明确提出核心电子器件、高端通用芯片等宽禁带半导体的发展。新材料产业发展指南中三、发展方向（二）中明确提及宽禁带半导体材料；新材料标准领航行动计划（

2、2018-2023年）中的“二（二）4先进半导体材料”中“建立碳化硅、氮化钱、氮化硼等第三代宽禁带半导体材料标准”；重点新材料首批次应用示范指导目录（2019版）中“关键战略材料”中“284碳化硅外延片、285碳化硅单晶衬底”。半导体材料掺杂用扩散膜（以下简称“扩散膜”）的技术突破，对加快推进集成电路产业发展，转变经济发展方式、保障国家安全、提升综合国力具有重大战略意义。扩散膜属于半导体芯片制造的重要原材料，是芯片内部的结构的重要组成部分,扩散膜是芯片掺杂基础材料是扩散源的一种新型产品，来源于片状源却不同于片状源。扩散膜具有扩散掺杂均匀度好，扩散掺杂重复性好，扩散特性容易控制，通过特定的工艺，

3、把扩散膜含有的杂质原子扩散进入半导体材料的内部，形成具有一定掺杂浓度和梯度的的半导体材料，在扩散过程中，膜被分解和燃烧掉。相对于传统的半导体扩散材料，具有清洁环保、无毒，不易燃，不易爆，便于储存、运输，并能有效提升芯片的特性，使用技术简单等优势。同时在超高浓度扩散以及复合源扩散方面有独特优势。特别适合于制造：超高压器件、高均匀掺杂、复合源掺杂的工艺中。另外安全、环保方面非常突出，可以使用无毒无害的化学品作为扩散膜。可控性好、高均匀性是其应用特性。目前，台湾、日本超高压器件芯片都在使用扩散膜，扩散膜在制造芯片的“技术参数优越性”“芯片可靠性”方面有很大的优势，加之其安全和环保特性，会成为未来发展

4、的主流方向。二极管芯片制造和市场上高端芯片都已经使用扩散膜。国内扩散膜的制备技术发展迅速，已实现批量生产，具备了制定扩散膜产品标准的基础。项目团队突破了扩散膜制造的设备、配方、制造工艺等多方的的限制，对膜状源产品特性和应用非常了解，满足扩散膜产品开发及产业化的需求供应。可以完全替代美国菲诺士公司的产品，能较好的解决半导体材料“卡脖”的问题。目前，安徽安芯电子科技股份有限公司、山东芯源微电子有限公司等掌握半导体扩散膜制造的核心技术，可以完全替代美国菲诺士公司的产品。扩散膜是芯片产业的基础材料，应用非常广泛，因此，制定半导体材料掺杂用扩散膜行业标准，对我国半导体行业的发展具有重要意义，能较好的解决

5、半导体材料“卡脖”的问题。半导体扩散膜市场需求旺盛，生产企业越来越多，但没有相关产品标准，产品质量参差不齐，严重影响了产业健康发展。因此申请制定行业标准，规范和引领产业的发展。2、任务来源2.1计划来源及要求根据工业和信息化部2023年第一批行业标准制修订和外文版项目计划（工信厅科2023）18号）的要求，由安徽安芯电子科技股份有限公司，负责半导体材料掺杂用扩散膜的编制，项目编号：2023-0082T-YS,要求2025年完成。本标准由全国有色金属标准化技术委员会、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会提出并归口，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会具体组织编制。

6、3、主要参加单位和工作成员及其所做的工作3.2主要参加单位情况本项目主编单位安徽安芯电子科技股份有限公司成立于2012年10月，注册资本3041.6954万元。占地面积100余亩、员工800余人，是一家集半导体芯片设计、晶圆制造、封装测试、半导体关键材料膜状扩散源于一体的综合性半导体研发和制造企业。产品主要应用于汽车电子、智能家居、5G通讯、1ED照明、消费类电子、智能电网、无人机、军工等高端电源领域，大量产品均已实现进口替代，是中国领先的半导体芯片及元器件制造商之一。公司已成功通过IS0/ITF16949:2009汽车行业质量体系认证和IS0140012004环境体系认证，拥有两个生产厂区，

7、下核五个半导体制造工厂：两个整流芯片及快恢复芯片制造工厂、一个TVS芯片制造工厂和两个元器件封装工厂。公司攻率二极管芯片产品主要为光阻法GPP芯片，产能在国内排名第二，安徽省排名第一，填补了安徽省高可靠性半导体分立器件芯片制造的空白。其生产技术及品质管理在半导体二极管领域处于领先水平，在技术创新和发展方向上引领GPP芯片行业潮流。安芯电子拥有安徽省第一批高科技人才团队，领军人才汪良恩为国家首批“万人计划”创新创业人才。公司在创新发展过程中，成果转化显著。已获得15项发明专利、90多项实用新型专利，公司建有“安徽省功率半导体分立器件工程试验室”和“安徽省功率半导体分立器件企业技术中心”等研发平台

8、，是国家专精特新重点“小巨人”企业，“国家知识产权优势企业”，“国家高新技术企业”，曾获得“第四届中国创新创业大赛”优秀奖、2023年安徽省科技进步二等奖、池州市质量奖、“安徽省名牌产品”等荣誉。标准编制单位安徽工匠质量标准研究院有限公司，山东芯源微电子有限公司，合肥增财智能科技有限公司，在标准的编制过程中，能积极主动收集国内外的相关标准，到一些有代表性的企业进行半导体材料掺杂用扩散膜的生产和使用等方面的调研并收集现场实测数据，根据了解的现场实际情况，编制实测数据统计表，公司带领编制组成员单位认真细致修改标准文本，征求多家企业的修改意见，最终带领编制组完成标准的编制工作。中国科学技术大学，安徽

9、大学参与标准编制，提出了宝贵意见，并对标准附录中的试验方法进行了复验。浙江中晶科技股份有限公司参与了标准编制，对于标准内容提出了修改意见。4、主要工作过程4.1起草阶段本项目在下达计划之日起，标准编制组内部于2023年5月27日召开了关于标准起草的工作会议，布置了标准起草的相关工作。根据本标准的起草原则，编制组对我国目前生产半导体材料掺杂用扩散膜产品的相关企业进行调研和统计，参考国内外相关标准，同时结合相关企业的一些技术指标和检验数据起草了本标准讨论稿初稿。2023年7月20,全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会在铜陵市组织专家对标准的框架进行了讨论，2023年9月1日，起草组

10、再次进行了讨论，2023年9月18日至10月18,对标准的技术指标进行了试验验证，2023年月4日，起草组在试验数据的基础上，形成了征求意见稿。二、标准编制原则本标准起草单位自接受起草任务后，成立了标准编制组负责收集生产统计、检验数据、市场需求及客户要求等信息，初步确定了半导体材料掺杂用扩散膜标准起草所遵循的基本原则和编制依据：（1）查阅相关标准和国内外客户的相关技术要求；（2）根据国内半导体材料掺杂用扩散膜生产企业的具体情况，力求做到标准的合理性和实用性；（3）根据技术发展水平及测试数据确定技术指标取值范围；（4）按照GB/T1I和有色加工产品标准和国家标准编写示例的要求进行格式和结构编写标

11、准；（5）细化半导体材料掺杂用扩散膜产品质量要求，根据行业水平和用户需求，对扩散膜掺杂元素种类以及含量的要求进行确定；（6）融入较为成熟半导体材料掺杂用扩散膜分析检测方法，提供准确的分析数据，更好的指导半导体材料掺杂用扩散膜的生产；（7）规定半导体材料掺杂用扩散膜的质量验收内容，避免低劣产品挤占优秀产品生产空间，促进行业健康发展；（8）结合我国半导体材料工业实际生产水平，同时根据产品用户的意见反馈，正确兼顾好彼此之间的关系，追求技术的先进性、指标的合理性和严谨性的统一。三、确定标准主要内容的依据本标准结合我国行业内半导体材料掺杂用扩散膜的实际生产和使用情况，考虑半导体材料掺杂用扩散膜的发展和行

12、业现状制定而成。标准的主要内容的确定依据详述如下：1、标准题目与适用范围本文件规定了半导体材料掺杂用扩散膜（以下简称“扩散膜”）的术语和定义、分类、技术要求、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订货单内容，描述了相应的试验方法。本文件适用于用沉淀、挂膜等制造方法制造的用于制备光电子、微电子等器件的半导体材料掺杂用扩散膜。2、分类扩散膜按掺杂元素分为以下几种：a)磷扩散膜；b)硼扩散膜。3、技术要求3. 1表面质量表面应无裂纹、夹杂、凹坑、孔洞、缺边、沾污等。3.2颜色磷膜：粉色或粉红色；硼膜白色或蓝色或灰色；中性膜白色或蓝色。也可双方约定，并在订单中说明。3. 3尺寸偏差尺寸允许偏差不

13、应大于Immo客户若有特殊需求，则由供需双方协商确定并在订货单中注明。4. 4扩散膜主元素浓度磷膜主元素浓度应符合表1的要求，硼膜主元素浓度应符合表2的要求。客户若有特殊需求，则由供需双方协商确定并在订货单中注明。表1磷膜主元素浓度要求型号主元素浓度(CONC)A级品B级品C级品P402.07*1(fi5%6%10%P502.25*1(fiP602.32*1()21P70-12.69*1(fiP70-22.57*P752.69*1(fi表2硼膜主元素浓度要求型号主元素浓度(CONC)A级品B级品C级品B1O1.63*1()215%6%10%B201.94*1()21B303.0*10B404.

14、6*1()2i(1)相关的解释和确定依据半导体材料掺杂用扩散膜的主元素浓度要求是经过对多家用户的使用反馈信息统计、分析而得，在满足顾客使用要求和质量要求的情况下，经过细致的沟通和调研，并得到使用方的广泛认可。(2)主要验证情况分析编制组对多批次半导体材料掺杂用扩散膜产品的化学成分实测值进行了详细的统计，不同型号膜状源掺杂主元素实际含量，详细见表3。表3掺杂主元素浓度实测值产品批号型号掺杂主元素摩尔浓度(mo1Kg)掺杂主元素cone230406503B1O2.76571.63*1(fi230327504B204.02371.94*1(fi230625508B305.84593.O*1O2123

15、0616510B4010.54484.6*10230307306P404.62382.07IO?230518213P504.44952.25*02i230408102P605.04362.32*1(fi230506210P70-15.48272.69*1(fi230413209P70-24.89512.57*1(fi230410301P754.67872.69*1(fi(3)主元素浓度范围根据不同芯片对掺杂浓度精度控制不同,对产品所含有的掺杂源浓度控制范围如下：A级品：批次产品掺杂源浓度范围：5%；B级品：批次产品掺杂源浓度范围：6%；C级品：批次产品掺杂源浓度范围：10%。更高均匀度的要求，由供需双方协商确定并在订货单中注明。表4主元素浓度误差(不同区域掺杂主元素实测值)产品批号型号检测位置掺杂主元素摩尔浓度(mo1Kg)掺杂主元素cone区域误差230406503B1O内2.57151.52*1()210.8%中2.60851.54*1(fi外2